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公开(公告)号：CN104810274B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510186312.0
申请日：2012-03-12
申请人： 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/78 , H01J37/321 , H01J37/32155 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/67739 , H01L21/68 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/782 , H01L2221/68327 , Y10S414/139
摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供转移臂；提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；在所述工件支架内提供升降机构；将基板放置到所述框架上的支撑膜上以形成工件；使用所述转移臂将工件转移至处理室中并放到所述升降机构上，所述升降机构接触所述工件的框架，所述升降机构不接触所述工件的基板；通过所述等离子源产生等离子；以及，通过所产生的等离子蚀刻所述工件。
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公开(公告)号：CN105047599B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510187545.2
申请日：2012-03-12
申请人： 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/78 , H01J37/321 , H01J37/32155 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/67739 , H01L21/68 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/782 , H01L2221/68327 , Y10S414/139
摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供升降机构；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有静电吸盘，所述静电吸盘具有外径，所述静电吸盘的所述外径延伸到所述升降机构；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件放置到所述处理室内的所述升降机构上；通过所述等离子源产生等离子；使用所产生的等离子来蚀刻所述工件；以及，在所述蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述支撑膜的一部分。另外，还提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。
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公开(公告)号：CN104979265A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510187553.7
申请日：2012-03-12
申请人： 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/683
摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法，包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源，该等离子源在所述处理室中产生等离子；在所述处理室内提供工件支架；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；在工件支架内提供升降机构；使用所述升降机构将工件放置到工件支架上，所述升降机构接触工件的与所述框架重叠的部分；在等离子源与工件之间提供导电屏蔽网，该导电屏蔽网减少了所述基板上的离子轰击，该导电屏蔽网减少了所述基板的加热；通过所述等离子源产生等离子；以及，在所述导电屏蔽网位于等离子源下方且所述导电屏蔽网位于工件上方的情况下，通过从所述等离子源产生的等离子来蚀刻所述工件。
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公开(公告)号：CN105047558A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510187572.X
申请日：2012-03-12
申请人： 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/78 , H01J37/321 , H01J37/32155 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/67739 , H01L21/68 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/782 , H01L2221/68327 , Y10S414/139
摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；提供基板，所述基板被安装在框架上的支撑膜上以形成工件；在所述工件支架内提供静电吸盘；将所述工件放置到所述工件支架上；提供RF功率源，所述RF功率源被耦合到所述工件支架；通过所述等离子源产生等离子；通过所产生的等离子蚀刻所述工件；在所述等离子蚀刻步骤期间，随着接近所述基板与所述支撑膜之间的界面，使RF功率在低频率下跳动；以及在所述等离子蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述工件。
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公开(公告)号：CN104821289A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510186311.6
申请日：2012-03-12
申请人： 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/321 , H01J37/32155 , H01J37/32422 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67739 , H01L21/68 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10S414/139
摘要： 本发明提供一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供基板；提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件加载到所述工件支架上；通过所述等离子源产生等离子；通过所产生的等离子蚀刻所述工件的基板；以及，在所述等离子蚀刻步骤期间，提供位于工件上方的盖环，所述盖环不接触所述工件的框架，并且所述盖环在所述等离子蚀刻步骤期间与所述框架重叠但不与所述基板重叠。
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公开(公告)号：CN104979265B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201510187553.7
申请日：2012-03-12
申请人： 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/683
摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法，包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源，该等离子源在所述处理室中产生等离子；在所述处理室内提供工件支架；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；在工件支架内提供升降机构；使用所述升降机构将工件放置到工件支架上，所述升降机构接触工件的与所述框架重叠的部分；在等离子源与工件之间提供导电屏蔽网，该导电屏蔽网减少了所述基板上的离子轰击，该导电屏蔽网减少了所述基板的加热；通过所述等离子源产生等离子；以及，在所述导电屏蔽网位于等离子源下方且所述导电屏蔽网位于工件上方的情况下，通过从所述等离子源产生的等离子来蚀刻所述工件。
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公开(公告)号：CN105493263A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480048001.1
申请日：2014-08-07
申请人： 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/78 , H01J37/3211 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H01L21/68735
摘要： 本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的方法，该方法包括：提供具有壁的处理室；提供与处理室的所述壁相邻的等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将工件加载到工件支撑件上，该工件具有支撑膜、框架和所述衬底；在衬底上提供至少两个切割区域，所述切割区域位于衬底上的所有相邻的器件结构之间；使用等离子体源产生等离子体；以及，使用所产生的等离子体处理所述工件。
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公开(公告)号：CN105047599A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510187545.2
申请日：2012-03-12
申请人： 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/78 , H01J37/321 , H01J37/32155 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/67739 , H01L21/68 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/782 , H01L2221/68327 , Y10S414/139
摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供升降机构；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有静电吸盘，所述静电吸盘具有外径，所述静电吸盘的所述外径延伸到所述升降机构；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件放置到所述处理室内的所述升降机构上；通过所述等离子源产生等离子；使用所产生的等离子来蚀刻所述工件；以及，在所述蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述支撑膜的一部分。另外，还提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。
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公开(公告)号：CN104810274A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510186312.0
申请日：2012-03-12
申请人： 等离子瑟姆有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/78 , H01J37/321 , H01J37/32155 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/67011 , H01L21/67069 , H01L21/67739 , H01L21/68 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/782 , H01L2221/68327 , Y10S414/139
摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供转移臂；提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；在所述工件支架内提供升降机构；将基板放置到所述框架上的支撑膜上以形成工件；使用所述转移臂将工件转移至处理室中并放到所述升降机构上，所述升降机构接触所述工件的框架，所述升降机构不接触所述工件的基板；通过所述等离子源产生等离子；以及，通过所产生的等离子蚀刻所述工件。
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