-
公开(公告)号:CN108928123B
公开(公告)日:2020-04-07
申请号:CN201810361106.2
申请日:2018-04-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明涉及一种提高振动板的位移效率的压电器件、液体喷出头及液体喷出装置。压电器件具备:压力室;压电元件;振动板,其被配置于压力室与压电元件之间,振动板具有杨氏模量根据晶面内的方向而有所不同的各向异性的单晶硅基材的晶面,在振动板中于俯视观察时与压力室重叠的振动区域中,晶面内的杨氏模量中的第一方向的第一杨氏模量大于与第一方向交叉的第二方向的晶面内的第二杨氏模量,沿着第一方向的压电元件的宽度大于沿着第二方向的压电元件的宽度。
-
公开(公告)号:CN102180012B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201110005307.7
申请日:2011-01-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L41/187 , B41J2/14233 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供一种液体喷射头及液体喷射装置,用于防止压电体层的驱动劣化、使耐久性提高。该液体喷射头具备:与喷嘴开口连通的压力产生室;以及具有第一电极、形成在该第一电极上的压电体层和形成在该压电体层上的第二电极的压电元件;所述压电体层由含有铅(Pb)、锆(Zr)及钛(Ti)的金属氧化物构成,且包括具有负电荷的Pb?O复合缺陷和具有正电荷的Pb?O复合缺陷,具有负电荷的Pb?O复合缺陷比具有正电荷的Pb?O复合缺陷更多地存在。
-
公开(公告)号:CN102555479A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110439225.3
申请日:2011-12-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/045
CPC classification number: H01L41/318 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/1878
Abstract: 本发明提供降低环境负荷且具有高绝缘性而抑制漏电流的液体喷射头和液体喷射装置以及压电元件。该液体喷射头具备:与喷嘴开口连通的压力发生室,和压电元件,所述压电元件具有压电体层和设置于该压电体层的电极,并且,所述压电体层由含有铋和铁的具有钙钛矿型结构的复合氧化物形成,在氧位含有氮。
-
公开(公告)号:CN108928122B
公开(公告)日:2020-03-03
申请号:CN201810337041.8
申请日:2018-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明涉及一种对振动板中的裂缝的发生进行抑制的压电器件、液体喷出头、液体喷出装置。压电器件具备:压力室;压电元件;以及振动板,其被配置于压力室与压电元件之间,振动板具有泊松比根据晶面内的方向而有所不同的各向异性的单晶硅基材的晶面,在振动板中于俯视观察时与压力室重叠的振动区域中,内含振动区域的最小的长方形的短轴方向上的振动板的泊松比被包含在,晶面内的泊松比的最小值以上且小于平均值的范围内。
-
公开(公告)号:CN108928126A
公开(公告)日:2018-12-04
申请号:CN201810338958.X
申请日:2018-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/14
Abstract: 本发明在抑制裂纹的产生的同时提高位移特性。本发明的压电器件具备:压力室;压电元件;振动板,其被配置在压力室与压电元件之间,振动板具有单晶硅基材的晶面{110},振动板具有在俯视观察时与压力室重叠的振动区域,压电元件在俯视观察时与振动区域重叠,当在周向上将振动区域分为从晶面内的晶体取向<-111>至<1-12>的第一区域、从<1-12>至<1-1-1>的第二区域、从<1-1-1>至<-11-2>的第三区域、从<-11-2>至<-111>的第四区域时,对于振动区域的形状,如果和将<-111>的方向的直径与<1-12>的方向的直径设为相同的假想的正圆形进行比较,则在第二区域和第四区域中与假想的正圆形相比位于内侧,在第一区域和第三区域中与假想的正圆形相比至少一部分位于外侧。
-
公开(公告)号:CN100380665C
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN200510056930.X
申请日:2005-03-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/82 , G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22 , H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明的目的在于提供一种铁电体存储器元件,其在电容器制造阶段中,可抑制在上电极和铁电体的界面上产生损伤。本发明的目的还在于提供一种铁电体存储器元件的制造方法,其在电容器制造阶段中,抑制在上电极和铁电体的界面上产生损伤。本发明的铁电体存储器元件,包括:基板(100);铁电体电容器(130),其形成在基板(100)的上方,包括下部电极(120)、铁电体膜(105)以及上部电极(106);氢屏障膜(107、108),覆盖铁电体电容器(130)而设置;层间绝缘膜(109),设置在氢屏障膜(107、108)的上方。氢屏障膜(107、108)中设置在上部电极(106)的上方部分的膜厚,比氢屏障膜(107、108)中设置在铁电体电容器(130)的侧壁部分的膜厚厚。
-
公开(公告)号:CN107046094B
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN201610943104.5
申请日:2016-11-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/27 , H01L41/312 , A61B8/00 , A61B8/08 , B06B1/06
Abstract: 提供一种压电元件及其制造方法、超声波探头、超声波测定装置。所述压电元件具备压电体和振动膜,所述振动膜将各向异性的单晶硅作为振动用材料,所述各向异性具有泊松比相对高的位向和泊松比相对低的位向,所述泊松比相对低的位向称为“低泊松比位向”,以所述低泊松比位向成为沿着所述压电体的高伸缩方向的方向的方式层叠所述压电体和所述振动膜,所述高伸缩方向是所述压电体根据支承结构产生的伸缩程度相对高的方向和相对低的方向中相对高的方向。
-
公开(公告)号:CN108928125B
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201810338603.0
申请日:2018-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/14
Abstract: 本发明可在抑制裂纹的产生的同时,提高位移效率。本发明的压电器件具备:压力室;压电元件;振动板,其被配置在压力室与压电元件之间,振动板具有单晶硅基材的晶面{100},压电元件以在俯视观察时与压力室的内周重叠的方式被配置在振动板上,并在俯视观察时夹着压力室的内周而在压力室的中心侧处具有内边缘,在压电元件的内边缘的形状中,在俯视观察时内含内边缘的最小的第一矩形中,在第一矩形的各边的中央部处内边缘与边相比位于内侧,在压力室的内周的形状中,在俯视观察时内含内周的最小的第二矩形中,在第二矩形的各边的中央部处内周与边相比位于内侧,第一矩形与第二矩形中的一边的方向沿着晶面内的晶体取向<010>。
-
公开(公告)号:CN108933191A
公开(公告)日:2018-12-04
申请号:CN201810343815.8
申请日:2018-04-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B06B1/0629 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2202/03 , H01L41/081 , H01L41/0973
Abstract: 本发明涉及一种提高振动板的变形特性的压电器件、液体喷出头、液体喷出装置。压电器件具备:压力室;压电元件;以及振动板,其被配置于压力室与压电元件之间,所述振动板具有泊松比根据晶面内的方向而有所不同的各向异性的单晶硅基材的晶面,在振动板中于俯视观察时与压力室重叠的振动区域中,内含振动区域的最小的长方形的短轴方向上的振动板的泊松比被包含在,超过晶面内的泊松比的平均值且在最大值以下的范围内。
-
公开(公告)号:CN108928125A
公开(公告)日:2018-12-04
申请号:CN201810338603.0
申请日:2018-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/14
Abstract: 本发明可在抑制裂纹的产生的同时,提高位移效率。本发明的压电器件具备:压力室;压电元件;振动板,其被配置在压力室与压电元件之间,振动板具有单晶硅基材的晶面{100},压电元件以在俯视观察时与压力室的内周重叠的方式被配置在振动板上,并在俯视观察时夹着压力室的内周而在压力室的中心侧处具有内边缘,在压电元件的内边缘的形状中,在俯视观察时内含内边缘的最小的第一矩形中,在第一矩形的各边的中央部处内边缘与边相比位于内侧,在压力室的内周的形状中,在俯视观察时内含内周的最小的第二矩形中,在第二矩形的各边的中央部处内周与边相比位于内侧,第一矩形与第二矩形中的一边的方向沿着晶面内的晶体取向<010>。
-
-
-
-
-
-
-
-
-