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公开(公告)号：CN104517982B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201410493747.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 索尼公司
Inventor： 冈治
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供了固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法以及电子设备。固态摄像装置包括摄像像素和焦点检测像素，摄像像素，其包括微透镜以及用于接收从所述微透镜入射的光的光电转换单元；以及焦点检测像素，其包括所述微透镜、所述光电转换单元以及用于遮挡入射到所述光电转换单元上的部分光的遮光单元，其中，所述微透镜一致地形成在所述摄像像素和所述焦点检测像素中，并且所述焦点检测像素还包括形成在所述微透镜的下层的高折射率膜，或者所述焦点检测像素还包括形成在所述微透镜的下层的高折射率膜，亦或者所述摄像像素还包括形成在所述微透镜的下层的波导。能够简化微透镜的形成工艺，并且优化摄像像素的灵敏度以及焦点检测像素的分离特性。
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公开(公告)号：CN105191285B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201480026086.3
申请日：2014-05-27
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/232 , H04N5/369 , H01L27/146 , G02B7/34
CPC classification number: H04N5/3696 , G02B7/346 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H04N5/23212 , H04N9/045 , H04N13/128 , H04N2005/2255
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件，其包括像素区域，所述像素区域包括以二维矩阵图案布置着的多个像素。所述多个像素之中的一些像素被构造为相位差检测像素，所述相位差检测像素包括光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被设置于半导体基板上，所述遮光膜被设置于所述光电转换部的一部分的上方。特别地，所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置随着所述相位差检测像素的位置不同而有所不同。例如，位于所述像素区域的外围部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置不同于位于所述像素区域的中心部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104517982A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410493747.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 索尼公司
Inventor： 冈治
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供了固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法以及电子设备。固态摄像装置包括摄像像素和焦点检测像素，摄像像素，其包括微透镜以及用于接收从所述微透镜入射的光的光电转换单元；以及焦点检测像素，其包括所述微透镜、所述光电转换单元以及用于遮挡入射到所述光电转换单元上的部分光的遮光单元，其中，所述微透镜一致地形成在所述摄像像素和所述焦点检测像素中，并且所述焦点检测像素还包括形成在所述微透镜的下层的高折射率膜，或者所述焦点检测像素还包括形成在所述微透镜的下层的高折射率膜，亦或者所述摄像像素还包括形成在所述微透镜的下层的波导。能够简化微透镜的形成工艺，并且优化摄像像素的灵敏度以及焦点检测像素的分离特性。
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公开(公告)号：CN103367374A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310100293.6
申请日：2013-03-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14634 , H01L27/14687 , H01L27/1469
Abstract: 本发明公开了固体摄像装置及其制造方法、电子设备以及半导体器件的制造装置和方法。所述固体摄像装置包括：具有传感器侧半导体层和传感器侧配线层的传感器基板，传感器侧半导体层包含设置有光电转换部的像素区域，传感器侧配线层设置于与传感器侧半导体层的光接收表面相反的表面侧；具有电路侧半导体层和电路侧配线层的电路基板，其设置于传感器基板的传感器侧配线层侧；连接单元区域，其中设置有具有第一贯穿电极、第二贯穿电极及连接电极的连接部，连接电极将第一贯穿电极与第二贯穿电极连接起来；以及具有台阶部的绝缘层，连接电极埋入在绝缘层内，绝缘层的膜厚度从连接单元区域到像素区域逐渐减小。本发明能够提高光接收特性和图像质量。
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公开(公告)号：CN103367374B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201310100293.6
申请日：2013-03-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14634 , H01L27/14687 , H01L27/1469
Abstract: 本发明公开了固体摄像装置及其制造方法、电子设备以及半导体器件的制造装置和方法。所述固体摄像装置包括：具有传感器侧半导体层和传感器侧配线层的传感器基板，传感器侧半导体层包含设置有光电转换部的像素区域，传感器侧配线层设置于与传感器侧半导体层的光接收表面相反的表面侧；具有电路侧半导体层和电路侧配线层的电路基板，其设置于传感器基板的传感器侧配线层侧；连接单元区域，其中设置有具有第一贯穿电极、第二贯穿电极及连接电极的连接部，连接电极将第一贯穿电极与第二贯穿电极连接起来；以及具有台阶部的绝缘层，连接电极埋入在绝缘层内，绝缘层的膜厚度从连接单元区域到像素区域逐渐减小。本发明能够提高光接收特性和图像质量。
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公开(公告)号：CN105191285A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480026086.3
申请日：2014-05-27
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/232 , H04N5/369 , H01L27/146 , G02B7/34
CPC classification number: H04N5/3696 , G02B7/346 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H04N5/23212 , H04N9/045 , H04N13/128 , H04N2005/2255
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件，其包括像素区域，所述像素区域包括以二维矩阵图案布置着的多个像素。所述多个像素之中的一些像素被构造为相位差检测像素，所述相位差检测像素包括光电转换部和遮光膜，所述光电转换部被设置于半导体基板上，所述遮光膜被设置于所述光电转换部的一部分的上方。特别地，所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置随着所述相位差检测像素的位置不同而有所不同。例如，位于所述像素区域的外围部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置不同于位于所述像素区域的中心部处的所述相位差检测像素的所述遮光膜的位置。
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公开(公告)号：CN103311257A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310058701.6
申请日：2013-02-25
Applicant: 索尼公司
Inventor： 冈治
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L25/50 , H01L27/1446 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/1469 , H01L31/02 , H01L2924/0002 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件和一种相机系统。所述固体摄像器件包括晶圆，在所述晶圆中：在层叠于第一导电型基板上的绝缘膜中形成有具有导电性的保护环，所述保护环处于划切线区域与层叠式芯片的第一芯片和第二芯片中的至少所述第一芯片的边缘部之间；在所述第一导电型基板中，在与所述保护环相对应的区域内以一定的间隔形成有至少两个第二导电型层；并且所述保护环包括第一保护环部和第二保护环部，所述第一保护环部与位于芯片边缘部侧的一个所述第二导电型层连接，所述第二保护环部与位于划切线侧的另一个所述第二导电型层连接。根据本发明，能够防止层叠起来的两个基板之间的漏电的影响并由此抑制对配送之前的测量的影响。
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