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公开(公告)号：CN113097240B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202110188871.0
申请日：2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN104064574B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201410095150.5
申请日：2014-03-14
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN103247603B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201310049242.5
申请日：2013-02-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05562 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/081 , H01L2224/08147 , H01L2224/08501 , H01L2224/09181 , H01L2224/32146 , H01L2224/32501 , H01L2224/80895 , H01L2224/83895 , H01L2225/06524 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01073 , H01L2924/13091 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 提供半导体装置、制造半导体装置的方法以及电子设备。所提供的半导体装置包括半导体基板、形成在半导体基板上的层间绝缘层、形成在层间绝缘层的表面上的接合电极以及覆盖包括层间绝缘层和接合电极的接合表面的整个表面的金属膜。
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公开(公告)号：CN103367374B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201310100293.6
申请日：2013-03-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14634 , H01L27/14687 , H01L27/1469
Abstract: 本发明公开了固体摄像装置及其制造方法、电子设备以及半导体器件的制造装置和方法。所述固体摄像装置包括：具有传感器侧半导体层和传感器侧配线层的传感器基板，传感器侧半导体层包含设置有光电转换部的像素区域，传感器侧配线层设置于与传感器侧半导体层的光接收表面相反的表面侧；具有电路侧半导体层和电路侧配线层的电路基板，其设置于传感器基板的传感器侧配线层侧；连接单元区域，其中设置有具有第一贯穿电极、第二贯穿电极及连接电极的连接部，连接电极将第一贯穿电极与第二贯穿电极连接起来；以及具有台阶部的绝缘层，连接电极埋入在绝缘层内，绝缘层的膜厚度从连接单元区域到像素区域逐渐减小。本发明能够提高光接收特性和图像质量。
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公开(公告)号：CN104081526B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380006213.9
申请日：2013-01-18
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/307 , G02B3/0012 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14647 , H01L27/14685
Abstract: 一种用于制造光电转换器件的方法，包括：其中在具有两个相对表面的基板的第一表面侧上形成第一电极的步骤；其中在基板的第二表面上形成用于外部连接的电极部的步骤；以及其中在形成第一电极和电极部之后，在第一电极上形成有机光电转换层和第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103503122B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280021467.3
申请日：2012-05-16
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/00 , H01L27/00 , H01L27/14
CPC classification number: H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/522 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06133 , H01L2224/0616 , H01L2224/06517 , H01L2224/08123 , H01L2224/08147 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 第一半导体装置包括：第一配线层，它包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极，第一电极焊盘埋在第一层间绝缘膜内并且具有与第一层间绝缘膜的一个表面在同一面上的一个表面，和第一虚设电极埋在第一层间绝缘膜内，具有与第一层间绝缘膜的上述一个表面在同一面上的一个表面，并且在第一电极焊盘的周围配置；和第二配线层，它包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极，第二电极焊盘埋在第二层间绝缘膜内，具有与第二层间绝缘膜的一个表面在同一表面上的一个表面，并且与第一电极焊盘接合，和第二虚设电极具有与第二层间绝缘膜的更靠近第一层间绝缘膜的表面在同一面上的一个表面，在第二电极焊盘的周围配置，并且与第一虚设电极接合。第二半导体装置包括：包括第一电极的第一半导体部，第一电极在更靠近接合界面的表面上形成并在第一方向上延伸；和包括第二电极并被配置成在所述接合界面处与第一半导体部贴合的第二半导体部，第二电极与第一电极接合并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN103972265A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043330.9
申请日：2014-01-29
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/5284 , G02B1/118 , H01L27/322 , H01L51/524 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明公开了显示装置、显示装置的制造方法和电子装置，该显示装置包括：第一基板上的多个发光元件；以及，防反射件，用于防止来自第一基板侧的光在与每个发光元件对应的像素区域内的界限部分反射，所述防反射件位于第二基板侧，第二基板朝向第一基板。
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公开(公告)号：CN103247603A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310049242.5
申请日：2013-02-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05562 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/081 , H01L2224/08147 , H01L2224/08501 , H01L2224/09181 , H01L2224/32146 , H01L2224/32501 , H01L2224/80895 , H01L2224/83895 , H01L2225/06524 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01073 , H01L2924/13091 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 提供半导体装置、制造半导体装置的方法以及电子设备。所提供的半导体装置包括半导体基板、形成在半导体基板上的层间绝缘层、形成在层间绝缘层的表面上的接合电极以及覆盖包括层间绝缘层和接合电极的接合表面的整个表面的金属膜。
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公开(公告)号：CN109360833B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201811091131.X
申请日：2013-06-11
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N23/55 , H04N23/73
Abstract: 本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者，本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板，该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层，第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极，第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层，第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上，第一连接电极和第二连接电极彼此接合，并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。
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公开(公告)号：CN105580136B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201480053552.7
申请日：2014-09-19
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
Abstract: 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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