公开(公告)号：CN101673749A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910170542.2

申请日：2009-09-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 押山到 ,  宫波勇树 ,  桧山晋 ,  田中和树

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上。

公开(公告)号：CN102522413A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110434273.3

申请日：2009-09-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 押山到 ,  宫波勇树 ,  桧山晋 ,  田中和树

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上并覆盖所述传感器，其中所述氧化物绝缘膜被设置作为具有固定负电荷的负电荷累积层，并且所述氧化物绝缘膜使用金属氧化物构成。

公开(公告)号：CN101673749B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200910170542.2

申请日：2009-09-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 押山到 ,  宫波勇树 ,  桧山晋 ,  田中和树

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上。

公开(公告)号：CN102522413B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201110434273.3

申请日：2009-09-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 押山到 ,  宫波勇树 ,  桧山晋 ,  田中和树

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上并覆盖所述传感器，其中所述氧化物绝缘膜被设置作为具有固定负电荷的负电荷累积层，并且所述氧化物绝缘膜使用金属氧化物构成。

公开(公告)号：CN101064257A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710101065.5

申请日：2007-04-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 宫波勇树

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件。所述方法包括：在硅衬底上方形成栅电极的第一步骤，并具有栅绝缘膜；通过采用栅电极作为掩模进行的蚀刻来下挖硅衬底的表面层的第二步骤；和在硅衬底的下挖部分的表面上外延生长混晶层的第三步骤，该混晶层包括硅和与硅在晶格常数上不同的原子，从而混晶层包含一种具有如此浓度梯度的杂质，从而杂质浓度沿从硅衬底侧向混晶层的表面的方向增加。