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公开(公告)号：CN101409301B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200810161899.X
申请日：2008-10-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , H04N5/225
Abstract: 本发明公开了一种具有执行入射光的光电转换的感光部的固态成像装置及其制造方法和成像装置，该固态成像装置包括：形成在所述感光部的光接收面上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的具有负电荷的层；以及形成在所述感光部的所述光接收面上的空穴聚集层。利用本发明的固态成像装置，因为暗电流能够被抑制，所以成像图像中的噪声能够被减小。结果，具有能够获得高质量图像的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101673749A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910170542.2
申请日：2009-09-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/316
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/1463
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上。
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公开(公告)号：CN102522413B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201110434273.3
申请日：2009-09-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/1463
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上并覆盖所述传感器，其中所述氧化物绝缘膜被设置作为具有固定负电荷的负电荷累积层，并且所述氧化物绝缘膜使用金属氧化物构成。
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公开(公告)号：CN102522413A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110434273.3
申请日：2009-09-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/1463
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上并覆盖所述传感器，其中所述氧化物绝缘膜被设置作为具有固定负电荷的负电荷累积层，并且所述氧化物绝缘膜使用金属氧化物构成。
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公开(公告)号：CN101673749B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910170542.2
申请日：2009-09-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/316
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/1463
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上。
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公开(公告)号：CN101409301A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810161899.X
申请日：2008-10-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , H04N5/225
Abstract: 本发明公开了一种具有执行入射光的光电转换的感光部的固态成像装置及其制造方法和成像装置，该固态成像装置包括：形成在所述感光部的光接收面上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的具有负电荷的层；以及形成在所述感光部的所述光接收面上的空穴聚集层。利用本发明的固态成像装置，因为暗电流能够被抑制，所以成像图像中的噪声能够被减小。结果，具有能够获得高质量图像的优势。
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