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公开(公告)号：CN103050501B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210551421.4
申请日：2007-02-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H04N5/374 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/022466 , H01L31/022475
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。
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公开(公告)号：CN102184932A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110121438.1
申请日：2008-12-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/361
Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。
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公开(公告)号：CN101471368B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810187316.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/335 , H04N5/359 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14818 , H01L27/14868
Abstract: 一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离。
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公开(公告)号：CN102522413B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201110434273.3
申请日：2009-09-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/1463
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上并覆盖所述传感器，其中所述氧化物绝缘膜被设置作为具有固定负电荷的负电荷累积层，并且所述氧化物绝缘膜使用金属氧化物构成。
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公开(公告)号：CN102184932B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110121438.1
申请日：2008-12-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/361
Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103390627A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310232383.0
申请日：2007-02-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/022466 , H01L31/022475
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。
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公开(公告)号：CN101079967B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200710128250.3
申请日：2007-02-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。
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公开(公告)号：CN101409301B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200810161899.X
申请日：2008-10-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , H04N5/225
Abstract: 本发明公开了一种具有执行入射光的光电转换的感光部的固态成像装置及其制造方法和成像装置，该固态成像装置包括：形成在所述感光部的光接收面上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的具有负电荷的层；以及形成在所述感光部的所述光接收面上的空穴聚集层。利用本发明的固态成像装置，因为暗电流能够被抑制，所以成像图像中的噪声能够被减小。结果，具有能够获得高质量图像的优势。
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公开(公告)号：CN102214671A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110156826.3
申请日：2009-02-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置制造方法，在所述固体摄像装置中，在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部，并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层，所述方法包括以下步骤：在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜；形成金属膜，使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜；以及在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理，从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物，所述氧化物用作所述负电荷累积层。本发明能够只在电荷生成部的检测面上方形成氧化物绝缘膜并使其用作负电荷累积层，因而抑制由界面态引起的暗电流分量。
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公开(公告)号：CN102214671B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110156826.3
申请日：2009-02-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置制造方法，在所述固体摄像装置中，在基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部，并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层，所述方法包括以下步骤：在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜。本发明能够减小由界面态引起的暗电流。
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