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公开(公告)号：CN103050501B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210551421.4
申请日：2007-02-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H04N5/374 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/022466 , H01L31/022475
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。
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公开(公告)号：CN102184932A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110121438.1
申请日：2008-12-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/361
Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。
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公开(公告)号：CN101471368B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810187316.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/335 , H04N5/359 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14818 , H01L27/14868
Abstract: 一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离。
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公开(公告)号：CN101740590A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910208383.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法和成像设备。固态成像器件包括：被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷的光电转换部；被设在半导体衬底上并且将从光电转换部读出的信号电荷转换成电压的像素晶体管部；和被设在半导体衬底上并且将光电转换部与设有像素晶体管部的活性区分隔开的元件隔离区。像素晶体管部包括多个晶体管。在这些晶体管中，在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向光电转换部的晶体管中，栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在活性区内且活性区上。
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公开(公告)号：CN103700681B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201310737987.0
申请日：2007-08-20
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置（1）包括对入射光进行光电转换的光接收部分（12）。该固态成像装置（1）具有形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上以降低界面态的膜（21），以及形成在形成为降低界面态的膜（21）上且具有固定负电荷的膜（22）。空穴积聚层（23）形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103390627B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310232383.0
申请日：2007-02-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/022466 , H01L31/022475
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。
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公开(公告)号：CN102254926B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110226436.9
申请日：2007-08-20
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14818 , H01L27/14868
Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。
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公开(公告)号：CN102324431B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110304563.6
申请日：2007-08-20
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14818 , H01L27/14868
Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。
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公开(公告)号：CN103050501A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210551421.4
申请日：2007-02-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224 , H04N5/374 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/022466 , H01L31/022475
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。
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公开(公告)号：CN102324431A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110304563.6
申请日：2007-08-20
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14818 , H01L27/14868
Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。
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