公开(公告)号：CN100485967C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610051497.5

申请日：2006-02-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口晋平 ,  田井香织 ,  平野智之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其包括在半导体衬底的上侧具有栅电极的场效应晶体管，在所述半导体衬底和所述栅电极之间具有栅极绝缘膜，其中，至少所述栅电极的栅极绝缘膜一侧包括含有铪和硅的膜。

公开(公告)号：CN101540286A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910118140.8

申请日：2009-03-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口晋平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置制造方法，所述制造方法包括如下步骤：在内部形成有源极区域的半导体基板上形成带有掩模开口的硬掩模层；在所述掩模开口的侧壁上形成侧壁层掩模；使用所述侧壁层掩模和所述硬掩模层作为掩模，形成沟槽并使所述沟槽到达所述源极区域；除去所述侧壁层掩模；在所述掩模开口和所述沟槽的内部形成栅极电极，且在所述栅极电极的下面设有栅极绝缘膜；在所述栅极电极的侧壁上形成侧壁层；以及在接近所述栅极电极的所述半导体基板的表面上形成漏极区域。本方法能够利用相对于沟槽的自对准方法来形成延伸部分，产生防止纵向晶体管特性变化的效果，并因此产生提高产量的效果。本方法不需要使用会损坏沟道的热磷酸进行的湿式蚀刻操作。

公开(公告)号：CN1832199A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610051497.5

申请日：2006-02-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口晋平 ,  田井香织 ,  平野智之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28044 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其包括在半导体衬底的上侧具有栅电极的场效应晶体管，在所述半导体衬底和所述栅电极之间具有栅极绝缘膜，其中，至少所述栅电极的栅极绝缘膜一侧包括含有铪和硅的膜。