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公开(公告)号：CN1779848A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510107038.X
申请日：2005-09-27
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11C11/22 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2213/79
摘要： 本发明提出了一种存储器件，它包括：沿着行方向排列的源线；沿着列方向排列的位线；在源线和位线的相交处布置的存储元件；与位线的一端连接并且向所述位线施加预定电压的写电路；以及连接到离位线的另一端最近的存储元件的电压调整电路；其中，所述电压调整电路将被施加到离所述位线的所述另一端最近的存储元件的电压与设置电压相比较，由此调整所述写电路向位线施加的电压。
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公开(公告)号：CN100524510C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510114006.2
申请日：2005-10-13
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/79
摘要： 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
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公开(公告)号：CN1779848B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510107038.X
申请日：2005-09-27
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11C11/22 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2213/79
摘要： 本发明提出了一种存储器件，它包括：沿着行方向排列的源线；沿着列方向排列的位线；在源线和位线的相交处布置的存储元件；与位线的一端连接并且向所述位线施加预定电压的写电路；以及连接到离位线的另一端最近的存储元件的电压调整电路；其中，所述电压调整电路将被施加到离所述位线的所述另一端最近的存储元件的电压与设置电压相比较，由此调整所述写电路向位线施加的电压。
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公开(公告)号：CN1779851A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510114006.2
申请日：2005-10-13
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/79
摘要： 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
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