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公开(公告)号：CN105304125B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201510213938.6
申请日：2015-04-29
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0057 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078
摘要： 本发明描述了用于提高电阻式存储器能量效率和可靠性的装置和方法。装置可以包括耦合到导电线路的电阻式存储器单元。装置还可以包括耦合到导电线路的驱动器，其用于在写入操作期间驱动用于电阻式存储器单元的电流。可以在写入操作期间在两个或更多时间段内选择性地增大驱动器的电阻，以检测导电线路上的电压变化。在检测到电压变化时，可以关断用于写入操作的电流以提高电阻式存储器能量效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN105122371B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201480021442.2
申请日：2014-02-19
申请人： 美光科技公司
发明人： 布伦特·基斯 , 杜莱·维莎卡·尼尔摩·拉玛斯瓦米 , 古尔特杰·S·桑胡 , 亚当·D·琼森 , 史考特·E·西利士 , 亚历山德罗·卡德罗尼
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0021 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0071 , G11C2013/0076 , G11C2013/0083 , H01L22/14
摘要： 本发明描述形成存储器单元的设备及方法。在此一种方法中，监测施加到例如电阻式RAM RRAM存储器单元的一个存储器单元的形成电荷以确定形成所述单元的进度。如果所述单元正过于缓慢地消耗电荷，那么可施加较高电压。如果所述单元正过于快速地消耗电荷，那么可施加较低电压。可通过将电容器充电到特定电平，接着监测所述电容器通过所述单元的放电速率来监测所述电荷。所述监测可使用比较器来测量所述电荷。所述监测也可使用模/数转换器来执行所述监测。
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公开(公告)号：CN106992248A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610246584.X
申请日：2016-04-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2213/52 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1633 , G11C11/14
摘要： 本发明提供了一种存储装置与电阻式存储单元的操作方法。该存储装置包括电阻式存储单元。该电阻式存储单元包括第一电极、第二电极及存储膜。该存储膜在第一电极与第二电极之间。第一电极包括底电极部分与从底电极部分向上延伸的壁电极部分。壁电极部分在存储膜与底电极部分之间。壁电极部分与存储膜的宽度是小于底电极部分的宽度。
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公开(公告)号：CN106373606A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510669711.2
申请日：2015-10-13
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092
摘要： 本发明提供一种电阻式存储器装置及其写入方法，包括：接收逻辑数据，并且选择电阻式存储单元；判断逻辑数据的逻辑准位；当逻辑数据为第一逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第一读取电流大于第一参考电流，在写入期间，提供设定脉冲以及重置脉冲至电阻式存储单元；以及当逻辑数据为第二逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第二读取电流小于第二参考电流，在写入期间，提供重置脉冲至电阻式存储单元。重置脉冲及设定脉冲的极性相反。另外，一种电阻式存储器装置也被提出。本发明提供的电阻式存储器装置，可正确地写入数据。
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公开(公告)号：CN105122371A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480021442.2
申请日：2014-02-19
申请人： 美光科技公司
发明人： 布伦特·基斯 , 杜莱·维莎卡·尼尔摩·拉玛斯瓦米 , 古尔特杰·S·桑胡 , 亚当·D·琼森 , 史考特·E·西利士 , 亚历山德罗·卡德罗尼
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0021 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0071 , G11C2013/0076 , G11C2013/0083 , H01L22/14
摘要： 本发明描述形成存储器单元的设备及方法。在此一种方法中，监测施加到例如电阻式RAM RRAM存储器单元的一个存储器单元的形成电荷以确定形成所述单元的进度。如果所述单元正过于缓慢地消耗电荷，那么可施加较高电压。如果所述单元正过于快速地消耗电荷，那么可施加较低电压。可通过将电容器充电到特定电平，接着监测所述电容器通过所述单元的放电速率来监测所述电荷。所述监测可使用比较器来测量所述电荷。所述监测也可使用模/数转换器来执行所述监测。
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公开(公告)号：CN104882161A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072234.7
申请日：2014-02-28
申请人： 复旦大学
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种电阻型随机读取存储器及其写操作方法，属于电阻型随机读取存储器(ReRAM)技术领域。该电阻型随机读取存储器，其包括至少用于生成电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号的写操作信号生成模块；该写操作方法的置位操作中，将电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号偏置于所述电阻型随机读取存储器中的被选中的存储单元。该置位操作方法可以提高ReRAM的耐久性(Endurance)、数据保持能力(Data Retention)和高阻值/低阻值窗口等方面的存储性能。
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公开(公告)号：CN104681083A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410535382.8
申请日：2009-09-23
申请人： 桑迪士克3D有限责任公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H03K5/1532
摘要： 一种用于检测在存储器件中的可逆电阻转换元件的重置过程的装置，包括：运算放大器1004，1220，斜坡上升的电压被输入到运算放大器的第一输入端子1021，1253；位线1025，1227，其耦接到可逆电阻转换元件1020，1022，1024；1254，1256，1258，运算放大器在位线中生成电压Vbl，该电压Vbl对应于斜坡上升的电压而增加直到位线中的电压达到足够将电阻转换元件的电阻转换到更高级别的电平；感测线1011，1213；以及峰值检测器1014，1241，耦接到感测线，当可逆电阻转换元件的电阻转换到更高级别时，峰值检测器进行检测。
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公开(公告)号：CN107068179A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611039863.5
申请日：2016-11-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1697 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C29/52 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2029/0409
摘要： 本发明涉及一种电路，所述电路用于对具有可编程电阻的存储器单元进行编程，所述电路包含开关。所述电路经配置以当所述开关处于第一状态中时将编程电压施加于所述存储器单元。所述电路经配置以当所述开关处于第二状态中时将编程电流施加于所述存储器单元。所述存储器单元的所述电阻基于将所述编程电压或所述编程电流施加于所述存储器单元而从第一电阻状态变为第二电阻状态。
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公开(公告)号：CN104882161B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410072234.7
申请日：2014-02-28
申请人： 复旦大学
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种电阻型随机读取存储器及其写操作方法，属于电阻型随机读取存储器(ReRAM)技术领域。该电阻型随机读取存储器，其包括至少用于生成电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号的写操作信号生成模块；该写操作方法的置位操作中，将电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号偏置于所述电阻型随机读取存储器中的被选中的存储单元。该置位操作方法可以提高ReRAM的耐久性(Endurance)、数据保持能力(Data Retention)和高阻值/低阻值窗口等方面的存储性能。
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公开(公告)号：CN106875973A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610146048.2
申请日：2016-03-15
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0042 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2013/0071 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
摘要： 本发明公开了一种存储装置，包括：一可编程电阻式存储单元阵列；一差动放大器，耦接至可编程电阻式存储单元阵列，其中差动放大器感测一位线上的一第一电压及一参考电压之间的一电压差，并响应于电压差提供一反馈信号，其中位线耦接至一存储单元。控制电路耦接至可编程电阻式存储单元阵列及差动放大器，执行一编程操作，以改变存储单元的一第一电阻值状态为一第二电阻值状态，编程操作包含：针对该参考电压选择相关于该第二电阻值状态的一电压电平；导通电流电路以施加编程电流的一编程脉冲至存储单元；及致能差动放大器；其中电流电路响应于反馈信号截止编程电流。
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