公开(公告)号：CN101345244B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200810133183.9

申请日：2008-07-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 王俊利 ,  平野智之 ,  片冈豊隆 ,  萩本贤哉

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其包括：在半导体基板上形成的第一组晶体管；以及在所述半导体基板上形成的第二组晶体管，所述第二组中每个晶体管的工作电压低于所述第一组中每个晶体管的工作电压；其中，所述第一组中的每个晶体管包括隔着第一栅绝缘膜在所述半导体基板上形成的第一栅电极和在所述第一栅电极上形成的硅化物层；所述第二组中的每个晶体管包括隔着第二栅绝缘膜在形成于所述半导体基板上面的绝缘膜中的栅形成用沟槽内形成的第二栅电极；并且，形成有保护膜，且所述保护膜仅在形成有所述第一组晶体管的第一区域中从而覆盖住所述第一组晶体管的每个第一栅电极上的所述硅化物层。

公开(公告)号：CN101345244A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810133183.9

申请日：2008-07-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 王俊利 ,  平野智之 ,  片冈豊隆 ,  萩本贤哉

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其包括：在半导体基板上形成的第一组晶体管；以及在所述半导体基板上形成的第二组晶体管，所述第二组中每个晶体管的工作电压低于所述第一组中每个晶体管的工作电压；其中，所述第一组中的每个晶体管包括经过第一栅绝缘膜在所述半导体基板上形成的第一栅电极和在所述第一栅电极上形成的硅化物层；所述第二组中的每个晶体管包括经过第二栅绝缘膜在形成于所述半导体基板上面的绝缘膜中的栅形成用沟槽内形成的第二栅电极；并且，形成有保护膜使其覆盖住所述第一组晶体管的每个第一栅电极上的所述硅化物层。