公开(公告)号：CN113678240B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202080025046.2

申请日：2020-03-25

申请人： 索泰克公司

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  布鲁诺·吉瑟兰

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及将块从供体衬底转移到受体衬底的方法，该方法包括以下步骤：‑布置面向供体衬底的自由表面的掩模，掩模具有使供体衬底的自由表面暴露的一个或更多个开口，这些开口根据确定的图案分布，以便形成供体衬底的自由表面的至少一个暴露区域以及由掩模覆盖的至少一个区域，‑通过穿过掩模的离子植入形成弱化面，该弱化面在供体衬底中与至少一个暴露区域竖向对齐地定位，该弱化面在供体衬底的厚度中界定相应表面区域，‑形成块，块相对于供体衬底的与各个相应弱化面竖向对齐地定位的自由表面凸起，块包括相应表面区域，‑在已去除掩模后，借助位于结合界面处的各个块将供体衬底结合到受体衬底。

公开(公告)号：CN115777080A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202180045734.X

申请日：2021-06-22

申请人： 索泰克公司

发明人： C·西安卡勒波尔 ,  布鲁诺·吉瑟兰 ,  A·德尔皮 ,  C·卡伊勒 ,  D·赫里森 ,  阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯

IPC分类号： G02F1/01

摘要： 本发明涉及一种制造热光组件的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供SOI基板，该SOI基板包括：‑表面层，其由单晶硅制成、在主平面中延伸并且被放置在介电层上，该介电层本身被放置在由硅制成的载体上，以及‑至少一个掩埋腔，其被形成在载体中并且在介电层下方敞开，然后，b)形成在主平面中延伸并且包括芯的光波导，所述芯被形成在表面层中并且被包括介电层的光封闭层包围，c)在光波导上制备至少一个加热元件，所述加热元件在主平面中定位成在竖直方向上位于光波导的区段的正上方，或者位于所述区段的任一侧，加热元件和光波导的区段定位成在竖直方向上位于至少一个掩埋腔的正上方。

公开(公告)号：CN108028222B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201680053949.5

申请日：2016-09-19

申请人： 索泰克公司

发明人： 布鲁诺·吉瑟兰

IPC分类号： H01L21/762 ,  C30B25/18 ,  C30B33/06 ,  H01S5/02

摘要： 本发明涉及一种转移方法，该转移方法包括以下步骤：a、提供中间基板(10)，该中间基板(10)在其一个表面上包括多个块(20)，所述块(20)由单晶材料制成，所述块(20)包括脆化区域(50)，该脆化区域(50)限定旨在用于被转移到最终基板(60)上的块部分(70)；b、通过使块(20)中的每个的自由表面(40)接触所述最终基板(60)来执行组装步骤；以及c、在该组装步骤之后，在块(20)中的每个的脆化区域(50)处执行分离；该转移方法的特征在于，在该组装步骤期间，该中间基板(10)变形，使得所述块(20)的自由表面变为共面的。

公开(公告)号：CN107161944B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201710256317.5

申请日：2017-03-07

申请人： 索泰克公司

发明人： 布鲁诺·吉瑟兰

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 本发明涉及一种用于制备结构的方法，该包括：a)提供包括正面和背面的供体衬底；b)提供支撑衬底；c)在供体衬底的正面上或者在支撑衬底上形成中间层；d)组装供体衬底和支撑衬底，以便将中间层设置在供体衬底和支撑衬底之间；e)减薄供体衬底的背面，以便形成具有有用厚度的有用层，有用层具有设置在中间层上的第一面和第二自由面；所述方法的卓越之处在于：供体衬底包括埋入停止层和在供体衬底的正面与停止层之间的具有第一厚度的精细有源层，该第一厚度小于有用厚度；在步骤e)之后，所述方法包括去除结构的第一区域内的由有用层的第二自由面和停止层界定的厚有源层。

公开(公告)号：CN113228319A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980084414.8

申请日：2019-12-12

申请人： 索泰克公司

发明人： 布鲁诺·吉瑟兰

IPC分类号： H01L41/312

摘要： 本发明涉及一种将表面层(10)转移到包含腔(23)的载体基底(20)的方法，所述方法包括：‑提供供体基底，‑提供具有第一面并且包括腔(23)的载体基底(20)，每个腔在所述第一面处开口并且具有底部和周壁，‑在所述腔(23)的至少一者中创建至少一个临时柱状物(30)，所述柱状物(30)具有与载体a基底(20)的第一面共面的上表面，‑在所述载体基底的所述第一面处接合所述供体基底和所述载体基底(20)，‑减薄所述供体基底，以形成所述表面层(10)，‑移除所述至少一个临时柱状物(30)。

公开(公告)号：CN111918986A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980021417.7

申请日：2019-03-26

申请人： 索泰克公司

发明人： 布鲁诺·吉瑟兰

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/22 ,  H01L21/762 ,  C30B33/06

摘要： 一种用于生产PZT材料的结晶层的方法，其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述PZT材料的结晶层。

公开(公告)号：CN111902572A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980021529.2

申请日：2019-03-26

申请人： 索泰克公司

发明人： 布鲁诺·吉瑟兰

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/30 ,  C30B33/06 ,  H01L21/762

摘要： 一种用于生产LNO材料的单晶层的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述LNO材料的单晶层。

公开(公告)号：CN104247047A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380016818.6

申请日：2013-03-13

申请人： 索泰克公司

发明人： 布鲁诺·吉瑟兰 ,  尚塔尔·艾尔纳 ,  F·迪姆罗特 ,  A·W·贝特

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0304 ,  C30B33/06 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/62

CPC分类号： H01L31/0725 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种制造多结太阳能电池装置的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一加工基板；提供第二基板；在所述第一加工基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以得到第一晶圆结构；在所述第二基板上形成至少一个第二太阳能电池层，以得到第二晶圆结构；将所述第一晶圆结构结合到所述第二晶圆结构；脱离所述第一加工基板；去除所述第二基板；将第三基板结合到所述至少一个第一太阳能电池层。

公开(公告)号：CN103718315A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037186.7

申请日：2012-07-20

申请人： 索泰克公司

发明人： R·克劳斯 ,  布鲁诺·吉瑟兰

IPC分类号： H01L37/04 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0525 ,  H02S40/44

CPC分类号： H02N11/002 ,  H01F41/14 ,  H01L31/052 ,  H01L37/04 ,  H02S40/44 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/4902

摘要： 一种用于收割电力的余热收割设备（1000），包括切换装置（1200），该切换装置（1200）配置成在切换装置（1200）的温度越过预定温度时将磁场从第一区域输送到至少第二区域。

公开(公告)号：CN113226978A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980084624.7

申请日：2019-12-12

申请人： 索泰克公司

发明人： 布鲁诺·吉瑟兰

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明关注一种制造器件的方法，所述器件包括在有用腔上延伸的膜，所述方法包括：·提供通用结构，所述通用结构包括在主平面中延伸并被布置在支持基底的第一面上的表面层，所述支持基底包括在表面层下方开口的基本腔以及界定各个基本腔的隔离体，所述隔离体具有形成所述支持基底的第一面的全部或部分的上表面；·限定一组相邻的基本腔，使得所述一组基本腔的轮廓在所述主平面中对应于所述有用腔的轮廓；·移除位于所述一组基本腔的轮廓内的所述隔离体，以便形成所述有用腔，并且释放被布置在所述有用腔上方并形成所述膜的所述表面层。