公开(公告)号：CN118511677A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202380016396.6

申请日：2023-01-05

申请人： 索泰克公司

发明人： I·伯特兰 ,  D·贝尔哈切米 ,  迪迪埃·朗德吕 ,  D·吉罗德 ,  O·莫里

IPC分类号： H10N30/01 ,  H10N30/071 ,  H10N30/072 ,  H10N30/073 ,  H10N30/074 ,  H10N30/853

摘要： 本发明涉及一种对基板进行处理的方法，所述方法包括：对第一基板进行处理的步骤，该步骤包括在执行热处理的设备中执行的至少一个步骤，第一基板是由半导体材料或压电材料制成的基板；通过对去污基板特别是硅基板进行热处理来对执行热处理的设备进行去污的步骤；以及随后的对第二基板进行处理的步骤，该步骤包括在执行热处理的设备中执行的至少一个步骤，第一基板是由半导体材料或压电材料制成的基板。

公开(公告)号：CN111630653B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201980009405.2

申请日：2019-01-14

申请人： 索泰克公司

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  O·科农丘克 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  R·格林 ,  N·克伦贝特

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明涉及一种可分离结构(100)，所述可分离结构(100)包括载体衬底(10)和在第一界面(1)处位于所述衬底(10)上的硅氧化物层(20)。所述可分离结构(100)的特征在于：所述氧化物层(20)的厚度小于200nm；轻氢和/或氦物质(30)根据注入分布曲线(31)深入分布在所述结构(100)的整个区域上，所述注入分布曲线(31)的最大浓度位于所述氧化物层(20)的厚度中；相对于所述氧化物层(20)的厚度，注入的轻物质(30)的总剂量至少超过这些轻物质(30)在所述氧化物层(20)中的溶解度极限的五倍。

公开(公告)号：CN110770893B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201880041487.4

申请日：2018-06-21

申请人： 索泰克公司

发明人： I·于耶 ,  C·查尔斯-艾尔弗雷德 ,  迪迪埃·朗德吕 ,  亚历克西斯·德劳因

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 将包含第一材料的薄层(3)转移到包含第二材料的支撑衬底(7)上的方法，第一材料和第二材料具有不同的热膨胀系数。转移薄层(3)的方法包括：提供供体衬底(1)，该供体衬底由处置衬底(1b)以及通过第一材料形成的厚层(1a)的组装件构成，处置衬底(1b)的热膨胀系数与支撑衬底(7)的热膨胀系数相似，并且供体衬底(1)在厚层(1a)的一侧具有主面(4)；将轻物种引入厚层(1a)中以在里面产生脆化平面(2)，并且限定脆化平面(2)与供体衬底(1)的主面(4)之间的薄层个面(6)组装在一起；将薄层(3)从脆化平面(2)脱离，该脱离包括应用热处理。(3)；将供体衬底的主面(4)与支撑衬底(7)的一

公开(公告)号：CN109844922B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201780062463.2

申请日：2017-09-21

申请人： 索泰克公司

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  O·科农丘克

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明涉及竖炉，该竖炉包括：·腔室，该腔室旨在容纳装料柱(3)；·新鲜气体入口通道，该新鲜气体入口通道被定位在腔室的上端处，·装料柱(3)，该装料柱包括上部(3b)和用于支承多个基板的中部(3a)，该竖炉特征在于该竖炉还包括俘获装置(100)，该俘获装置由能够俘获存在于新鲜气体中的全部或一些污染物的至少一种材料形成；俘获装置(100)包括圆形部件(101)，该圆形部件被定位在装料柱(3)的上部(3b)上，圆形部件(101)包括规则分布在圆形部件(101)的上表面上的叶片(102)，以增大俘获装置(100)与新鲜气体的接触面积。

公开(公告)号：CN114512595A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210146142.3

申请日：2016-10-17

申请人： 索泰克公司

发明人： 帕斯卡·昆纳德 ,  I·拉杜 ,  迪迪埃·朗德吕 ,  E·德斯邦内特斯

IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/27

摘要： 本发明涉及一种复合结构及相关制造方法，所述复合结构是包括异质结构(5)的用于声波装置的复合结构(9)，其包括：具有第一面和第二面的压电材料的有用层(2)，第一面布置在支撑基材(1)上的第一结合界面处，所述支撑基材(1)具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数，复合结构(9)的特征在于，其包括功能层(6)，所述功能层(6)的整个表面布置在有用层(2)的第二面上的第二结合界面处并且具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN109564891A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049093.9

申请日：2017-08-01

申请人： 索泰克公司 ,  法国原子能和替代能源委员会

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  O·科农丘克 ,  F·马赞 ,  D·马西 ,  S·勒博 ,  F·里厄托尔

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种用于将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，该方法包括以下步骤：通过将轻核素注入到第一衬底(1)中来形成脆化平面(2)，以便在该平面与所述第一衬底(1)的表面之间形成有用层(3)；将所述支撑体(4)施加到所述第一衬底(1)的所述表面上以便形成待破裂组件(5)；脆化热处理所述待破裂组件(5)；引发破裂波并沿着所述脆化平面(3)将其传播到所述第一衬底(1)中。根据本发明，所述破裂波是在所述脆化平面(2)的中心区域中引发的，并且该波的传播速度被控制为具有足够的速度。因此，所述破裂波与在其引发和/或传播期间发出的声振动的相互作用被限制到所述有用层(3)的周边区域。

公开(公告)号：CN102842538B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201210209949.3

申请日：2012-06-19

申请人： 索泰克公司

发明人： 法布里斯·勒泰特 ,  迪迪埃·朗德吕

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明提供了一种用于采用暂时接合制造半导体结构的工艺。本发明涉及用于制造半导体结构的工艺，其特征在于包括下述步骤：提供（E1）包括晶种基板（1）和覆盖晶种基板（1）的弱化的牺牲层（2）的操作基板（1，2）；将操作基板（1，2）与载具基板（3）连接（E2）；可选地对载具基板（3）进行处理（E3）；在牺牲层（2）处分离（E4）操作基板以形成半导体结构；以及移除（E5）晶种基板（1）上存在的牺牲层（2）的任何残余。

公开(公告)号：CN105023876A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510177940.2

申请日：2015-04-15

申请人： 索泰克公司 ,  原子能和替代能源委员会

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  奥列格·科农丘克 ,  N·本穆罕默德 ,  D·马西 ,  F·马赞 ,  F·里厄托尔

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381

摘要： 本发明涉及一种转移有用层的方法，具体涉及将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，所述方法包括以下主要步骤：-以在脆化面(2)和第一基板(1)的表面之间形成有用层(3)的方式，通过在第一基板(1)中植入轻物质而形成脆化面(2)；-将支撑体(4)施加到第一基板(1)的表面上，以形成待断裂组件(5)，所述组件具有两个暴露侧(S1,S2)；-对所述待断裂的组件(5)进行热脆化处理；-沿着脆化面(2)在所述第一基板(1)中引发破裂波并且其自身维持传播。所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)中的至少一侧在接触区上方与吸收元件(6a,6b)紧密接触，所述吸收元件(6a,6b)适于捕获和耗散在破裂波的引发和/或传播过程中发出的声振动。

公开(公告)号：CN104737281A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380046479.6

申请日：2013-09-03

申请人： 索泰克公司

发明人： 迪迪埃·朗德吕

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： B26D3/28 ,  B26D7/0006 ,  B26D7/08 ,  B26D7/088 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67092 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1184 ,  Y10T156/1961 ,  Y10T156/1967

摘要： 本发明涉及用于在分离界面处分离由两个基板形成的结构的设备，该设备包括：支持部(1)；结构保持构件(2)，其安装在支持部(1)上；工具(3)，其用于分离两个基板，也安装在支持部(1)上，装置(4)，其用于移动分离工具(3)；和/或装置(5)其用于相对于支持部(1)移动保持构件(2)以使得分离工具(3)和保持构件(2)向彼此移动或远离彼此，优选的，分离工具(3)和保持构件(2)在有限的行进范围内移动。该设备的特征在于分离工具(3)包括前沿(30)，该前沿(30)在横截面上从其梢部顶部或其前边缘(323)向后具有延伸到展开部(33)中的锥形部(32)。本发明适用于可以用于电子设备，光学设备，光电设备和/或光伏设备的基板。

公开(公告)号：CN113678240B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202080025046.2

申请日：2020-03-25

申请人： 索泰克公司

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  布鲁诺·吉瑟兰

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及将块从供体衬底转移到受体衬底的方法，该方法包括以下步骤：‑布置面向供体衬底的自由表面的掩模，掩模具有使供体衬底的自由表面暴露的一个或更多个开口，这些开口根据确定的图案分布，以便形成供体衬底的自由表面的至少一个暴露区域以及由掩模覆盖的至少一个区域，‑通过穿过掩模的离子植入形成弱化面，该弱化面在供体衬底中与至少一个暴露区域竖向对齐地定位，该弱化面在供体衬底的厚度中界定相应表面区域，‑形成块，块相对于供体衬底的与各个相应弱化面竖向对齐地定位的自由表面凸起，块包括相应表面区域，‑在已去除掩模后，借助位于结合界面处的各个块将供体衬底结合到受体衬底。