公开(公告)号：CN101517769A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780027118.1

申请日：2007-07-16

申请人： 纳幕尔杜邦公司

发明人： G·D·安德鲁斯 ,  R·K·贝利 ,  G·B·布兰歇特 ,  J·V·卡斯帕 ,  J·W·卡特伦 ,  R·J·彻斯特菲尔德 ,  T·C·费尔德 ,  高峰 ,  H·D·格利克斯曼 ,  M·B·戈德芬格 ,  M·A·哈默 ,  G·D·贾科克斯 ,  L·K·约翰逊 ,  R·L·科伊泽彦 ,  D·E·基斯 ,  I·马拉乔维奇 ,  W·J·马沙尔 ,  E·F·麦科德 ,  C·N·麦埃文 ,  J·S·梅斯 ,  G·努涅斯 ,  R·S·施菲诺 ,  P·J·香农 ,  K·G·沙普 ,  N·G·塔西 ,  K·B·维歇尔

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0013 ,  H01L51/0545 ,  H05K1/097 ,  H05K3/046 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107 ,  Y10T428/24901

摘要： 本发明公开了热转移方法，其将纳米粒子层和相应的最近部分的载体层，以及任选的另外的转移层，一起在热成像受体上形成图形。本发明对于电子装置的干法制作是有用的。本发明另外的实施方案包括多层热成像供体，该供体包含依次成层的基体膜、载体层和纳米粒子层。该载体层可以是电介质层或者导电层。当载体层是电介质层时，基体膜包括染料或者颜料形式的光衰减剂。