公开(公告)号：CN101689426A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200780027303.0

申请日：2007-07-16

申请人： 纳幕尔杜邦公司

发明人： G·D·安德鲁斯 ,  R·K·贝利 ,  G·B·布兰彻特 ,  J·V·卡斯帕 ,  J·W·卡特伦 ,  R·J·彻斯特菲尔德 ,  F·高 ,  M·B·戈德芬格 ,  G·D·贾科克斯 ,  L·K·约翰逊 ,  I·马拉乔维奇 ,  W·J·马沙尔 ,  E·F·麦科德 ,  C·N·麦埃文 ,  J·S·梅斯 ,  G·努涅斯 ,  G·奥奈尔 ,  P·J·香农 ,  K·G·沙普 ,  K·B·维谢尔

IPC分类号： H01G4/14 ,  H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L51/00 ,  B41M5/382 ,  B41M5/26 ,  G02F1/1335

CPC分类号： H01L21/02118 ,  B41M5/38214 ,  B41M5/395 ,  B41M5/46 ,  B41M5/465 ,  B41M2205/06 ,  C08J7/123 ,  H01G4/18 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/312 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  Y10S430/106 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/31909 ,  Y10T428/31928

摘要： 本发明涉及可热成像介电层和包括介电层的热转移施主和受主。热转移施主可用于通过热转移具有优良电阻率、良好转移性质和对多种受主具有良好粘附性的介电层来制造电子器件。

公开(公告)号：CN101517769A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780027118.1

申请日：2007-07-16

申请人： 纳幕尔杜邦公司

发明人： G·D·安德鲁斯 ,  R·K·贝利 ,  G·B·布兰歇特 ,  J·V·卡斯帕 ,  J·W·卡特伦 ,  R·J·彻斯特菲尔德 ,  T·C·费尔德 ,  高峰 ,  H·D·格利克斯曼 ,  M·B·戈德芬格 ,  M·A·哈默 ,  G·D·贾科克斯 ,  L·K·约翰逊 ,  R·L·科伊泽彦 ,  D·E·基斯 ,  I·马拉乔维奇 ,  W·J·马沙尔 ,  E·F·麦科德 ,  C·N·麦埃文 ,  J·S·梅斯 ,  G·努涅斯 ,  R·S·施菲诺 ,  P·J·香农 ,  K·G·沙普 ,  N·G·塔西 ,  K·B·维歇尔

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0013 ,  H01L51/0545 ,  H05K1/097 ,  H05K3/046 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/107 ,  Y10T428/24901

摘要： 本发明公开了热转移方法，其将纳米粒子层和相应的最近部分的载体层，以及任选的另外的转移层，一起在热成像受体上形成图形。本发明对于电子装置的干法制作是有用的。本发明另外的实施方案包括多层热成像供体，该供体包含依次成层的基体膜、载体层和纳米粒子层。该载体层可以是电介质层或者导电层。当载体层是电介质层时，基体膜包括染料或者颜料形式的光衰减剂。