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公开(公告)号：CN102164847A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137768.0
申请日：2009-09-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , H01L24/94 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间建立间隔的、导电的并且优选气密的连接的接触装置（3a，3b），其中接触装置（3a，3b）包括电连接接触部（30）、在连接接触部（30）上的钝化层（31）和设置在钝化层（31）上的介电间隔层（32），并且其中接触装置（3a，3b）至少设置在晶片（1，4）之一上。该接触装置的特征在于，接触装置（3a，3b）包括以能够形成金属-金属化合物的第一材料（33，36）来至少部分地填充的沟槽（34），其中所述沟槽（34）是从间隔层（32）穿过钝化层（31）直到连接接触部（30）的连续的沟槽，并且第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）设置直到沟槽的上边缘。
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公开(公告)号：CN102164847B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN200980137768.0
申请日：2009-09-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2207/012 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , H01L24/94 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间建立间隔的、导电的并且优选气密的连接的接触装置（3a，3b），其中接触装置（3a，3b）包括电连接接触部（30）、在连接接触部（30）上的钝化层（31）和设置在钝化层（31）上的介电间隔层（32），并且其中接触装置（3a，3b）至少设置在晶片（1，4）之一上。该接触装置的特征在于，接触装置（3a，3b）包括以能够形成金属-金属化合物的第一材料（33，36）来至少部分地填充的沟槽（34），其中所述沟槽（34）是从间隔层（32）穿过钝化层（31）直到连接接触部（30）的连续的沟槽，并且第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）设置直到沟槽的上边缘。
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