公开(公告)号：CN102569550A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110403030.3

申请日：2011-12-07

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 柏木淳一 ,  冈本国美 ,  田中岳利 ,  久保田将司

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，包括由III族氮化物半导体构成的半导体层叠构造。半导体层叠构造包括：包含In的发光层；配置于该发光层的一侧的p型引导层；配置于上述发光层的另一侧的n型引导层；配置于上述p型引导层的与上述发光层相反一侧的p型包层；和配置于上述n型引导层的与上述发光层相反一侧的n型包层。半导体层叠构造包括：与c轴在上述晶体生长面上的投影矢量平行地形成的直线状的波导；和由与上述投影矢量垂直的解理面构成的一对激光谐振面。半导体层叠构造也可以由将半极性面作为晶体生长面的III族氮化物半导体构成。

公开(公告)号：CN111433897B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201880079373.9

申请日：2018-11-26

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山口敦司 ,  柏木淳一 ,  森山洋平

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H02M7/12

Abstract: 通过本发明的一方案提供的半导体整流器具备晶体管以及二极管。上述晶体管具有源电极、漏电极以及栅电极。上述二极管具有阳电极以及阴电极。上述阳电极与上述栅电极导通，上述阴电极与上述源电极导通。

公开(公告)号：CN111433897A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201880079373.9

申请日：2018-11-26

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山口敦司 ,  柏木淳一 ,  森山洋平

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H02M7/12

Abstract: 通过本发明的一方案提供的半导体整流器具备晶体管以及二极管。上述晶体管具有源电极、漏电极以及门电极。上述二极管具有阳电极以及阴电极。上述阳电极与上述门电极导通，上述阴电极与上述源电极导通。