公开(公告)号：CN107087354A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710067127.9

申请日：2017-02-06

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： N·嘉雅拉朱 ,  L·巴斯塔德 ,  Z·尼亚兹伊别特娃 ,  J·狄茨维斯泽柯

IPC: H05K3/42

CPC classification number: C25D21/12 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/38 ,  C23C28/023 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D5/56 ,  C25D7/00 ,  C25D7/123 ,  H05K3/423 ,  H05K2203/072 ,  H05K3/424 ,  H05K2203/0723

Abstract: 直流电镀覆方法抑制空隙形成，减少凹陷并且消除节结。所述方法涉及在高电流密度下电镀铜，接着暂停电镀，并且随后打开电流以在较低电流密度下电镀以填充通孔。

公开(公告)号：CN107087353A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710066334.2

申请日：2017-02-06

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： N·嘉雅拉朱 ,  L·巴斯塔德

IPC: H05K3/42

CPC classification number: H05K3/429 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/38 ,  C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/18 ,  C25D5/56 ,  C25D7/123 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0094 ,  H05K3/423 ,  H05K2201/032 ,  H05K2203/0723 ,  H05K3/424

Abstract: 直流电镀覆方法抑制空隙形成，减少凹陷并且消除节结。所述方法涉及在高电流密度下电镀铜，接着在较低电流密度下电镀以填充通孔。