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公开(公告)号：CN105278240A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510359073.4
申请日：2015-06-25
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 本文所揭示的是一种物品，其包含衬底；在所述衬底上安置有一种组合物，所述组合物包含：第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段的表面能比所述第二嵌段高；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段与所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似，并且所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段与所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上相同或类似；其中以总固体计，所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段的重量百分比大于所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段的重量百分比；其中所述第一嵌段共聚物和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形、片层状或球形结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态不同；以及第一聚合物，所述第一聚合物与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似。
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公开(公告)号：CN106632921A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610915095.9
申请日：2016-10-20
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： C08F293/00 , C08F226/06 , G03F7/004
摘要： 嵌段共聚物包含有包含交替共聚物的第一嵌段，和包含有包含氢受体的单元的第二嵌段。嵌段共聚物在图案收缩组合物和半导体装置制造方法中具有特定用途，用于提供高分辨率图案。
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公开(公告)号：CN105742234A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/76837
摘要： 形成电子装置的方法包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征；(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或任选地被取代的C1-20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；以及(c)加热所述组合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN105319841B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510368660.X
申请日：2015-06-29
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 本文中公开了一种组合物，包含第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；以及第一聚合物，所述第一聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似；以及第二聚合物，所述第二聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中所述第一和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04。
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公开(公告)号：CN105732972A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993664.7
申请日：2015-12-25
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
摘要： 一种孔隙填充组合物。本发明涉及一种组合物，其包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含：以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或任选地被取代的C1-20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；和不含可聚合乙烯基和羟基的封端基团。所述组合物在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN105278240B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510359073.4
申请日：2015-06-25
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 本文所揭示的是一种物品，其包含衬底；在所述衬底上安置有一种组合物，所述组合物包含：第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形、片层状或球形结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态不同；以及第一聚合物，所述第一聚合物与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似。
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公开(公告)号：CN105742234B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826
摘要： 形成电子装置的方法包含:(a)提供半导体衬底,所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征;(b)在所述多孔特征上施用组合物,其中所述组合物包含聚合物和溶剂,其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元:其中:Ar、Ar、Ar和Ar独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团;X和X独立地表示单键、‑O‑、‑C(O)‑、‑C(O)O‑、‑OC(O)‑、‑C(O)NR‑、‑NRC(O)‑、‑S‑、‑S(O)‑、‑SO‑或任选地被取代的C二价烃基,其中R和R独立地表示H或C烃基;m是0或1;n是0或1;并且o是0或1;以及(c)加热所述组合物;其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性,用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN106249540A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610383259.8
申请日：2016-06-01
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC分类号： G03F7/405 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0274 , G03F7/0035 , G03F7/004 , G03F7/09
摘要： 本发明涉及图案处理方法，其包含：(a)提供半导体衬底，其在其表面上包含图案化特征；(b)向图案化特征施用图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含嵌段共聚物和溶剂，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一单体形成的单元，所述第一单体包含烯系不饱和可聚合基团和氢受体基团，其中氢受体基团是含氮基团，并且第二嵌段包含由第二单体形成的单元，所述第二单体包含烯系不饱和可聚合基团和环状脂肪族基团；以及(c)将残余图案处理组合物从衬底洗去，留下结合到图案化特征的嵌段共聚物部分。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。
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公开(公告)号：CN106249539A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610380663.X
申请日：2016-06-01
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
CPC分类号： G03F7/165 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274 , G03F7/0035 , G03F7/004 , G03F7/09
摘要： 本发明涉及图案处理方法，其包含：(a)提供半导体衬底，其在其表面上包含图案化特征；(b)向图案化特征施用图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含嵌段共聚物和溶剂，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一单体形成的单元，所述第一单体包含烯系不饱和可聚合基团和氢受体基团，其中氢受体基团是含氮基团，并且第二嵌段包含由第二单体形成的单元，所述第二单体包含烯系不饱和可聚合基团和芳族基，其限制条件是第二单体不是苯乙烯；以及(c)将残余图案处理组合物从衬底洗去，留下结合到图案化特征的嵌段共聚物部分。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105319841A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510368660.X
申请日：2015-06-29
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 本文中公开了一种组合物，包含第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段的表面能高于所述第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似并且所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中以所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体计的重量百分比大于所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体的重量百分比；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形、片层状或球状结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态是不同的；以及第一聚合物，所述第一聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似；以及第二聚合物所述第二聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中所述第一和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04。
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