公开(公告)号：CN102110469B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201010568301.6

申请日：2010-11-29

申请人： 美光科技公司

发明人： 约翰内斯·卡尔布 ,  德场·考 ,  吉安波罗·斯帕蒂尼

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0002 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0092

摘要： 这里所公开的主题涉及提高存储器设备的数据存储密度。相变存储器(PCM)和阻抗随机存取存储器(PRAM)通常通过将存储器单元放置在表示“1”或“0”两个物理状态的任一个来存储数据。一个这种状态可以与另一个状态区分。这种存储数据的处理可以使得能够每个存储器单元存储一个比特。本发明的实施例在存储器单元中存储两个或多个比特，其中所述存储的比特由两个或多个独立变量至少部分地基于所述存储器单元的物理性质来特征化。将这种数据存储器的密度增加为每个存储器单元大于一个比特可以产生多种优势，例如减小的存储器制造成本和/或较小的存储器装置。