公开(公告)号：CN108701664B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201780011784.X

申请日：2017-02-08

申请人： 美光科技公司

发明人： D·R·亨布里

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/40

摘要： 本发明揭示用于经封装半导体裸片的内部热扩散的设备及方法。实例设备可包含堆叠中的多个裸片、支撑所述多个裸片的底部裸片、阻障，及热扩散器。所述底部裸片的部分可延伸超过所述多个裸片，且可暴露延伸超过所述多个裸片的所述底部裸片的顶表面。所述阻障可沿着所述多个裸片及所述底部裸片安置，且所述热扩散器可安置于所述底部裸片的所述经暴露的顶表面上方，且沿着所述多个裸片安置。

公开(公告)号：CN115552601A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180029502.5

申请日：2021-03-02

申请人： 美光科技公司

发明人： T·M·延森 ,  D·R·亨布里

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/485 ,  H01L23/525 ,  H01L21/60

摘要： 本文公开具有重新分布结构的半导体装置及相关联系统及方法。在一个实施例中，半导体封装包含第一半导体裸片，其包含第一重新分布结构；及第二半导体裸片，其包含第二重新分布结构。所述第一及第二半导体裸片可安装在封装衬底上，使得所述第一及第二重新分布结构彼此对准。在一些实施例中，互连结构可位于所述第一及第二半导体裸片之间，以将所述第一及第二重新分布结构彼此电耦合。所述第一及第二重新分布结构可配置成使得所述第一及第二半导体裸片之间的信号路由可基于所述互连结构的位置而改变。

公开(公告)号：CN108701664A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011784.X

申请日：2017-02-08

申请人： 美光科技公司

发明人： D·R·亨布里

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/40

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/053 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589

摘要： 本发明揭示用于经封装半导体裸片的内部热扩散的设备及方法。实例设备可包含堆叠中的多个裸片、支撑所述多个裸片的底部裸片、阻障，及热扩散器。所述底部裸片的部分可延伸超过所述多个裸片，且可暴露延伸超过所述多个裸片的所述底部裸片的顶表面。所述阻障可沿着所述多个裸片及所述底部裸片安置，且所述热扩散器可安置于所述底部裸片的所述经暴露的顶表面上方，且沿着所述多个裸片安置。