公开(公告)号：CN107611166B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201710287909.3

申请日：2017-04-27

申请人： 美格纳半导体有限公司

发明人： 朴正泫 ,  吴宝石 ,  池熺奂

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  G09G3/36

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。第一晶体管包括：第一栅极绝缘体、第一源极区域和第一漏极区域；一对轻掺杂漏极(LDD)区域，其中的每一个均比所述第一源极区域和所述第一漏极区域浅；以及第一栅电极。第二晶体管包括：第二栅极绝缘体；第二源极区域和第二漏极区域；一对漂移区域，其分别包围第二源极区域和第二漏极区域；以及第二栅电极。第三晶体管包括：第三栅极绝缘体；第三源极区域和第三漏极区域；以及一对漂移区域，其分别包围第三源极区域和第三漏极区域；以及第三栅电极。第二栅极绝缘体比其他栅极绝缘体薄。

公开(公告)号：CN107611166A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710287909.3

申请日：2017-04-27

申请人： 美格纳半导体有限公司

发明人： 朴正泫 ,  吴宝石 ,  池熺奂

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  G09G3/36

CPC分类号： H03K17/6871 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0828 ,  G09G2300/0838 ,  G09G2300/0871 ,  G09G2310/0291 ,  G11C19/28 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H03K19/017509

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。第一晶体管包括：第一栅极绝缘体、第一源极区域和第一漏极区域；一对轻掺杂漏极(LDD)区域，其中的每一个均比所述第一源极区域和所述第一漏极区域浅；以及第一栅电极。第二晶体管包括：第二栅极绝缘体；第二源极区域和第二漏极区域；一对漂移区域，其分别包围第二源极区域和第二漏极区域；以及第二栅电极。第三晶体管包括：第三栅极绝缘体；第三源极区域和第三漏极区域；以及一对漂移区域，其分别包围第三源极区域和第三漏极区域；以及第三栅电极。第二栅极绝缘体比其他栅极绝缘体薄。