半导体元件及其制作方法

    公开(公告)号:CN108231778A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201611128637.4

    申请日:2016-12-09

    Inventor: 黄文甫 李甫哲

    CPC classification number: H01L27/1157

    Abstract: 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底,该基底上具有一存储区以及一逻辑区,然后形成一堆叠结构于存储区以及一栅极结构于逻辑区,形成一第一遮盖层于堆叠结构及栅极结构上,进行一氧化处里制作工艺以形成一氧化层于第一遮盖层表面,以及形成一第二遮盖层于氧化层上。之后去除部分逻辑区的部分第二遮盖层、部分氧化层以及部分第一遮盖层以形成一间隙壁于栅极结构侧壁。

    半导体元件及其制作方法

    公开(公告)号:CN108231778B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN201611128637.4

    申请日:2016-12-09

    Inventor: 黄文甫 李甫哲

    Abstract: 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底,该基底上具有一存储区以及一逻辑区,然后形成一堆叠结构于存储区以及一栅极结构于逻辑区,形成一第一遮盖层于堆叠结构及栅极结构上,进行一氧化处里制作工艺以形成一氧化层于第一遮盖层表面,以及形成一第二遮盖层于氧化层上。之后去除部分逻辑区的部分第二遮盖层、部分氧化层以及部分第一遮盖层以形成一间隙壁于栅极结构侧壁。

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