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公开(公告)号：CN107479623A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710589540.1
申请日：2014-07-25
申请人： 联发科技股份有限公司
摘要： 本发明揭露一种时钟校正方法以及电子装置。其中，该时钟校正方法包含：执行校正操作从而找出在存储装置的第一时钟频率下存储控制器参数的第一设定范围；找出在所述存储装置的第二时钟频率下所述存储控制器参数的第二设定范围；以及根据所述第一设定范围与第二设定范围的重叠范围确定所述存储控制器参数的校正设定。本发明提供的时钟校正方法以及电子装置可改善用户体验。
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公开(公告)号：CN105846972A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510023215.X
申请日：2015-01-16
申请人： 联发科技股份有限公司
发明人： 陈俊良
IPC分类号： H04L1/24
CPC分类号： G06F11/0772 , G01R1/0466 , G01R1/0491 , G01R31/043 , G01R31/265 , G01R31/2868 , G01R31/2874 , G01R31/318511 , G06F11/00 , G06F11/0787 , G06F11/1492 , G06F11/22 , G11C11/00 , G11C29/00 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C29/44 , H04L1/00
摘要： 本发明实施例公开了一种发送校准方法和控制设备。其中，该发送校准方法包括：根据每一个训练参数集发送第一数据给存储设备，所述第一数据包括一校准数据和第一校验和；记录来自所述存储设备的多个错误指示符，所述多个错误指示符与所述多个训练参数集一一对应；根据与所述多个训练参数集一一对应的所述多个错误指示符，将所述多个训练参数集中的其中一个定义为预定参数集；其中，每一个错误指示符用于指示根据训练参数集发送的所述第一数据是否发送成功。本发明实施例可节省发送校准的时间。
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公开(公告)号：CN105846972B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510023215.X
申请日：2015-01-16
申请人： 联发科技股份有限公司
发明人： 陈俊良
IPC分类号： H04L1/24
摘要： 本发明实施例公开了一种发送校准方法和控制设备。其中，该发送校准方法包括：根据每一个训练参数集发送第一数据给存储设备，所述第一数据包括一校准数据和第一校验和；记录来自所述存储设备的多个错误指示符，所述多个错误指示符与所述多个训练参数集一一对应；根据与所述多个训练参数集一一对应的所述多个错误指示符，将所述多个训练参数集中的其中一个定义为预定参数集；其中，每一个错误指示符用于指示根据训练参数集发送的所述第一数据是否发送成功。本发明实施例可节省发送校准的时间。
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公开(公告)号：CN104345770A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410357156.5
申请日：2014-07-25
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： G06F1/08
CPC分类号： G06F1/08 , G06F1/324 , G06F1/3296 , G06F13/1689 , Y02D10/126
摘要： 本发明揭露一种时钟发生器、时钟发生方法以及电子装置。其中时钟发生器，包含：可控时钟源，配置以生成时钟驱动装置的时钟信号；以及跳频控制器，配置以控制所述可控时钟源使得所述时钟信号具有从一个时钟频率至另一时钟频率的至少一个频率转换，其中在所述至少一个频率转换期间，所述可控时钟源保持在锁频状态。本发明提供的时钟发生器、时钟发生方法以及电子装置可实现省电以及不间断存取存储装置的技术效果。
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公开(公告)号：CN103972215A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410045162.7
申请日：2014-02-07
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528
摘要： 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括金属垫与第一特定金属层布线。金属垫位于半导体装置的第一金属层之上。第一特定金属层布线形成于半导体装置的第二金属层之上，并直接位于金属垫之下。本发明所提供的半导体装置，可有效缩小半导体装置的布线区域尺寸。
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公开(公告)号：CN108573945A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810201455.8
申请日：2018-03-12
申请人： 联发科技股份有限公司
发明人： 陈俊良
IPC分类号： H01L23/488
摘要： 本发明公开一种焊盘结构，形成在集成电路晶粒上，包括：第一导电层，形成在集成电路晶粒的上表面上并具有中空部分；介电层，覆盖所述第一导电层；第二导电层，形成在所述介电层上并电连接到所述第一导电层；以及钝化层，覆盖所述第二导电层，并具有暴露所述第二导电层以接收接合引线的开口。由于第一导电层具有中空部分，并且在第一导电层上方的第二导电层接收接合引线，第一导电层的机械应力可以得到释放。并且当接合引线接合到第二导电层上时，第一导电层不容易发生例如破裂等损坏，从而降低了焊盘结构在引线接合期间损坏的可能。
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公开(公告)号：CN107403024A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710259376.8
申请日：2017-04-20
申请人： 联发科技股份有限公司
发明人： 陈俊良
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明实施例提供了一种IC的电压降和电迁移的分析方法及计算机可读存储介质。其中该方法包括：得到集成电路的布局，其中该布局被划分为多个块且每个块对应特定的功能；根据该多个块的功率相关信息，得到多个操作功率和多个工作温度，其中该多个块中的每个块具有单独的操作功率和单独的工作温度；以及根据每个块对应的操作功率和工作温度，来验证每个块。本发明实施例，可以进一步缩小布局的尺寸并降低设计人力和成本。
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公开(公告)号：CN107479623B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710589540.1
申请日：2014-07-25
申请人： 联发科技股份有限公司
摘要： 本发明揭露一种时钟校正方法以及电子装置。其中，该时钟校正方法包含：执行校正操作从而找出在存储装置的第一时钟频率下存储控制器参数的第一设定范围；找出在所述存储装置的第二时钟频率下所述存储控制器参数的第二设定范围；以及根据所述第一设定范围与第二设定范围的重叠范围确定所述存储控制器参数的校正设定。本发明提供的时钟校正方法以及电子装置可改善用户体验。
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公开(公告)号：CN103972215B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410045162.7
申请日：2014-02-07
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528
摘要： 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括金属垫与第一特定金属层布线。金属垫位于半导体装置的第一金属层之上。第一特定金属层布线形成于半导体装置的第二金属层之上，并直接位于金属垫之下。本发明所提供的半导体装置，可有效缩小半导体装置的布线区域尺寸。
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公开(公告)号：CN106449571A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610629149.5
申请日：2016-08-03
申请人： 联发科技股份有限公司
发明人： 陈俊良
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/485
CPC分类号： H01L23/5286 , H01L23/5226 , H01L23/53214 , H01L23/481 , H01L23/485
摘要： 本发明公开了一种半导体设备，具有小的尺寸并且能够增强电磁场。其中，该半导体设备包括：金属垫、第一金属层布线及至少一个通孔插塞。其中，该金属垫位于该半导体设备的第一金属层。其中，该第一金属层布线位于该半导体设备中的第二金属层，并且位于该金属垫的正下方。其中，该至少一个通孔插塞用于将该第一金属层布线连接至该金属垫，并且该至少一个通孔插塞位于该金属垫的正下方。
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