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公开(公告)号:CN113474867B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202080014126.8
申请日:2020-02-17
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
Abstract: 离子注入系统101具有配置成形成离子束112并对其进行质量分析的离子源108和质量分析器114。弯曲元件146位于质量分析器的下游;相应的第一测量装置142和第二152测量装置分别位于弯曲元件的下游和上游,并且配置成分别确定离子束的第一离子束电流和第二离子束电流。可选地,工件扫描装置170通过离子束扫描工件。控制器130配置成确定工件处离子束的注入电流,并且可选地基于主语电流控制工件扫描设备以控制工件的扫描速度。离子束的注入电流的确定至少部分地基于第一离子束电流和第二离子束电流。
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公开(公告)号:CN117795636A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202280054270.3
申请日:2022-08-05
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/147
Abstract: 一种离子注入系统和方法,可选择性地改变至工件的离子束能量,使其在射束前方依次通过。注入系统具有用于产生离子束的离子源和用于改变离子束能量的加速/减速级,所述加速/减速级基于提供给其的电偏置来改变离子束能量。加速/减速级的正下方设置工件支撑件,以通过选择性变化能量离子束支撑工件,并且可以在射束能量变化期间进行热控制以控制工件温度。当工件位于射束前方时,能量可变化,且控制器可控制电偏置以控制离子束的能量变化,在工件支撑件上将工件单次定位时,可获得多个工艺配方。
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公开(公告)号:CN113474867A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202080014126.8
申请日:2020-02-17
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
Abstract: 离子注入系统101具有配置成形成离子束112并对其进行质量分析的离子源108和质量分析器114。弯曲元件146位于质量分析器的下游;相应的第一测量装置142和第二152测量装置分别位于弯曲元件的下游和上游,并且配置成分别确定离子束的第一离子束电流和第二离子束电流。可选地,工件扫描装置170通过离子束扫描工件。控制器130配置成确定工件处离子束的注入电流,并且可选地基于主语电流控制工件扫描设备以控制工件的扫描速度。离子束的注入电流的确定至少部分地基于第一离子束电流和第二离子束电流。
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公开(公告)号:CN117941024A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202280053614.9
申请日:2022-08-04
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/147
Abstract: 离子注入系统和方法在串联单工件终端站中跨工件注入变化的离子束能量,其中加速/减速级的电极、弯曲电极和/或能量过滤器控制离子束到工件的最终能量或路径。弯曲电极或能量过滤器可以是加速/减速级的一部分,或可以位于下游。扫描装置扫描离子束和/或工件,并且电源向电极提供变化的电偏置信号。控制器基于工件处的所需的离子束能量选择性地改变与离子束和/或工件通过离子束的扫描同时发生的电偏置信号。波形发生器可以提供变化并且使供应至加速/减速级、弯曲电极和/或能量过滤器的电偏置信号同步。
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