公开(公告)号：CN118888434A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411337160.5

申请日：2024-09-25

申请人： 艾恩(山东)半导体科技有限公司

发明人： 李更兰 ,  杨晓琳

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01J37/304

摘要： 本申请涉及半导体离子注入控制技术领域，具体为一种基于图形的晶圆离子注入控制方法和系统；为解决现有晶圆离子注入过程中方法工艺复杂，成本高和灵活性差的问题，本申请首先根据离子剂量注入信息以及晶圆尺寸绘制图形，生成离子剂量注入图形；然后，从离子剂量注入图形中提取一维信号数据，得到离子注入路径信号；最后，根据离子注入路径信号，控制晶圆竖直作垂直方向运动时，在固定高度上通过离子束水平扫描晶圆将离子覆盖到晶圆上，精确控制离子注入剂量，保证离子注入的均匀性；该方法运用在芯片制作领域中，成本低，可操作性强，灵活性好，在提高芯片的良品率的基础上，能够提高生产效率。

公开(公告)号：CN118800695A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411266219.6

申请日：2024-09-11

申请人： 艾恩(山东)半导体科技有限公司

发明人： 李更兰 ,  杨晓琳

IPC分类号： H01L21/67 ,  G06T7/00 ,  G06T7/13 ,  G06T7/62 ,  G06T7/73 ,  H01L21/68

摘要： 本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体公开了一种寻找晶圆凹槽切口中心点的方法及系统，方法包括：基于晶圆轮廓图像，确定圆心和半径，并重新拟合一个新的圆形；在拟合的圆形上均匀选取多个点，并寻找这些点在晶圆轮廓图像上的对应位置点；随机选取晶圆轮廓图像上的两个位置点，分别计算这两个位置点之间的所有点到圆心的距离，基于最大距离和最小距离的差值判断这两个位置点之间是否存在切口；若存在切口，以两个位置点中其中一个位置点为中心，划定切口范围，计算切口范围内每一个点到圆心的距离，距离最小值对应的点即为切口中心点。本发明能够显著提高生产过程中的定位质量和定位效率，从而提升离子注入的准确度和制备效率。

公开(公告)号：CN118762977A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411237093.X

申请日：2024-09-05

申请人： 艾恩(山东)半导体科技有限公司

发明人： 李更兰 ,  杨晓琳

IPC分类号： H01J37/302 ,  H01J37/317

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供了一种全自动束流调节方法、系统、存储介质及设备。全自动束流调节方法包括：在偏置反馈电流达到饱和时，判断偏置反馈电压是否满足第一预设电压范围，若是，减小灯丝电源电流，以使偏置反馈电压满足第二预设电压范围；否则，控制阳极电源和源磁电源启动，将已设置特定流量的气体通入反应室进行电离，若检测的阳极反馈电流未超过最低限制电流，则增大气体流量，以将阳极反馈电流升至最低限制电流以上；若检测的阳极反馈电流在最低限制电流以上，控制引出抑制电源和引出电源启动，若引出电源反馈电流超过预设电流，检测离子束的电流大小。本发明实现参数的自动化和精确控制，简化引束操作流程，提高产出率。