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公开(公告)号：CN105932080B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610316392.1
申请日：2016-05-12
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/074 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片，依次位于晶体硅片的一侧上的第一选择层、第一透明导电层、及第一电极，以及位于另一侧的第二电极；晶体硅片为N型，第一选择层为空穴选择性接触层，其功函数≥5.3eV；或，晶体硅片为P型，第一选择层为电子选择性接触层，其功函数≤3.9eV。上述异质结太阳能电池，由于采用第一选择层在晶体硅片近表面形成PN结，代替非晶硅‑晶体硅异质结结构，从而取消了非晶硅，因此也避免了非晶硅造成的缺陷。另外，满足第一选择层的材料众多，选择多。本发明还公开了一种电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN105932080A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610316392.1
申请日：2016-05-12
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/074 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/074 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片，依次位于晶体硅片的一侧上的第一选择层、第一透明导电层、及第一电极，以及位于另一侧的第二电极；晶体硅片为N型，第一选择层为空穴选择性接触层，其功函数≥5.3eV；或，晶体硅片为P型，第一选择层为电子选择性接触层，其功函数≤3.9eV。上述异质结太阳能电池，由于采用第一选择层在晶体硅片近表面形成PN结，代替非晶硅‑晶体硅异质结结构，从而取消了非晶硅，因此也避免了非晶硅造成的缺陷。另外，满足第一选择层的材料众多，选择多。本发明还公开了一种电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN106024985B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610550262.4
申请日：2016-07-13
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，其解决的技术问题是，现有叠层太阳电池中顶电池制备受到底电池限制；故而提供一种新的叠层太阳能电池的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供具有牺牲层的衬底；在牺牲层上形成中间层以及钙钛矿电池模块；通过水解将中间层及钙钛矿电池模块从衬底上剥离，并转移到硅电池模块上；在钙钛矿电池模块上形成外接电极。上述制备方法，先在衬底上制备钙钛矿电池模块，然后将钙钛矿电池模块剥离出来，并转移到硅电池模块上，形成一体化的叠层太阳能电池。顶底电池的制备分开，相互不受影响，从而增加了电池中各功能层的材料以及制作工艺的选择性，并且还可兼容硅电池的绒面结构。本发明还公开了一种叠层太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105932161A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610550397.0
申请日：2016-07-13
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/4233
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种叠层太阳能电池，其依次包括顶电池单元、中间层、及底电池单元；顶电池单元的空穴传输层位于光敏层的背光侧，底电池单元为P型硅电池。上述叠层太阳能电池，采用P型硅电池与倒置钙钛矿电池搭配，使空穴传输层位于光敏层的背光侧，同时电子传输层位于光敏层的入光侧，从而避免了空穴传输层对光的强吸收，进而增强了太阳光进入光敏层的能量，从而减少短路电流的损失。另外，P型硅电池的PN距离入光侧较近，有利于底电池对光的吸收，进一步提高叠层太阳能电池的性能。同时，P型硅电池的使用，也有利于降低叠层电池整体的成本。本发明还公开了一种叠层太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN106058054A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610550576.4
申请日：2016-07-13
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L27/02 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种叠层太阳能电池，其依次包括顶电池单元、中间层、及底电池单元；所述顶电池单元的空穴传输层为非化学计量比的氧化镍；底电池单元为N型双面硅电池。上述叠层太阳能电池，由于顶电池单元采用新的空穴传输层，而底电池单元采用N型双面硅电池，使顶底电池相匹配，进而提高叠层太阳能电池的短路电流，进而使得叠层电池获得更高效率。本发明还公开了一种叠层太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN106025087A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610550655.5
申请日：2016-07-13
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/005 , H01L51/4213
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种叠层太阳能电池，其包括钙钛矿电池的顶电池单元、硅电池的底电池单元以及位于顶电池单元与底电池单元之间的中间层；该钙钛矿电池中的钙钛矿材料的化学式为[(NH2CHNH2)1‑a(CH3NH3)a]Pb[I1‑xBrx]3或[(NH2CHNH2)1‑bCsb]Pb[I1‑xBrx]3；其中，0.3≤x≤0.5，0.3≤a≤0.5，0.1≤b≤0.5。上述叠层太阳能电池，顶电池钙钛矿电池和低电池硅电池的禁带宽度匹配，能较好的解决顶底电池电流匹配的问题，提高电池的效率。本发明还公开了一种叠层太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN106024985A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610550262.4
申请日：2016-07-13
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L31/1876 , H01L51/0024 , H01L51/4213
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种叠层太阳能电池的制备方法，其包括如下步骤：提供具有牺牲层的衬底；在牺牲层上形成中间层以及钙钛矿电池模块；通过水解将中间层及钙钛矿电池模块从衬底上剥离，并转移到硅电池模块上；在钙钛矿电池模块上形成外接电极。上述制备方法，采用先在衬底上制备钙钛矿电池模块，然后将钙钛矿电池模块剥离出来，并转移到硅电池模块上，形成一体化的叠层太阳能电池。顶底电池的制备分开，相互不受影响，从而增加了电池中各功能层的材料选择性以及制作工艺的选择性，并且还可以兼容硅电池的绒面结构。本发明还公开了一种叠层太阳能电池。
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公开(公告)号：CN107482071A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710606906.1
申请日：2017-07-24
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/022433 , H01L31/0747 , H01L31/1804
摘要： 本发明涉及一种异质结太阳能电池，其包括电池主体以及设置在所述电池主体上的电极；所述电极包括第一电极以及第二电极；所述第一电极包括若干平行设置的覆膜铜线；所述覆膜铜线的侧面焊接贴合于所述电池主体一侧表面上；所述覆膜铜线包括铜线以及包覆在所述铜线外的有机导电层。该异质结太阳能电池，采用覆膜铜线至少部分代替银浆，从而减低了银浆的使用量，从而降低了异质结太阳能电池的成本。本发明特别适用于异质结异质结太阳能电池，可以进一步减少低温银浆的使用量，由于低温银浆的成本大大高于高温银浆的成本，故而可以更加有效降低异质结异质结太阳能电池的成本。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN107465391B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710608281.2
申请日：2017-07-24
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H02S50/10 , H01L31/072
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明涉及一种用于测试界面电阻的器件，其包括器件主体，第一电极，位于器件主体的一侧；以及第二电极，位于器件主体的另一侧；器件主体包括：晶体硅片，第一本征层，位于晶体硅片靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层，位于第一本征层靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层与晶体硅片同型。上述器件，可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况，进而通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且进行无损测试。本发明还提供了一种界面电阻测试方式及应用。
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公开(公告)号：CN107393996B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710626481.0
申请日：2017-07-27
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片、第一本征层、第一掺杂非晶硅层、第一电极及第二电极；在晶体硅片靠近第一本征层的表面向内形成有重掺杂带；重掺杂带与晶体硅片的外缘线的间距为0.1～0.5mm；重掺杂带与晶体硅片反型。该电池由于在边缘形成重掺杂带；从而在边缘形成局部少数载流子加强收集区域，避免了边缘区域钝化效果差的问题，抑制了边缘少数载流子复合，进而提高电池的开路电压及填充因子，最终提高了光电转化效率。另因有重掺杂带，从而使边缘区域对少数载流子的导电性提高，提高边缘区域对于载流子的收集效率，提高异质结太阳能电池的短路电流，最终也提高了光电转化效率。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。
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