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公开(公告)号：CN107465391A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710608281.2
申请日：2017-07-24
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H02S50/10 , H01L31/072
CPC分类号： Y02E10/50 , H02S50/10 , H01L31/072
摘要： 本发明涉及一种用于测试界面电阻的器件，其包括器件主体，第一电极，位于器件主体的一侧；以及第二电极，位于器件主体的另一侧；器件主体包括：晶体硅片，第一本征层，位于晶体硅片靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层，位于第一本征层靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层与晶体硅片同型。上述器件，可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况，进而通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且进行无损测试。本发明还提供了一种界面电阻测试方式及应用。
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公开(公告)号：CN107393996A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710626481.0
申请日：2017-07-27
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片、第一本征层、第一掺杂非晶硅层、第一电极及第二电极；在晶体硅片靠近第一本征层的表面向内形成有重掺杂带；重掺杂带与晶体硅片的外缘线的间距为0.1～0.5mm；重掺杂带与晶体硅片反型。该电池由于在边缘形成重掺杂带；从而在边缘形成局部少数载流子加强收集区域，避免了边缘区域钝化效果差的问题，抑制了边缘少数载流子复合，进而提高电池的开路电压及填充因子，最终提高了光电转化效率。另因有重掺杂带，从而使边缘区域对少数载流子的导电性提高，提高边缘区域对于载流子的收集效率，提高异质结太阳能电池的短路电流，最终也提高了光电转化效率。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN107393974A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710601978.7
申请日：2017-07-21
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/022475 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/1884
摘要： 本发明涉及一种异质结太阳能电池的复合电极结构，包括透明导电层、设置在所述透明导电层上的电极、以及用于降低所述透明导电层与掺杂非晶硅层之间的界面电阻的界面缓冲层；当电极为正极时，界面缓冲层的功函数大于等于5V；当电极为负极时，界面缓冲层的功函数小于等于4.2eV。上述异质结太阳能电池的复合电极结构，由于掺杂非晶硅层与透明导电层之间插入界面缓冲层，降低了掺杂非晶硅层与透明导电层之间的界面电阻，从而提高了电池的填充因子，使电池的能级匹配，最终提高了异质结太阳能电池的光电转化效率。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的复合电极结构的制备方法、以及异质结太阳能电池及其制备方法。
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公开(公告)号：CN107465391B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710608281.2
申请日：2017-07-24
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H02S50/10 , H01L31/072
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明涉及一种用于测试界面电阻的器件，其包括器件主体，第一电极，位于器件主体的一侧；以及第二电极，位于器件主体的另一侧；器件主体包括：晶体硅片，第一本征层，位于晶体硅片靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层，位于第一本征层靠近第一电极的一侧；第一掺杂非晶硅层与晶体硅片同型。上述器件，可模拟待检测的异质结太阳能电池的界面电阻情况，进而通过测量该器件的总电阻，除去其它电阻，进而获得器件的界面电阻，继而得到待检测的异质结太阳能电池的界面电阻；也即通过上述器件可以测试异质结太阳能电池的界面电阻，并且进行无损测试。本发明还提供了一种界面电阻测试方式及应用。
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公开(公告)号：CN107393996B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710626481.0
申请日：2017-07-27
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片、第一本征层、第一掺杂非晶硅层、第一电极及第二电极；在晶体硅片靠近第一本征层的表面向内形成有重掺杂带；重掺杂带与晶体硅片的外缘线的间距为0.1～0.5mm；重掺杂带与晶体硅片反型。该电池由于在边缘形成重掺杂带；从而在边缘形成局部少数载流子加强收集区域，避免了边缘区域钝化效果差的问题，抑制了边缘少数载流子复合，进而提高电池的开路电压及填充因子，最终提高了光电转化效率。另因有重掺杂带，从而使边缘区域对少数载流子的导电性提高，提高边缘区域对于载流子的收集效率，提高异质结太阳能电池的短路电流，最终也提高了光电转化效率。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN107482071A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710606906.1
申请日：2017-07-24
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/022433 , H01L31/0747 , H01L31/1804
摘要： 本发明涉及一种异质结太阳能电池，其包括电池主体以及设置在所述电池主体上的电极；所述电极包括第一电极以及第二电极；所述第一电极包括若干平行设置的覆膜铜线；所述覆膜铜线的侧面焊接贴合于所述电池主体一侧表面上；所述覆膜铜线包括铜线以及包覆在所述铜线外的有机导电层。该异质结太阳能电池，采用覆膜铜线至少部分代替银浆，从而减低了银浆的使用量，从而降低了异质结太阳能电池的成本。本发明特别适用于异质结异质结太阳能电池，可以进一步减少低温银浆的使用量，由于低温银浆的成本大大高于高温银浆的成本，故而可以更加有效降低异质结异质结太阳能电池的成本。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN105932080B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610316392.1
申请日：2016-05-12
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/074 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片，依次位于晶体硅片的一侧上的第一选择层、第一透明导电层、及第一电极，以及位于另一侧的第二电极；晶体硅片为N型，第一选择层为空穴选择性接触层，其功函数≥5.3eV；或，晶体硅片为P型，第一选择层为电子选择性接触层，其功函数≤3.9eV。上述异质结太阳能电池，由于采用第一选择层在晶体硅片近表面形成PN结，代替非晶硅‑晶体硅异质结结构，从而取消了非晶硅，因此也避免了非晶硅造成的缺陷。另外，满足第一选择层的材料众多，选择多。本发明还公开了一种电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN105932080A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610316392.1
申请日：2016-05-12
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/074 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/074 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片，依次位于晶体硅片的一侧上的第一选择层、第一透明导电层、及第一电极，以及位于另一侧的第二电极；晶体硅片为N型，第一选择层为空穴选择性接触层，其功函数≥5.3eV；或，晶体硅片为P型，第一选择层为电子选择性接触层，其功函数≤3.9eV。上述异质结太阳能电池，由于采用第一选择层在晶体硅片近表面形成PN结，代替非晶硅‑晶体硅异质结结构，从而取消了非晶硅，因此也避免了非晶硅造成的缺陷。另外，满足第一选择层的材料众多，选择多。本发明还公开了一种电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN103066132B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201110319268.8
申请日：2011-10-20
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/34 , C23C16/52
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种用于太阳能电池的双层氮化硅减反射膜，包括：硅片，硅片上覆有第一膜体，在第一膜体上覆有第二膜体，第一膜体、第二膜体的材料为氮化硅，第一膜体的折射率高于第二膜体，其制备方法为：经清洁后的硅片在PECVD设备内部加热到工作温度并保持稳定，通入氮气和氨气，并调整工作气压和开启射频电源；对硅片的表面进行活化处理；改通入硅烷和氨气，加射频电源的高频功率使其放电，在硅片的表面上进行第一膜体的沉积；改变硅烷和氨气的流量，在第一膜体的表面上进行第二膜体的沉积。本发明的优点：加工工艺简单快速，钝化电池片表面以及体内悬挂键和减少入射太阳光在电池片表面反射，大大提高电池硅片的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103087850B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201110349895.6
申请日：2011-11-08
申请人： 协鑫集成科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法。其特征在于由下列组成物组成：所述的预清洗液是由双氧水、氢氧化钠或氢氧化钾和水组成。其特征在于由下列组成物组成：双氧水，氢氧化钠或氢氧化钾，水。一种利用权利要求1所述一种单晶硅片预清洗液的清洗方法，其特征在于：将插入花篮中的硅片放入到混合均匀的单晶硅片预清洗液中，温度在55～80℃，用超声波清洗60～600秒，超声波清洗后，在60℃的条件下用去离子水漂洗1分钟后，去离子水漂洗后取出硅片烘干。本发明的优点是使用双氧水工艺后，碱浓度降低，产生氢气量少，不会在硅片表面生产气泡印，并且不会漂篮，不会产生明显的界限。由于降低了碱的浓度，减薄量也有效的降低，有利于降低后道工序电池片的碎片率。
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