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公开(公告)号：CN101913343B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010224056.7
申请日：2010-07-12
申请人： 苏州大学
IPC分类号： B60R16/023 , G05B19/418
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明公开了一种客车车身控制系统的可配置控制模块，包括处理器模块、以及和处理器模块分别相连的开关量输入电路、模拟量输入电路、控制信号输出电路、CAN总线通信模块和用于存储参数配置文件的存储器，还公开了可配置控制模块的参数配置方法，可配置控制模块的所有输入、输出端口的信号类型、输出端口的控制逻辑均由参数配置文件设定。本发明的可配置控制模块具有灵活性和通用性的特点，不同的车型上可以安装硬件完全相同的若干个可配置控制模块，其不同参数配置文件使各个可配置控制模块具有控制不同客车车身设备的功能，从而使可编程配置客车车身控制系统具有可复用性、开发周期短、成本低的特点，且方便车辆的售后服务和备品备件管理。
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公开(公告)号：CN108461103A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810089416.3
申请日：2018-01-30
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G11C11/419 , G11C11/412 , G11C7/10
摘要： 本发明公开了一种提高SRAM良率的补偿电路，尤其包括以PMOS补偿电路，PMOS补偿电路的时序追踪位线DBL路径的一端与时序追踪单元Dummy Cell的一端连接，时序追踪位线DBL路径的另一端连接时序控制电路FSM Logic，时序控制电路FSM Logic通过灵敏放大器SA使能信号路径SAEN与灵敏放大器SA连接，时序追踪单元Dummy Cell的另一端连接时序追踪字线DWL，时序追踪字线DWL与字线WL连接，字线WL上连接有复数个存储单元，存储单元与列选择电路Column-Mux连接；PMOS补偿电路包括一个反相器INV以及一基于反相器INV的NBTI保护电路。本发明不但能够提升工艺偏差客观存在条件下的SRAM良率，使SRAM读出灵敏放大器最小DeltaV会落在最坏SS工艺角下，减小面积和功耗，还能有效改善关键P的NBTI效应，避免整个时序发生漂移。
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公开(公告)号：CN106653072A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710063682.4
申请日：2017-02-03
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G11C7/06
CPC分类号： G11C7/06
摘要： 本发明公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路，其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接到第一反相器的输入端，还包括伪器件第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第一反相器的输出端，所述第三NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第二反相器的输出端，所述第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管的栅极均连接到第三反相器的输入端。本发明有效地改进传统灵敏放大器由于电容耦合减少初始压差的影响，提升灵敏放大器的良率和速度，同时不影响原电路版图的面积。
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公开(公告)号：CN102263716A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110210756.5
申请日：2011-07-26
申请人： 苏州大学
IPC分类号： H04L27/00
摘要： 本发明公开了一种调制类型识别方法及系统。一种调制类型识别方法，包括：对MQAM信号进行预处理，得到处理后的MQAM信号和码元间隔；参考码元间隔，将同一码元间隔内的处理后的MQAM信号变换到相空间域，对该变换后的MQAM信号采用相图描述，提取变换后的MQAM信号在相图中的特征参数；对特征参数进行聚类分析，并对聚类分析结果进行分类识别，确定调制类型。应用上述方案，将同一码元内的处理后的MQAM信号变换到相空间域，采用相图描述变换后的MQAM信号，提取变换后的MQAM信号在相图中的特征参数。这种提取参数的方式减少了特征参数个数，进而降低了识别时间，提高了识别实时性和识别效率。
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公开(公告)号：CN106782640A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710063686.2
申请日：2017-02-03
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675
摘要： 本发明公开了一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路，其包括第一字线逻辑电路、负脉冲产生电路、第二字线控制电路、第一反相器和第二反相器；所述第一字线逻辑电路的输出端连接到第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接到第一字线，所述第一反相器的接地端连接到负脉冲产生电路；所述第二字线控制电路的输出端连接到第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接到第二字线。本发明能够补偿写0过程电流，从而有效避免写0过程产生误操作。
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公开(公告)号：CN113517565A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110490247.6
申请日：2021-05-06
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种应用于5G移动终端的三频M IMO天线，包括主基板，主基板上设有两个与主基板垂直的子基板，两个子基板平行设置，两个子基板上设有两两对称的天线单元，天线单元包括F型辐射元件、曲折耦合辐射线、L型馈电元件，F型辐射元件和曲折耦合辐射线印刷于子基板的外壁，F型辐射元件包括用于产生第一谐振的第一上分支和第二谐振的第一下分支，第一上分支和第一下分支通过公共端接地，曲折耦合辐射线穿插于第一上分支和第一下分支的间隙中，并分别与第一上分支和第一下分支耦合以产生第三谐振，L型馈电元件印刷于子基板的内壁，L型馈电元件通过馈线与主基板上的SMA连接器连接。本发明可以增加工作频段，结构精简、占用空间小。
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公开(公告)号：CN108305653A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810090243.7
申请日：2018-01-30
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G11C11/417
摘要： 本发明公开了一种存储器，包括至少一个全局控制电路和追踪驱动电路、若干存储单元、追踪单元、追踪控制电路以及相应的若干条内嵌于存储单元阵列的不同追踪路径，所述全局控制电路、追踪驱动电路、追踪路径、追踪单元以及追踪控制电路在信号传输方向上依次传输连接，还包括基于追踪控制电路的NBTI保护电路。本发明能够实现更加精确的追踪，同时避免追踪控制电路中的PMOS受NBTI影响导致整个时序漂移，提高了电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN102263716B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110210756.5
申请日：2011-07-26
申请人： 苏州大学
IPC分类号： H04L27/00
摘要： 本申请公开了一种调制类型识别方法及系统。一种调制类型识别方法，包括：对MQAM信号进行预处理，得到处理后的MQAM信号和码元间隔；参考码元间隔，将同一码元间隔内的处理后的MQAM信号变换到相空间域，对该变换后的MQAM信号采用相图描述，提取变换后的MQAM信号在相图中的特征参数；对特征参数进行聚类分析，并对聚类分析结果进行分类识别，确定调制类型。应用上述方案，将同一码元内的处理后的MQAM信号变换到相空间域，采用相图描述变换后的MQAM信号，提取变换后的MQAM信号在相图中的特征参数。这种提取参数的方式减少了特征参数个数，进而降低了识别时间，提高了识别实时性和识别效率。
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公开(公告)号：CN102915761A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210428299.1
申请日：2012-10-31
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G11C11/413
摘要： 本发明提供了一种应用于存储单元的延时控制电路，包括：控制分压电路、选择电路以及下拉电路，当电压Vcc大于第一预设值时，下拉电路中的第一NMOS管以及第二NMOS管工作在饱和区，当电压Vcc小于第二预设值时，第二NMOS管工作在亚阈值区。本发明提供的延时控制电路能够在较低的工作电压时，保证第二NMOS工作在亚阈值区域，漏电流很小，可以实现对虚拟位线DBL的放电速度的降低，从而实现对灵敏放大器控制信号SAEN的延迟，可以保证SAEN信号到达时，存储阵列的读出BL和BLB有比较大的易于放大器读出的压差deltav，保证电路功能正确，没有逻辑错误。
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公开(公告)号：CN106653072B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710063682.4
申请日：2017-02-03
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G11C7/06
摘要： 本发明公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路，其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接到第一反相器的输入端，还包括伪器件第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第一反相器的输出端，所述第三NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第二反相器的输出端，所述第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管的栅极均连接到第三反相器的输入端。本发明有效地改进传统灵敏放大器由于电容耦合减少初始压差的影响，提升灵敏放大器的良率和速度，同时不影响原电路版图的面积。
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