公开(公告)号：CN118156289A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211558895.1

申请日：2022-12-06

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张乃千 ,  裴轶 ,  宋晰 ,  张新川

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括衬底，晶体管还包括设置于衬底一侧的漏电极、源电极以及布置于源电极与漏电极之间的栅电极和场板结构；栅电极与场板结构之间设置有第一介质层；第一介质层具有凹槽、位于栅电极与漏电极之间的第一非凹槽部和位于栅电极与源电极之间的第二非凹槽部；栅电极与第一介质层接触的部分包括靠近漏电极的第一侧壁、顶壁以及靠近源电极的第二侧壁；凹槽在衬底上的垂直投影，覆盖第一侧壁在衬底上的垂直投影；场板结构填充凹槽，且覆盖部分第一非凹槽部。本发明能够降低晶体管状态切换时栅源电容的变化率，同时保证晶体管具有较好的带宽特性。

公开(公告)号：CN117293166A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210684089.2

申请日：2022-06-16

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张乃千 ,  吴传佳 ,  吴自力

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件在栅极远离多层半导体层一侧设置有与源极连接的源场板结构，且沿栅极的延伸方向，至少一侧源场板结构延伸至无源区，且延伸长度超过栅极的延伸长度。这样，源场板结构的端点与漏极和栅极之间的间距变大，源场板结构与漏极之间的电场强度以及源场板结构与栅极之间的电场强度都减小，也就是源场板结构的边缘和栅极的边缘的电场强度都减小，从而提升了源场板结构边缘和栅极边缘的耐击穿能力，提高了器件的耐压性和可靠性，缓解了现有技术无法提升场板边缘耐击穿能力，从而影响半导体器件的耐压性能的技术问题。

公开(公告)号：CN114567026A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202011360345.X

申请日：2020-11-27

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 朱永生 ,  张乃千 ,  裴轶

IPC分类号： H02J7/00 ,  H02J7/34 ,  H01M10/42 ,  H01M10/48

摘要： 本发明实施例公开了一种多电池管控装置及管控方法，该多电池管控装置包括：多个电池模块、调配模块、电压调节模块及检测和控制模块；电池模块、调配模块、电压调节模块均与检测和控制模块电连接；多个电池模块能够串联组成串联回路；调配模块与多个电池模块电连接，用于控制电池模块是否接入串联回路；电压调节模块与调配模块以及电池模块电连接；检测和控制模块用于检测电池模块的电量，根据电池模块的电量生成相应的控制信号，并根据控制信号控制调配模块的工作状态以及电压调节模块的工作状态。本发明实施例提供的多电池管控装置及管控方法，能够提升电池模块电能的转换效率，避免因某个电池模块电能提前耗完影响整个电池系统的持续供电时间。

公开(公告)号：CN113451396A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010218154.3

申请日：2020-03-25

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张乃千 ,  裴轶

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区和无源区；半导体器件还包括衬底、多层半导体层、源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；沿第一方向，栅极依次包括第一端部、中间部和第二端部，中间部、源极和漏极均位于有源区，第一端部和/或第二端部延伸至无源区；沿第二方向，至少位于无源区的第一端部和/或第二端部的延伸宽度大于中间部的延伸宽度。采用上述技术方案，通过设置至少位于无源区的第一端部和/或第二端部的延伸宽度较大，保证源漏两端拐角之间的栅极因光的衍射畸变较小或者不发生畸变，保证栅极结构稳定，性能稳定，进一步可以避免因栅极形变影响半导体器件的功率和频率，保证半导体器件性能稳定。

公开(公告)号：CN105633144B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201510363973.6

申请日：2015-06-26

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张乃千 ,  刘飞航 ,  金鑫 ,  裴轶 ,  宋晰

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括衬底；位于衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于栅极和漏极之间的半导体层上存在凹槽；位于所述半导体层上的源场板，依次包括与源级电连接的起始部分、与所述半导体层间存在空气的第一中间部分、覆盖在栅极和漏极之间的半导体层上的第二中间部分和与所述半导体层间存在空气的尾部。本发明能够消除凹槽和源场板之间的套刻偏差，节省了生产成本，同时减小了寄生栅源电容及寄生电阻。

公开(公告)号：CN108807513A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710538379.5

申请日：2017-07-04

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张乃千 ,  刘健 ,  刘飞航 ,  裴轶

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件领域。该半导体器件包括有源区、测试区及位于有源区和测试区之外的无源区，所述有源区内制作有标准器件，所述测试区制作有用于测试所述标准器件性能参数的测试器件。通过在标准器件周围制作一测试器件，可以通过测试该测试器件的电学性能，在晶圆级测试中就可以预估得到标准器件相应的电学参数。从而可以根据测试结果筛选出合格的标准器件，无需将尺寸较大的标准器件切割、封装再进行测试。避免了现有技术中标准器件无法通过晶圆级测试的问题。节省了测试流程，缩减了生产周期，可以针对性的对合格的标准器件进行切割、封装等操作，有效降低了生产成本。

公开(公告)号：CN103633046B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201310682785.0

申请日：2013-12-13

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张乃千 ,  裴风丽

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/283 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L24/06 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底背面设有接地电极；位于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和无源区，有源区为封闭形式，有源区之外的区域为无源区；位于半导体层上的源极和漏极；位于半导体层上的栅极，栅极在源极和漏极间呈叉指状分布；与有源区内的每个源极直接连接且相互对应的源极焊盘，源极焊盘位于半导体层上的无源区内，源极焊盘对称分布在栅极之间或两侧；位于接地电极和源极焊盘间的通孔，通孔贯穿衬底和半导体层，直至源极焊盘。本发明解决了目前半导体器件的通孔位置分布带来的问题，同时又利用了其优点，最大程度地减小了器件源极的接地电感，提高了器件的增益和功率等性能。

公开(公告)号：CN105633144A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510363973.6

申请日：2015-06-26

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张乃千 ,  刘飞航 ,  金鑫 ,  裴轶 ,  宋晰

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括衬底；位于衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于栅极和漏极之间的半导体层上存在凹槽；位于所述半导体层上的源场板，依次包括与源级电连接的起始部分、与所述半导体层间存在空气的第一中间部分、覆盖在栅极和漏极之间的半导体层上的第二中间部分和与所述半导体层间存在空气的尾部。本发明能够消除凹槽和源场板之间的套刻偏差，节省了生产成本，同时减小了寄生栅源电容及寄生电阻。

公开(公告)号：CN104009077A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410244398.3

申请日：2014-06-04

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张乃千

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66522

摘要： 本发明公开了一种异质结结构及其制备方法、异质结场效应管及其制备方法，其中，所述异质结结构包括：缓冲层，所述缓冲层的材料为半绝缘的半导体材料，位于缓冲层上的沟道层，所述沟道层的材料为非故意掺杂的半导体材料，所述沟道层包括第一沟道层和第二沟道层，其中，所述第一沟道层位于缓冲层上，位于第一沟道层和第二沟道层之间的插入层，其中，所述插入层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度，位于第二沟道层上的势垒层，所述势垒层和所述第二沟道层的界面之间存在二维电子气。本发明克服了异质结结构和异质结场效应管的电流崩塌和漏电问题。

公开(公告)号：CN109545767B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201710858919.8

申请日：2017-09-21

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张乃千 ,  杨琼 ,  张永胜 ,  潘宇 ,  马浩 ,  吴星星

IPC分类号： H01L23/49

摘要： 本发明提供一种封装器件结构和封装器件，该封装器件结构包括基板，围设于该基板上的墙体，墙体与基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在墙体远离基板的一侧的两个第一电极层；与第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层；以及分别与两个第一电极层连接的第一引线以及分别与两个第二电极层连接的第二引线；其中，每个第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段，该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触；两个第一引线段的之间的中心间距小于或等于两个第二引线段之间的间距。本发明能够解决现有技术中引线间距过小的问题，并提高其适用性，满足不同的电路设计需求。