公开(公告)号：CN105977291B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610140176.6

申请日：2016-03-11

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J.P.德苏扎 ,  K.E.福格尔 ,  金志焕 ,  D.K.萨达纳 ,  B.A.瓦卡瑟

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66446 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/267 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66522

摘要： 一种半导体装置，包括基板和基板上的p掺杂层，该p掺杂层包括掺杂的III‑V族材料。n型材料形成在该p掺杂层上或该p掺杂层中。该n型层包括ZnO。铝接触形成为与该n型材料的ZnO直接接触以形成电子装置。

公开(公告)号：CN107636837A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201580080351.0

申请日：2015-06-26

申请人： 英特尔公司

发明人： W.拉克马迪 ,  M.V.梅茨 ,  G.德维 ,  C.S.莫哈帕特拉 ,  J.T.卡瓦利罗斯 ,  A.S.墨菲 ,  T.加尼 ,  N.M.拉哈尔-奥拉比 ,  S.K ,  加德纳

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/78609 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

摘要： 包括从衬底上方的副鳍结构延伸的升高的鳍结构的结晶异质结构。例如III-V晶体管等装置可以在凸起的鳍结构上形成，而硅基装置(例如，晶体管)可以在硅衬底的其他区域中形成。定位到鳍结构的晶体管沟道区域的副鳍隔离材料可以减少通过副鳍的源极至漏极泄漏，改善鳍结构的源极端部和漏极端部之间的电隔离。在异质外延形成鳍结构之后，可以横向刻蚀副鳍的部分以底切鳍。底切用副鳍隔离材料回填。栅极叠层在鳍上形成。副鳍隔离材料的形成可以集成到自对准栅极叠层置换工艺中。

公开(公告)号：CN107437543A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710383517.7

申请日：2017-05-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L29/775 ,  H01L29/04 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/30612 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/207 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L27/085 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/04 ,  H01L29/775

摘要： 本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括：包括主表面的衬底；化合物半导体纳米线，其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分；覆盖第一部分的栅电极；以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且可以具有彼此不同的晶相。

公开(公告)号：CN107393962A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710488423.6

申请日：2017-06-23

申请人： 深圳市晶相技术有限公司

发明人： 刘美华 ,  林信南 ,  刘岩军

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/296 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/401 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66568

摘要： 本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN107093624A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710206665.1

申请日：2017-03-31

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 刘琛 ,  吕红亮 ,  余维健 ,  张玉明 ,  张义门

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/201 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78681 ,  H01L2221/68386

摘要： 本发明公开了一种基于柔性衬底的低In组分InGaAs MOSFET器件及制作方法，主要为了解决传统Ⅲ‑V材料的MOSFET只能应用于硬质平面环境，无法应用于柔性及高频环境的问题。其自下而上包括衬底(1)、半导体功能薄膜层(2)、氧化层(3)和金属电极(4)，其中衬底采用聚酰亚胺柔性衬底；半导体功能薄膜层采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层构成力学平衡结构功能层。本发明在具有高工作频率的同时，具有良好的延展和弯曲性，可用于包括柔性显示器、柔性电子标签、人工肌肉及生物信号传感器。

公开(公告)号：CN107004631A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201480083605.X

申请日：2014-12-24

申请人： 英特尔公司

发明人： S·K·加德纳 ,  W·拉赫马迪 ,  M·V·梅茨 ,  G·杜威 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  C·S·莫哈帕特拉 ,  A·S·默西 ,  N·M·拉哈尔-乌拉比 ,  N·M·泽利克 ,  T·加尼

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0673 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

摘要： 本发明的实施例包括纳米线和纳米带晶体管以及形成这样的晶体管的方法。根据实施例，用于形成微电子器件的方法可以包括在沟槽内形成多层叠置体，所述沟槽形成在浅沟槽隔离(STI)层中。多层叠置体可以至少包括沟道层、形成在所述沟道层下方的释放层、以及形成在所述沟道层下方的缓冲层。可以使所述STI层凹陷以使所述STI层的顶表面位于所述释放层的顶表面下方。暴露的释放层通过相对于所述沟道层选择性地蚀刻掉所述释放层而形成在所述沟道层下方。

公开(公告)号：CN106935651A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201611020363.7

申请日：2016-11-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 雅利安·阿弗萨蓝

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0638 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/785 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0684

摘要： 晶体管装置包括：通道，位于通道的第一侧上的第一源极/漏极区域，位于通道的与通道第一侧相对的第二侧上的第二源极/漏极区域，以及设置在通道与第一源极/漏极区域之间的穿隧阻障层，此穿隧阻障层适合于当晶体管装置处于断态时抑制能带间穿隧。

公开(公告)号：CN106663634A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580044044.7

申请日：2015-03-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 加藤芳健

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 提高半导体器件的特性。对于具有在氮化物半导体层CH上隔着栅极绝缘膜GI形成的栅电极GE的半导体器件(MISFET)而言，栅极绝缘膜GI构成为具有在氮化物半导体层CH上形成的第一栅极绝缘膜(第一金属的氧化膜)GIa，和第二栅极绝缘膜(第二金属的氧化膜)GIb。并且，第二金属(例如，Hf)比第一金属(例如，Al)的电负性低。由此，通过与第一金属的电负性相比，第二金属的电负性更低，能够使阈值电压(Vth)向正方向偏移。另外，栅电极GE构成为具有在第二栅极绝缘膜GIb上形成的第一栅电极(第三金属的氮化膜)GEa，和第二栅电极(第四金属)GEb。由此，能够防止氧向栅极绝缘膜GI的扩散，降低阈值电压(Vth)的偏差。

公开(公告)号：CN106298778A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610872541.2

申请日：2016-09-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823885 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/152 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7827 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487

摘要： 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。

公开(公告)号：CN106158636A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510149074.6

申请日：2015-03-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7838

摘要： 一种晶体管及其形成方法，其中，该形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成悬空的纳米线；形成隔离层，所述隔离层覆盖纳米线底部的半导体衬底表面；形成覆盖所述纳米线表面的沟道层和覆盖所述沟道层表面的接触层；刻蚀所述接触层形成暴露出所述沟道层的沟槽；在所述沟槽内形成覆盖所述沟道层表面的势垒层；形成包裹所述势垒层并包裹部分所述接触层的栅极结构；形成位于接触层的源极和漏极，且所述源极和漏极分别位于栅极结构两侧。形成的晶体管对沟道控制能力较好。