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公开(公告)号:CN117116788B
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311376748.7
申请日:2023-10-24
申请人: 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号: H01L21/603 , H01L21/683 , H01L21/68
摘要: 本发明公开了一种晶圆键合装置及键合方法,涉及半导体键合技术领域。装置包括:对应设置的上卡盘和下卡盘,所述上卡盘的下表面吸附并固定上晶圆,所述下卡盘的上表面吸附并固定下晶圆,所述上卡盘和所述下卡盘中的至少一个倾斜设置,使所述上卡盘和所述下卡盘之间形成夹角θ;所述上卡盘的上表面设置若干个用于采集上卡盘和下卡盘之间接触信号的传感器,所述下卡盘的下表面设置若干个用于带动所述下卡盘向靠近所述上卡盘的方向抬升的Z轴升降机构,其中,所述Z轴升降机构与所述传感器一一对应,且所述Z轴升降机构位于所述传感器投影的正下方。本发明达到了提高晶圆键合的精准度和成功率的目的。
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公开(公告)号:CN117080144B
公开(公告)日:2024-01-23
申请号:CN202311329472.7
申请日:2023-10-16
申请人: 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号: H01L21/68
摘要: 本发明属于半导体加工制造领域,提供了一种高精度晶圆对准装置及方法,装置包括上载台、下载台、视觉结构、光学结构和控制结构,上载台上设有第一驱动组件,下载台上设有第二驱动组件;视觉结构包括结构相同且镜像对称的两组视觉组件,视觉组件包括视觉相机和照明光源,视觉相机获得晶圆上的对准标记;光学结构包括两组光学组件,光学组件包括立体分光镜和直角型平面反射镜;控制结构分别与视觉相机、第一驱动组件和第二驱动组件通信,用于依据对准标记输出驱动第一驱动组件和/或第二驱动组件运动的对准指令。本发明可以解决现有对准方法中因无法通过补偿消除上下视觉组件安装同轴误差和运动重复性误差,影响上下晶圆对准精度的技术问题。
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公开(公告)号:CN117116788A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202311376748.7
申请日:2023-10-24
申请人: 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号: H01L21/603 , H01L21/683 , H01L21/68
摘要: 本发明公开了一种晶圆键合装置及键合方法,涉及半导体键合技术领域。装置包括:对应设置的上卡盘和下卡盘,所述上卡盘的下表面吸附并固定上晶圆,所述下卡盘的上表面吸附并固定下晶圆,所述上卡盘和所述下卡盘中的至少一个倾斜设置,使所述上卡盘和所述下卡盘之间形成夹角θ;所述上卡盘的上表面设置若干个用于采集上卡盘和下卡盘之间接触信号的传感器,所述下卡盘的下表面设置若干个用于带动所述下卡盘向靠近所述上卡盘的方向抬升的Z轴升降机构,其中,所述Z轴升降机构与所述传感器一一对应,且所述Z轴升降机构位于所述传感器投影的正下方。本发明达到了提高晶圆键合的精准度和成功率的目的。
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公开(公告)号:CN117116787A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202311376751.9
申请日:2023-10-24
申请人: 苏州芯慧联半导体科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种晶圆键合方法及系统,涉及半导体技术领域。所述方法包括:对待键合晶圆的表面进行等离子体活化处理,通过水滴接触角测量,获得待键合晶圆表面的水接触角,计算所述水接触角所对应的键合强度,将所述键合强度符合标准键合强度的所述待键合晶圆进行晶圆键合。本发明能够在晶圆键合前在线检测待键合晶圆的表面活化处理情况,可提前判断待键合晶圆的键合强度是否良好,降低了键合后的晶圆由于键合强度不好而导致的报废风险;还可以对所有待键合的晶圆产品进行在线检测,达到100%的全检;同时通过水滴接触角测量避免了对键合晶圆造成的破坏。
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公开(公告)号:CN117080144A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202311329472.7
申请日:2023-10-16
申请人: 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号: H01L21/68
摘要: 本发明属于半导体加工制造领域,提供了一种高精度晶圆对准装置及方法,装置包括上载台、下载台、视觉结构、光学结构和控制结构,上载台上设有第一驱动组件,下载台上设有第二驱动组件;视觉结构包括结构相同且镜像对称的两组视觉组件,视觉组件包括视觉相机和照明光源,视觉相机获得晶圆上的对准标记;光学结构包括两组光学组件,光学组件包括立体分光镜和直角型平面反射镜;控制结构分别与视觉相机、第一驱动组件和第二驱动组件通信,用于依据对准标记输出驱动第一驱动组件和/或第二驱动组件运动的对准指令。本发明可以解决现有对准方法中因无法通过补偿消除上下视觉组件安装同轴误差和运动重复性误差,影响上下晶圆对准精度的技术问题。
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