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公开(公告)号：CN118366970A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410546615.8
申请日：2024-05-06
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司 , 固态湿法(苏州)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种用于检测刻蚀均匀性的测试片、测试片的使用及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：原始晶圆，原始晶圆的正面设置有硅通孔单元，硅通孔单元包括沿半径方向将原始晶圆等分的分割线方向设置的径向硅通孔单元，以及在原始晶圆的圆心设置的圆心硅通孔单元，其中，同一分割线方向的相邻两个径向硅通孔单元的径向间距相同；每个硅通孔单元中均包括多个等间距设置的硅通孔组，每个硅通孔组中均包括多个硅通孔，每个硅通孔内部均填充有填充物，填充物在硅通孔中形成柱状结构；载片晶圆，载片晶圆与原始晶圆的正面键合连接。使用本发明实施例提供的测试片，可快速而便捷的检测晶圆的刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN117344309B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311648392.8
申请日：2023-12-05
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： C23F1/46
摘要： 本发明提供了一种金属刻蚀液回收控制系统及控制方法，涉及半导体技术领域。回收控制系统包括刻蚀工艺腔体、金属离子浓度分析仪、暂存槽、废液回收槽、循环槽，阳离子交换装置、过滤器及刻蚀液供液装置、控制阀。刻蚀制程工艺后，将刻蚀液进行回收，刻蚀液经过过滤后，在暂存槽中经金属离子浓度分析仪检测，若金属离子浓度检测未超标，则通入循环槽中经过滤后重新使用；若金属离子浓度检测超标，将其通过阳离子交换装置置换出金属离子，直至浓度符合标准后打入循环槽，最后经过滤后重新使用。本发明能够有效减少刻蚀液用量并回收金属，节约成本；并且保持刻蚀液金属离子浓度稳定，刻蚀均匀；同时减少废液排放，降低环境污染。
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公开(公告)号：CN117293064A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311575289.5
申请日：2023-11-24
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3213 , G06T7/70
摘要： 本发明提供一种金属剥离方法，涉及半导体技术领域。包括：将待处理晶圆送入高压工艺腔体，通过高压工艺腔体中的喷淋手臂向高速旋转的晶圆表面喷淋高压液体；所述喷淋手臂根据设定的初始速度，以晶圆半径为喷淋路径进行直线往复运动，完成晶圆的金属剥离过程；其中，将所述喷淋手臂上的喷嘴在晶圆表面上的投影与晶圆圆心之间的距离定义为实时半径，通过微积分计算，建立所述实时半径与速度之间的函数关系式，通过该函数关系式获得喷淋手臂在当前位置的所述实时速度，通过所述实时速度控制喷淋手臂在不同位置处按照不同的速度运动，使所述喷淋手臂在晶圆每个位置的喷淋时间一致。本发明可提高晶圆各个位置上喷淋的均匀性，从而提高产品质量。
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公开(公告)号：CN116759360A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311041048.2
申请日：2023-08-18
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种晶圆对准装置及镜头误差校准方法，涉及半导体加工技术领域。装置包括：晶圆运动组件，包括上晶圆运动组件和下晶圆运动组件，其上分别开设用于承载第一晶圆的上晶圆载台和承载第二晶圆的下晶圆载台；视觉运动组件，包括左侧镜头组件和右侧镜头组件，两侧的镜头组件围绕形成对准区域；且开口侧的上下两个端部分别设置光学镜头，用于拍摄测量第一晶圆和第二晶圆上的标记位置；标记板，固定在下晶圆运动组件上，用于通过光学镜头拍摄测量标记板上的校准标记，以对光学镜头拍摄测量时产生的误差进行校准，实现第一晶圆和第二晶圆的精确对准。本发明采用标记板和对应的误差校准方法，极大降低晶圆对准系统的在线实时测量误差。
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公开(公告)号：CN116469830A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310722041.0
申请日：2023-06-19
申请人： 北京芯士联半导体科技有限公司 , 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明提供了一种刻蚀机晶圆盒翻转装置，包括翻转结构，翻转结构上设有晶圆盒固定结构。晶圆盒固定结构包括固定平台，固定平台包括相互垂直的底板和立板，立板上设有压持组件、夹持组件，压持组件用于将晶圆盒压紧在底板上，夹持组件用于夹紧晶圆盒。底板上设有微动开关，微动开关用于感应底板上是否放置晶圆盒。本发明提供的刻蚀机晶圆盒翻转装置具有空间紧凑、价格低廉、普遍适应性、可以减少设备对接异常产生、能够适应现代半导体设备发展等特点。
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公开(公告)号：CN112018021A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011106884.0
申请日：2020-10-16
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明揭示了具有可再生性能的静电卡盘及其成型方法，具有可再生性能的静电卡盘包括底座、设于底座顶部的绝缘层、设于绝缘层顶部的介电层、夹持内嵌设于绝缘层和介电层之间的电极层、以及设于介电层表面的由类金刚石薄膜制成的若干凸台；若干凸台沿介电层圆心呈数个不同直径环绕的圆形间断分布，介电层表面设有若干沿其不同直径方向分布的冷却槽，若干凸台的表面架置设有晶圆基板。本发明实现了抑制晶圆与介电层直接接触产生的磨耗，抑制微粒的产生。
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公开(公告)号：CN111900117A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201911405456.5
申请日：2019-12-31
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种静电卡盘，其结构包含基板、绝缘层、电极层、第一诱电层及第二诱电层。本发明的静电卡盘可以抑制因漏电发生的异常放电，提高其电气特性及耐久性。
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公开(公告)号：CN117810106A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311303093.0
申请日：2023-10-10
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供一种晶圆滑片判断装置及基于边缘特征包围面积的判断方法，涉及半导体加工技术领域。装置包括：晶圆运动组件，包括上晶圆运动组件和下晶圆运动组件，其上分别开设用于承载上晶圆的上卡盘和承载下晶圆的下卡盘；视觉运动组件，包括左侧镜头组件和右侧镜头组件，左右两侧的镜头组件相互对称；且开口侧的上下两个端部分别设置光学镜头，用于拍摄识别上晶圆和下晶圆的边缘位置。本发明公开的键合后滑片判断方法基于边缘特征包围面积判断，可以不需要额外增加相机就可实现滑片与否的判断，且判断精度和系统稳定性相对传统方法更高。
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公开(公告)号：CN117344309A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311648392.8
申请日：2023-12-05
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： C23F1/46
摘要： 本发明提供了一种金属刻蚀液回收控制系统及控制方法，涉及半导体技术领域。回收控制系统包括刻蚀工艺腔体、金属离子浓度分析仪、暂存槽、废液回收槽、循环槽，阳离子交换装置、过滤器及刻蚀液供液装置、控制阀。刻蚀制程工艺后，将刻蚀液进行回收，刻蚀液经过过滤后，在暂存槽中经金属离子浓度分析仪检测，若金属离子浓度检测未超标，则通入循环槽中经过滤后重新使用；若金属离子浓度检测超标，将其通过阳离子交换装置置换出金属离子，直至浓度符合标准后打入循环槽，最后经过滤后重新使用。本发明能够有效减少刻蚀液用量并回收金属，节约成本；并且保持刻蚀液金属离子浓度稳定，刻蚀均匀；同时减少废液排放，降低环境污染。
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公开(公告)号：CN117116788A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311376748.7
申请日：2023-10-24
申请人： 苏州芯慧联半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/683 , H01L21/68
摘要： 本发明公开了一种晶圆键合装置及键合方法，涉及半导体键合技术领域。装置包括：对应设置的上卡盘和下卡盘，所述上卡盘的下表面吸附并固定上晶圆，所述下卡盘的上表面吸附并固定下晶圆，所述上卡盘和所述下卡盘中的至少一个倾斜设置，使所述上卡盘和所述下卡盘之间形成夹角θ；所述上卡盘的上表面设置若干个用于采集上卡盘和下卡盘之间接触信号的传感器，所述下卡盘的下表面设置若干个用于带动所述下卡盘向靠近所述上卡盘的方向抬升的Z轴升降机构，其中，所述Z轴升降机构与所述传感器一一对应，且所述Z轴升降机构位于所述传感器投影的正下方。本发明达到了提高晶圆键合的精准度和成功率的目的。
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