基于摄像头的晶圆对位方法和装置

    公开(公告)号:CN118507414B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410977577.1

    申请日:2024-07-22

    IPC分类号: H01L21/68

    摘要: 本发明实施例提供了一种基于摄像头的晶圆对位方法和装置,其中,该方法包括:将待处理晶圆放置在机械手的机械手臂上,通过机械手调整坐标将待处理晶圆放置于摄像头的下方,待处理晶圆的材质为不透明或半透明;控制机械手内部设置的光源发亮,光源发出的预设颜色的单色光通过漫散射部件进行透射,将光源区域透射为预设颜色的背景光,机械手臂的材质为透明材料,漫散射部件的材质为半透明材料;基于待处理晶圆的边缘位置与预设颜色的背景光存在的色差,通过摄像头抓取待处理晶圆的边缘点位生成圆形,输出圆形的圆心坐标;将圆心坐标与初始设置的标准片位置做比对,计算出坐标偏移;通过机械手根据所述坐标偏移对待处理晶圆进行移动,完成晶圆对位。

    基于摄像头的晶圆对位方法和装置

    公开(公告)号:CN118507414A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410977577.1

    申请日:2024-07-22

    IPC分类号: H01L21/68

    摘要: 本发明实施例提供了一种基于摄像头的晶圆对位方法和装置,其中,该方法包括:将待处理晶圆放置在机械手的机械手臂上,通过机械手调整坐标将待处理晶圆放置于摄像头的下方,待处理晶圆的材质为不透明或半透明;控制机械手内部设置的光源发亮,光源发出的预设颜色的单色光通过漫散射部件进行透射,将光源区域透射为预设颜色的背景光,机械手臂的材质为透明材料,漫散射部件的材质为半透明材料;基于待处理晶圆的边缘位置与预设颜色的背景光存在的色差,通过摄像头抓取待处理晶圆的边缘点位生成圆形,输出圆形的圆心坐标;将圆心坐标与初始设置的标准片位置做比对,计算出坐标偏移;通过机械手根据所述坐标偏移对待处理晶圆进行移动,完成晶圆对位。

    用于检测刻蚀均匀性的测试片、测试片的使用及制备方法

    公开(公告)号:CN118366970A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410546615.8

    申请日:2024-05-06

    IPC分类号: H01L23/544 H01L21/66

    摘要: 本发明提供一种用于检测刻蚀均匀性的测试片、测试片的使用及制备方法,涉及半导体技术领域,包括:原始晶圆,原始晶圆的正面设置有硅通孔单元,硅通孔单元包括沿半径方向将原始晶圆等分的分割线方向设置的径向硅通孔单元,以及在原始晶圆的圆心设置的圆心硅通孔单元,其中,同一分割线方向的相邻两个径向硅通孔单元的径向间距相同;每个硅通孔单元中均包括多个等间距设置的硅通孔组,每个硅通孔组中均包括多个硅通孔,每个硅通孔内部均填充有填充物,填充物在硅通孔中形成柱状结构;载片晶圆,载片晶圆与原始晶圆的正面键合连接。使用本发明实施例提供的测试片,可快速而便捷的检测晶圆的刻蚀均匀性。

    一种晶圆清洗机的喷淋装置

    公开(公告)号:CN116469812B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310722043.X

    申请日:2023-06-19

    摘要: 本申请提供了一种晶圆清洗机的喷淋装置,属于晶圆清洗的技术领域,具体所述喷淋装置包括多套喷淋臂、升降组件、旋转组件和防护罩,所述防护罩的底部开口设置,升降组件和旋转组件驱动喷淋臂转动和升降,在一个喷淋臂进行喷淋工作时,其他喷淋臂在升降组件和旋转组件的控制下进入防护罩。通过本申请的处理方案,改善了正在喷淋的清洗液飞溅至其他喷淋臂上的问题,减少正在喷淋的喷淋臂上的从其他喷淋臂中喷出的清洗液的残留量;从而提高每个喷淋臂在喷淋过程中清洗腔室内的喷淋液的单一性,改善喷淋过程中其他种类的清洗液间断的落在晶圆上问题,改善二次污染的问题,减少清洗时间,提高清洗效率。

    一种金属刻蚀液回收控制系统及控制方法

    公开(公告)号:CN117344309A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311648392.8

    申请日:2023-12-05

    IPC分类号: C23F1/46

    摘要: 本发明提供了一种金属刻蚀液回收控制系统及控制方法,涉及半导体技术领域。回收控制系统包括刻蚀工艺腔体、金属离子浓度分析仪、暂存槽、废液回收槽、循环槽,阳离子交换装置、过滤器及刻蚀液供液装置、控制阀。刻蚀制程工艺后,将刻蚀液进行回收,刻蚀液经过过滤后,在暂存槽中经金属离子浓度分析仪检测,若金属离子浓度检测未超标,则通入循环槽中经过滤后重新使用;若金属离子浓度检测超标,将其通过阳离子交换装置置换出金属离子,直至浓度符合标准后打入循环槽,最后经过滤后重新使用。本发明能够有效减少刻蚀液用量并回收金属,节约成本;并且保持刻蚀液金属离子浓度稳定,刻蚀均匀;同时减少废液排放,降低环境污染。

    一种晶圆自旋转刷片清洗装置

    公开(公告)号:CN116598234A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310869511.6

    申请日:2023-07-17

    摘要: 本发明提供了一种晶圆自旋转刷片清洗装置,涉及半导体技术领域。包括:壳体,壳体的内腔为晶圆刷片腔体;刷片组件,包括上侧毛刷组、下侧毛刷组、固定板、第一驱动装置和晶圆承载平台;上侧毛刷组包括第二驱动装置和上侧毛刷,下侧毛刷组包括第三驱动装置和下侧毛刷;固定板固定在壳体的内壁,上侧毛刷组和下侧毛刷组固定在固定板上;晶圆承载平台包括左侧板和右侧板,上侧毛刷和下侧毛刷位于左侧板和右侧板之间的间隔位置处,且分别位于待清洗晶圆的上方和下方;第一驱动装置连接上侧毛刷组和下侧毛刷组,用于驱动毛刷组在垂直方向上运动,将待清洗晶圆夹持或松开。本发明可保证晶圆在刷片过程中受力均匀,刷洗效果稳定,避免晶圆被损坏。

    一种金属刻蚀液回收控制系统及控制方法

    公开(公告)号:CN117344309B

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311648392.8

    申请日:2023-12-05

    IPC分类号: C23F1/46

    摘要: 本发明提供了一种金属刻蚀液回收控制系统及控制方法,涉及半导体技术领域。回收控制系统包括刻蚀工艺腔体、金属离子浓度分析仪、暂存槽、废液回收槽、循环槽,阳离子交换装置、过滤器及刻蚀液供液装置、控制阀。刻蚀制程工艺后,将刻蚀液进行回收,刻蚀液经过过滤后,在暂存槽中经金属离子浓度分析仪检测,若金属离子浓度检测未超标,则通入循环槽中经过滤后重新使用;若金属离子浓度检测超标,将其通过阳离子交换装置置换出金属离子,直至浓度符合标准后打入循环槽,最后经过滤后重新使用。本发明能够有效减少刻蚀液用量并回收金属,节约成本;并且保持刻蚀液金属离子浓度稳定,刻蚀均匀;同时减少废液排放,降低环境污染。

    一种金属剥离方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117293064A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311575289.5

    申请日:2023-11-24

    摘要: 本发明提供一种金属剥离方法,涉及半导体技术领域。包括:将待处理晶圆送入高压工艺腔体,通过高压工艺腔体中的喷淋手臂向高速旋转的晶圆表面喷淋高压液体;所述喷淋手臂根据设定的初始速度,以晶圆半径为喷淋路径进行直线往复运动,完成晶圆的金属剥离过程;其中,将所述喷淋手臂上的喷嘴在晶圆表面上的投影与晶圆圆心之间的距离定义为实时半径,通过微积分计算,建立所述实时半径与速度之间的函数关系式,通过该函数关系式获得喷淋手臂在当前位置的所述实时速度,通过所述实时速度控制喷淋手臂在不同位置处按照不同的速度运动,使所述喷淋手臂在晶圆每个位置的喷淋时间一致。本发明可提高晶圆各个位置上喷淋的均匀性,从而提高产品质量。