半导体激光器接触电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN116316055B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310547285.X

    申请日:2023-05-16

    IPC分类号: H01S5/042 C23C14/35 C23C14/18

    摘要: 本申请公开了半导体激光器接触电极及其制备方法,其中半导体激光器接触电极包括衬底层、接触层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层和上盖层;其中,第一扩散阻挡层包括从下至上依次设置的第一粘结金属、难熔金属或难熔合金以及第二粘结金属,第一粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第一互溶异质界面区域,第二粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第二互溶异质界面区域。本申请公开的半导体激光器接触电极及其制备方法,能够提高整个电极的耐高温性能,提升半导体激光器制造的效率和良率;能够使电极电阻仍能保持在较低的量级,提升半导体激光器的性能;有效降低电极厚度,降低应力,进而降低由于电极厚度增加产生的碎裂风险,提高产品质量。

    半导体激光器接触电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN116316055A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310547285.X

    申请日:2023-05-16

    IPC分类号: H01S5/042 C23C14/35 C23C14/18

    摘要: 本申请公开了半导体激光器接触电极及其制备方法,其中半导体激光器接触电极包括衬底层、接触层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层和上盖层;其中,第一扩散阻挡层包括从下至上依次设置的第一粘结金属、难熔金属或难熔合金以及第二粘结金属,第一粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第一互溶异质界面区域,第二粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第二互溶异质界面区域。本申请公开的半导体激光器接触电极及其制备方法,能够提高整个电极的耐高温性能,提升半导体激光器制造的效率和良率;能够使电极电阻仍能保持在较低的量级,提升半导体激光器的性能;有效降低电极厚度,降低应力,进而降低由于电极厚度增加产生的碎裂风险,提高产品质量。

    具有共背面电极的面光源VCSEL及其制备方法

    公开(公告)号:CN109473528A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811652913.6

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: H01L33/38 H01L33/00

    摘要: 本发明提供一种具有共背面电极的面光源VCSEL及其制备方法,其中,面光源包括:发光芯片、半导体外延层、半导体衬底层、外延面电极、衬底电极、第一背电极以及第二背电极;半导体外延层位于半导体衬底层的正面,发光芯片位于半导体外延层上,发光芯片包括自上而下依次层叠设置的:上DBR层、有源层以及下DBR层,第一背电极和第二背电极位于半导体衬底层的背面,外延面电极一端与上DBR层的上表面相连接,另一端与第一背电极相连接,衬底电极位于半导体外延层上,并与第二背电极相连接。本发明的面光源中,正负电极都设置在背面,同时在正面没有金属跳线,如此有利于面光源空间上的垂直集成。

    具有共背面电极的面光源VCSEL及其制备方法

    公开(公告)号:CN109473528B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN201811652913.6

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: H01L33/38 H01L33/00

    摘要: 本发明提供一种具有共背面电极的面光源VCSEL及其制备方法,其中,面光源包括:发光芯片、半导体外延层、半导体衬底层、外延面电极、衬底电极、第一背电极以及第二背电极;半导体外延层位于半导体衬底层的正面,发光芯片位于半导体外延层上,发光芯片包括自上而下依次层叠设置的:上DBR层、有源层以及下DBR层,第一背电极和第二背电极位于半导体衬底层的背面,外延面电极一端与上DBR层的上表面相连接,另一端与第一背电极相连接,衬底电极位于半导体外延层上,并与第二背电极相连接。本发明的面光源中,正负电极都设置在背面,同时在正面没有金属跳线,如此有利于面光源空间上的垂直集成。

    具有共背面电极的面光源VCSEL

    公开(公告)号:CN209544385U

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201822268789.5

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: H01L33/38 H01L33/00

    摘要: 本实用新型提供一种具有共背面电极的面光源VCSEL,其包括:发光芯片、半导体外延层、半导体衬底层、外延面电极、衬底电极、第一背电极以及第二背电极;半导体外延层位于半导体衬底层的正面,发光芯片位于半导体外延层上,发光芯片包括自上而下依次层叠设置的:上DBR层、有源层以及下DBR层,第一背电极和第二背电极位于半导体衬底层的背面,外延面电极一端与上DBR层的上表面相连接,另一端与第一背电极相连接,衬底电极位于半导体外延层上,并与第二背电极相连接。本实用新型的面光源中,正负电极都设置在背面,同时在正面没有金属跳线,如此有利于面光源空间上的垂直集成。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种高功率半导体激光器

    公开(公告)号:CN212412427U

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202021330117.3

    申请日:2020-07-08

    IPC分类号: H01S5/024 H01S5/40

    摘要: 本实用新型公开了一种高功率半导体激光器,包括:壳体以及设置在壳体内的水冷板、多个激光模块、合束器、激光输出模块,激光模块、合束器、激光输出模块依次连接并设置在水冷板上,水冷板对应设置激光模块、合束器、激光输出模块的表面设置有散热翅片。本实用新型实施例通过将多个激光模块、合束器、激光输出模块设置在水冷板上,通过水冷板实现激光模块、合束器、激光输出模块等发热元器件的散热,从而不会导致由于管路密封不严,发热元器件散热不充足,激光二极管在不太适合的温度下进行工作的问题;并且在水冷板对应设置激光模块、合束器、激光输出模块的表面设置散热翅片,可以加强对激光模块、合束器、激光输出模块的散热效果。