公开(公告)号：CN115863329A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210999017.7

申请日：2022-08-19

申请人： 英特尔公司

发明人： 聂白 ,  P·塔达勇 ,  L·R·阿拉纳 ,  Y·李 ,  刘昌华 ,  K·达尔马韦卡尔塔 ,  S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 ,  T·A·易卜拉欣 ,  H·马哈林加姆 ,  B·董

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  G02B6/122 ,  G02B6/30 ,  G02B6/42

摘要： 本公开内容涉及用于电光集成的管芯优先扇出架构。公开了一种电子装置和关联的方法。在一个示例中，该电子装置包括光子集成电路和原位形成的波导。在选择的示例中，该电子装置包括在玻璃层中耦合到电子集成电路的光子集成电路，其中在玻璃层中形成波导。

公开(公告)号：CN115840269A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210999878.5

申请日：2022-08-19

申请人： 英特尔公司

发明人： 张志超 ,  P·塔达勇 ,  T·A·易卜拉欣 ,  S·V·皮耶塔姆巴拉姆 ,  刘昌华 ,  K·艾京

IPC分类号： G02B6/26

摘要： 本文描述的实施例可以涉及针对半导体封装的玻璃层内的光互连和光波导的装置、工艺和技术，其中与玻璃层物理且光耦合的管芯经由光波导彼此光耦合。一个或多个反射器可以用于引导光路径穿过玻璃层。可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN115524804A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210581043.8

申请日：2022-05-25

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘昌华 ,  P·塔达勇 ,  张志超 ,  L·张 ,  S·奈卡恩蒂

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 本公开内容涉及用于传送光信号的设备、方法和系统。用于有助于与光子集成电路(PIC)芯片以及与其光耦合的透镜结构的水平通信的技术和机制。在实施例中，PIC芯片包括集成电路、光子波导和经由光子波导耦合到集成电路的集成边缘定向耦合器(IEC)。PIC芯片形成IEC的相应第一发散透镜表面，IEC均位于对应的一个光子波导的相应末端处。一种与IEC相邻的透镜结构包括第二发散透镜表面，该第二发散透镜表面具有与第一发散透镜表面的相应取向基本上正交的取向。在另一个实施例中，PIC芯片的边缘形成一个或多个凹槽结构，并且透镜结构包括一个或多个凸榫部分，每个凸榫部分均延伸到一个或多个凹槽结构中的相应凹槽结构中。

公开(公告)号：CN115863267A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211051369.6

申请日：2022-08-23

申请人： 英特尔公司

发明人： 聂白 ,  P·塔达勇 ,  L·R·阿拉纳 ,  Y·李 ,  刘昌华 ,  K·达尔马韦卡尔塔 ,  S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 ,  T·A·易卜拉欣 ,  H·马哈林加姆 ,  B·董

IPC分类号： H01L23/15 ,  H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  G02B6/42 ,  G02B6/26 ,  G02B6/12

摘要： 所公开的各种实施例涉及光子组件。本公开包括用于封装光子组件的方法，该方法包括：将桥管芯附接到玻璃衬底，将电子集成电路管芯附接到玻璃衬底和桥管芯，将光子集成电路管芯附接到玻璃衬底和桥管芯，将耦合适配器接合到玻璃衬底，以及在耦合适配器中原位形成波导，该波导与光子集成电路管芯对准。

公开(公告)号：CN109867258A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201811306777.5

申请日：2018-11-05

申请人： 英特尔公司

发明人： A·阿列克索夫 ,  K·达尔马韦卡尔塔 ,  R·A·梅 ,  刘昌华 ,  田中宏树 ,  F·艾德

IPC分类号： B81B7/00

摘要： 提供了一种封装衬底，其包括：处于第一表面上的一个或多个第一导电接触部；处于与第一表面相对的第二表面上的一个或多个第二导电接触部；处于所述第一和第二表面之间的电介质层；以及处于所述电介质层上的与所述第一导电接触部之一导电耦合的嵌入式感测或致动元件，其中，所述嵌入式感测或致动元件包括处于所述电介质层中的固定金属层以及通过所述电介质层上的一个或多个金属支撑部悬置于所述固定金属层之上的柔性金属层。还公开并主张了其它实施例。

公开(公告)号：CN115863301A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211019453.X

申请日：2022-08-24

申请人： 英特尔公司

发明人： K·麦埃尔欣尼 ,  H·冯 ,  X·郭 ,  S·曹 ,  J·K·韩 ,  刘昌华 ,  L·阿拉纳 ,  R·马内帕利 ,  D·徐 ,  A·埃坦

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

摘要： 公开了用于减少半导体管芯和封装衬底之间的互连中的缺陷的方法和设备。一种设备包括衬底和安装到所述衬底的半导体管芯。所述设备进一步包括用于将所述管芯电耦合到所述衬底的凸块。所述凸块中的一些凸块具有对应的基部。所述基部具有非圆形的形状。

公开(公告)号：CN115808750A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210972537.9

申请日：2022-08-15

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘昌华 ,  P·塔达永 ,  J·赫克 ,  E·莫雷特 ,  T·伊布拉欣 ,  张志超 ,  J·D·埃顿

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 本公开的发明名称是：“通过集成柱面透镜和波导结构将光子集成电路与玻璃衬底对准”。一种电子装置包括：光子集成电路（PIC），其包括至少一个波导；发射透镜，其设置在PIC上以在基本平行于PIC的第一表面的方向上发射来自至少一个波导的光；以及光学元件，其设置在PIC上并具有反射表面，该光学元件被配置成在远离PIC的第一表面的方向上引导从发射透镜发射的光。

公开(公告)号：CN115808751A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210973776.6

申请日：2022-08-15

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘昌华 ,  P·塔达勇 ,  J·赫克 ,  S·奈卡恩蒂

IPC分类号： G02B6/42 ,  G02B6/43

摘要： 一种电子设备包括光子集成电路(PIC)，该PIC包括至少一个光学信号源、被设置在PIC上以在基本上与PIC的第一表面平行的方向上引导由至少一个光学信号源发射的光的发射透镜、以及被设置在PIC上并且具有四分之一圆柱形状的弯曲表面的光学元件，该弯曲表面被配置为在基本上与PIC的第一表面正交的方向上引导从发射透镜发射的光。

公开(公告)号：CN115524794A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210570901.9

申请日：2022-05-24

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘昌华 ,  P·塔达勇 ,  张志超 ,  L·张

IPC分类号： G02B6/26 ,  G02B6/42 ,  G02B6/12

摘要： 本文公开了用于将光子集成电路(PIC)芯片经由平面光波导结构光学耦合至光纤的技术和机制。在实施例中，PIC芯片包括集成电路设备、光子波导以及经由光子波导耦合至集成电路设备的集成边缘取向耦合器(IEC)。该PIC芯片形成所述IEC的相应发散透镜表面，所述IEC均位于所述光子波导中的对应光子波动的相应末端处。与IEC相邻的平面光波导结构包括光学耦合在该PIC芯片与光纤阵列之间的芯。在另一个实施例中，PIC的边缘形成台阶结构，其中，该台阶结构的上部部分包括多个共平面的IEC并且该台阶结构的下部部分延伸超过所述多个共平面的IEC。

公开(公告)号：CN115497871A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210546872.2

申请日：2022-05-18

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘昌华 ,  L·R·阿拉纳 ,  J·D·埃克顿 ,  S·纳德 ,  B·C·马林

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  G03F7/20

摘要： 公开了用于低错位或零错位过孔的技术。在一个实施例中，向衬底施加高光敏度层、中等光敏度层和低光敏度层，并且同时利用多色调掩模对这些层曝光。在受到显影之后，一个层形成了用于第一过孔的模制物，一个层形成了用于导电迹线和第二过孔的模制物，并且一个层形成了在第二过孔的位置之上伸出物。利用铜填充由这些光敏层形成的模制物，并且然后对其进行蚀刻。伸出物防止位于伸出物区域下方的铜填充物的顶部受到蚀刻。照此，位于伸出物之下的区域在蚀刻之后形成了可以被用作过孔的支柱或立柱。还公开了其他实施例。