公开(公告)号：CN110024121B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201780073754.1

申请日：2017-12-21

申请人： 英特尔公司

发明人： M·T·博尔 ,  W·戈梅斯 ,  R·库马尔 ,  P·塔达勇 ,  D·因格利

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/36

摘要： 描述了超芯片结构和制作超芯片的方法。在示例中，一种集成电路组件包括具有与背侧相对的器件侧的第一集成电路芯片。所述器件侧包括多个晶体管器件以及多个器件侧接触点。所述背侧包括多个背侧接触部。第二集成电路芯片包括具有位于其上的多个器件接触点的器件侧。所述第二集成电路芯片按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上。所述第二集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点。从平面图的角度来看所述第二集成电路芯片比所述第一集成电路芯片小。

公开(公告)号：CN116344528A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211471521.6

申请日：2022-11-23

申请人： 英特尔公司

发明人： K·艾哈迈德 ,  P·塔达勇 ,  J·B·弗莱曼 ,  S·Y·舒马拉耶夫

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L31/173 ,  H01L31/0232

摘要： 公开了用于芯片对芯片光学数据传送的技术。在例示性实施例中，第一芯片上的微LED用于向第二芯片上的微光电二极管发送数据。来自微LED的射束可以使用光学桥、微棱镜、穿过基板的通道、在基板中限定的通道等发送至微光电二极管。所述微LED可以用于以低功率使用量进行高速数据传送。芯片可以包括相对较大的数量的微LED和/或微光电二极管，从而允许实施高带宽连接。微LED和微光电二极管可以用于连接同一芯片的不同部分、同一封装上的不同芯片、同一装置上的不同封装或者不同装置上的不同芯片。

公开(公告)号：CN115863329A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210999017.7

申请日：2022-08-19

申请人： 英特尔公司

发明人： 聂白 ,  P·塔达勇 ,  L·R·阿拉纳 ,  Y·李 ,  刘昌华 ,  K·达尔马韦卡尔塔 ,  S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 ,  T·A·易卜拉欣 ,  H·马哈林加姆 ,  B·董

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  G02B6/122 ,  G02B6/30 ,  G02B6/42

摘要： 本公开内容涉及用于电光集成的管芯优先扇出架构。公开了一种电子装置和关联的方法。在一个示例中，该电子装置包括光子集成电路和原位形成的波导。在选择的示例中，该电子装置包括在玻璃层中耦合到电子集成电路的光子集成电路，其中在玻璃层中形成波导。

公开(公告)号：CN115826153A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210926639.7

申请日：2022-08-03

申请人： 英特尔公司

发明人： S·奈卡恩蒂 ,  P·塔达勇 ,  X·F·布吕诺 ,  W·B·摩根 ,  J·M·赫克 ,  J·F·瓦尔奇克 ,  P·J·迪利奥

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 公开了用于光耦合到光子集成电路(PIC)管芯的技术。在说明性实施例中，具有一个或多个透镜的透镜组件被定位成准直从PIC管芯中的一个或多个波导出来的光。说明性透镜组件的一部分在PIC管芯的顶表面之上延伸并且与PIC管芯接触。PIC管芯的顶表面建立透镜组件的垂直定位。在说明性实施例中，透镜组件至少部分地定位在PIC管芯内限定的腔体内部，这允许在单切为各个管芯之前在晶圆级集成透镜组件。

公开(公告)号：CN115840269A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210999878.5

申请日：2022-08-19

申请人： 英特尔公司

发明人： 张志超 ,  P·塔达勇 ,  T·A·易卜拉欣 ,  S·V·皮耶塔姆巴拉姆 ,  刘昌华 ,  K·艾京

IPC分类号： G02B6/26

摘要： 本文描述的实施例可以涉及针对半导体封装的玻璃层内的光互连和光波导的装置、工艺和技术，其中与玻璃层物理且光耦合的管芯经由光波导彼此光耦合。一个或多个反射器可以用于引导光路径穿过玻璃层。可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN115524804A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210581043.8

申请日：2022-05-25

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘昌华 ,  P·塔达勇 ,  张志超 ,  L·张 ,  S·奈卡恩蒂

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 本公开内容涉及用于传送光信号的设备、方法和系统。用于有助于与光子集成电路(PIC)芯片以及与其光耦合的透镜结构的水平通信的技术和机制。在实施例中，PIC芯片包括集成电路、光子波导和经由光子波导耦合到集成电路的集成边缘定向耦合器(IEC)。PIC芯片形成IEC的相应第一发散透镜表面，IEC均位于对应的一个光子波导的相应末端处。一种与IEC相邻的透镜结构包括第二发散透镜表面，该第二发散透镜表面具有与第一发散透镜表面的相应取向基本上正交的取向。在另一个实施例中，PIC芯片的边缘形成一个或多个凹槽结构，并且透镜结构包括一个或多个凸榫部分，每个凸榫部分均延伸到一个或多个凹槽结构中的相应凹槽结构中。

公开(公告)号：CN110024121A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780073754.1

申请日：2017-12-21

申请人： 英特尔公司

发明人： M·T·博尔 ,  W·戈梅斯 ,  R·库马尔 ,  P·塔达勇 ,  D·因格利

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/36

摘要： 描述了超芯片结构和制作超芯片的方法。在示例中，一种集成电路组件包括具有与背侧相对的器件侧的第一集成电路芯片。所述器件侧包括多个晶体管器件以及多个器件侧接触点。所述背侧包括多个背侧接触部。第二集成电路芯片包括具有位于其上的多个器件接触点的器件侧。所述第二集成电路芯片按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上。所述第二集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点。从平面图的角度来看所述第二集成电路芯片比所述第一集成电路芯片小。

公开(公告)号：CN117616570A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280045401.1

申请日：2022-11-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D·金 ,  S·梅 ,  P·塔达勇 ,  J·M·甘巴 ,  S·加内桑

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/52 ,  H01L23/00 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  G02B6/26

摘要： 在一个实施例中，一种光学模块包括电子集成电路、光子集成电路和可插拔光学耦合连接器。所述光子集成电路发送或接收光信号。所述可插拔光学耦合连接器与所述光子集成电路相邻并且包括用于将光纤阵列光学耦合到所述光子集成电路的可插拔接口。此外，所述电子集成电路、所述光子集成电路和所述可插拔光学耦合连接器全部嵌入模制物中。

公开(公告)号：CN117581358A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280046123.1

申请日：2022-12-01

申请人： 英特尔公司

发明人： 林子寅 ,  A·M·加勒利克 ,  K·梅亚潘 ,  G·穆尔塔吉安 ,  S·奈卡恩蒂 ,  T·罗林斯 ,  J·L·斯莫利 ,  P·塔达勇 ,  徐定颖

IPC分类号： H01L23/492

摘要： 公开了一种电子器件以及相关联的方法。在一个示例中，电子器件包括插座，该插座包括一个或多个液态金属填充的储集器。在所选示例中，电子器件和插座包括有助于减少湿气进入的配置。

公开(公告)号：CN116190326A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310298481.8

申请日：2017-12-21

申请人： 英特尔公司

发明人： M·T·博尔 ,  W·戈梅斯 ,  R·库马尔 ,  P·塔达勇 ,  D·因格利

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367

摘要： 描述了超芯片结构和制作超芯片的方法。在示例中，一种集成电路组件包括具有与背侧相对的器件侧的第一集成电路芯片。所述器件侧包括多个晶体管器件以及多个器件侧接触点。所述背侧包括多个背侧接触部。第二集成电路芯片包括具有位于其上的多个器件接触点的器件侧。所述第二集成电路芯片按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上。所述第二集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点。从平面图的角度来看所述第二集成电路芯片比所述第一集成电路芯片小。