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公开(公告)号：CN104025060A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180075116.6
申请日：2011-09-30
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G06F13/1694 , G06F9/467 , G06F11/1064 , G06F12/0238 , G06F12/0802 , G06F12/0804 , G06F12/0811 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/1668 , G06F13/4068 , G06F13/42 , G06F13/4234 , G06F2212/1008 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/2024 , G06F2212/7203 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/151
摘要： 一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
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公开(公告)号：CN107391397B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201710382875.6
申请日：2011-09-30
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G06F12/0804 , G06F9/46 , G06F11/10 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/16 , G06F13/40 , G06F13/42
摘要： 一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
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公开(公告)号：CN103946826B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201180075093.9
申请日：2011-09-30
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G06F12/0811 , G06F12/0238 , G06F12/08 , G06F12/0802 , G06F12/0848 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F13/1684 , G06F2212/2024 , G06F2212/304
摘要： 描述一种用于集成包含计算机系统内非易失性存储器层的存储器和存储装置层级的系统和方法。在一个实施例中，PCMS存储器装置被用作层级中的一层，有时被称为“远存储器”。较高性能存储器装置（诸如DRAM）放在远存储器前面，并且用于掩蔽远存储器的一些性能限制。这些较高性能存储器装置被称为“近存储器”。
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公开(公告)号：CN107391397A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710382875.6
申请日：2011-09-30
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G06F12/0804 , G06F9/46 , G06F11/10 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/16 , G06F13/40 , G06F13/42
CPC分类号： G06F13/1694 , G06F9/467 , G06F11/1064 , G06F12/0238 , G06F12/0802 , G06F12/0804 , G06F12/0811 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/1668 , G06F13/4068 , G06F13/42 , G06F13/4234 , G06F2212/1008 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/2024 , G06F2212/7203 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/151
摘要： 一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
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公开(公告)号：CN104025060B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201180075116.6
申请日：2011-09-30
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G06F12/0804 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F11/10 , G06F13/14 , G06F13/16 , G06F13/40 , G06F13/42 , G06F9/46
CPC分类号： G06F13/1694 , G06F9/467 , G06F11/1064 , G06F12/0238 , G06F12/0802 , G06F12/0804 , G06F12/0811 , G06F12/0868 , G06F12/0897 , G06F13/1668 , G06F13/4068 , G06F13/42 , G06F13/4234 , G06F2212/1008 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/2024 , G06F2212/7203 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/151
摘要： 一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
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公开(公告)号：CN103946812B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201180075118.5
申请日：2011-09-30
申请人： 英特尔公司
发明人： R.K.拉马努简 , R.阿加瓦尔 , 郑凯 , T.波尔佩迪 , C.C.拉德 , D.J.齐默曼 , M.P.斯瓦米纳桑 , D.齐亚卡斯 , M.J.库马 , B.N.库里 , G.J.欣顿
CPC分类号： G06F12/0811 , G06F12/0895 , G06F12/0897 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G11C11/40615 , G11C14/009 , Y02D10/13
摘要： 描述了用于集成存储器和存储分级体系的系统和方法，所述存储分级体系包括在计算机系统内的非易失性存储器层。在一个实施例中，PCMS存储器装置用作在分级体系中的一个层，有时被称作“远存储器”。将诸如DRAM的更高性能的存储器装置放置在远存储器的前面，并且用来屏蔽远存储器的性能限制中的一些。这些更高性能的存储器装置被称作“近存储器”。
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公开(公告)号：CN103946826A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180075093.9
申请日：2011-09-30
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G06F12/0811 , G06F12/0238 , G06F12/08 , G06F12/0802 , G06F12/0848 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F13/1684 , G06F2212/2024 , G06F2212/304
摘要： 本发明描述一种用于集成包含计算机系统内非易失性存储器层的存储器和存储装置层级的系统和方法。在一个实施例中，PCMS存储器装置被用作层级中的一层，有时被称为“远存储器”。较高性能存储器装置（诸如DRAM）放在远存储器前面，并且用于掩蔽远存储器的一些性能限制。这些较高性能存储器装置被称为“近存储器”。
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公开(公告)号：CN103946812A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180075118.5
申请日：2011-09-30
申请人： 英特尔公司
发明人： R.K.拉马努简 , R.阿加瓦尔 , 郑凯 , T.波尔佩迪 , C.C.拉德 , D.J.齐默曼 , M.P.斯瓦米纳桑 , D.齐亚卡斯 , M.J.库马 , B.N.库里 , G.J.欣顿
CPC分类号： G06F12/0811 , G06F12/0895 , G06F12/0897 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G11C11/40615 , G11C14/009 , Y02D10/13
摘要： 描述了用于集成存储器和存储分级体系的系统和方法，所述存储分级体系包括在计算机系统内的非易失性存储器层。在一个实施例中，PCMS存储器装置用作在分级体系中的一个层，有时被称作“远存储器”。将诸如DRAM的更高性能的存储器装置放置在远存储器的前面，并且用来屏蔽远存储器的性能限制中的一些。这些更高性能的存储器装置被称作“近存储器”。
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