-
公开(公告)号：CN102087999A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010591397.8
申请日：2004-12-21
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/51
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/823842 , H01L29/495 , H01L29/66545 , Y10S438/926
摘要： 本发明涉及用于集成替换金属栅极结构的方法。本发明描述了形成微电子器件的方法和相关结构。那些方法包括：提供包括包含n-型栅极材料的第一晶体管结构和包含p-型栅极材料的第二晶体管结构的衬底，选择性地去除n-型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，然后用n-型金属栅极材料填充该凹进。
-
公开(公告)号：CN100550350C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200480039412.0
申请日：2004-12-22
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/28097 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L27/1203 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , Y10S438/926
摘要： 描述了一种半导体器件以及形成它的方法。该半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。
-
公开(公告)号：CN1902750A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039439.X
申请日：2004-12-21
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/823842 , H01L29/495 , H01L29/66545 , Y10S438/926
摘要： 描述了形成微电子器件的方法和相关结构。那些方法包括：提供包括包含n－型栅极材料的第一晶体管结构和包含p－型栅极材料的第二晶体管结构的衬底，选择性地去除n－型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，然后用n－型金属栅极材料填充该凹进。
-
公开(公告)号：CN102171813B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200980139208.9
申请日：2009-12-09
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/823814 , H01L21/845 , H01L27/11 , H01L27/1211
摘要： 一种静态随机存取存储器电路包括：至少一个存取器件，其包括通路区域的源和漏部分；至少一个上拉器件；以及至少一个下拉器件，其包括下拉区域的源和漏部分。静态随机存取存储器电路被配置为下拉区域的外部电阻率(Rext)低于通路区域的Rext。获得静态随机存取存储器电路的工艺包括源和漏外延。
-
公开(公告)号：CN102171813A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980139208.9
申请日：2009-12-09
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L21/823814 , H01L21/845 , H01L27/11 , H01L27/1211
摘要： 一种静态随机存取存储器电路包括：至少一个存取器件，其包括通路区域的源和漏部分；至少一个上拉器件；以及至少一个下拉器件，其包括下拉区域的源和漏部分。静态随机存取存储器电路被配置为下拉区域的外部电阻率(Rext)低于通路区域的Rext。获得静态随机存取存储器电路的工艺包括源和漏外延。
-
公开(公告)号：CN1902749A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039412.0
申请日：2004-12-22
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/28097 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L27/1203 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , Y10S438/926
摘要： 描述了一种半导体器件以及形成它的方法。该半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.018 秒)
