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公开(公告)号：CN107636822B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201680030630.0
申请日：2016-06-27
申请人： 英特尔公司
摘要： 本公开内容提供用于形成电阻随机存取存储器(RRAM)器件的系统和方法。根据本公开内容的RRAM器件包括衬底和布置在其上的第一电极。RRAM器件包括布置在第一电极之上的第二电极和布置在第一电极和第二电极之间的RRAM电介质层。RRAM电介质层具有在第二电极和RRAM电介质层之间的界面处的顶部中心部分处的凹槽。
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公开(公告)号：CN111149212A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201780095403.0
申请日：2017-12-27
申请人： 英特尔公司
摘要： 本文公开了低电阻场效应晶体管及其制造方法。本文公开的示例场效应晶体管包括衬底和衬底上方的堆叠体。该堆叠体包括绝缘体和栅电极。该示例场效应晶体管包括堆叠体的腔体中的半导体材料层。在示例场效应晶体管中，半导体材料层的邻近绝缘体的区域掺杂有绝缘体的材料。
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公开(公告)号：CN105308683A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201380074016.0
申请日：2013-03-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G11C11/15 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/14
摘要： 实施例包括：磁隧道结(MTJ)，其包括自由磁层、固定磁层、以及所述自由磁层与所述固定磁层之间的隧道势垒；所述隧道势垒直接接触所述自由磁层的第一侧；以及氧化物层，其直接接触所述自由磁层的第二侧；其中，所述隧道势垒包括氧化物并且具有第一电阻-面积(RA)乘积，并且所述氧化物层具有低于所述第一RA乘积的第二RA乘积。所述MTJ可以包括在垂直自旋转移矩存储器中。所述隧道势垒和所述氧化物层形成了具有高稳定性的存储器，其RA乘积大体上不高于具有仅单个氧化物层的MTJ的较不稳定的存储器。本文中描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN1812123B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200510023017.X
申请日：2005-10-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0847 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/76 , H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/0895 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7834
摘要： 本发明的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。
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公开(公告)号：CN100527437C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200580010856.6
申请日：2005-03-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28105 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/32051 , H01L29/4958 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/6659
摘要： 一种晶体管包括在形成于衬底上的栅电介质层上形成的栅电极。在栅电极的横向相对侧壁的相对侧上的衬底中形成一对源/漏区。栅电极具有形成于栅电介质层上和源区与漏区之间的衬底区上方的中心部分，以及与一部分源/漏区重叠的一对侧壁部分，其中中心部分具有第一功函数，并且所述侧壁部分对具有第二功函数，其中第二功函数与第一功函数不同。
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公开(公告)号：CN104584250A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380043271.9
申请日：2013-09-04
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L43/02
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/18 , H01F10/1933 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/325 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本发明描述了适用于自旋转移矩存储器(STTM)器件的磁性隧道结(MTJ)，其包括垂直磁层、以及由结晶阻碍层而与自由磁层分开的一个或多个各向异性增强层。在实施例中，各向异性增强层改善所述自由磁层的垂直取向，而结晶障碍利用所述自由磁层的晶体织构与隧穿层的晶体织构的更好的对准来改善隧道磁致电阻(TMR)比。
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公开(公告)号：CN101292346B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200680035521.4
申请日：2006-09-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L29/10
CPC分类号： H01L21/823828 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L29/1037 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851
摘要： 一种能够将平面型(10)和非平面型(20、30)晶体管集成在块状半导体衬底上的工艺，其中，所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围加以限定。
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公开(公告)号：CN101142688B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200680008711.7
申请日：2006-01-04
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/78687
摘要： 实施方案是包括应变沟道区的非平面MOS晶体管结构。非平面MOS晶体管结构，尤其是NMOS三栅晶体管，和应变沟道优点的结合，使得与具有非应变沟道的非平面MOS结构或者包含应变沟道的平面MOS结构相比，就给定栅长度宽度而言，改善了晶体管驱动电流、开关速度，并减少了漏电流。
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公开(公告)号：CN1977387A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021607.7
申请日：2005-06-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/76243 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/045 , H01L29/66772
摘要： 提供了一种高迁移率半导体组件。在一个示范方面，高迁移率半导体组件包括具有位于第一衬底上 晶面位置处的第一参考定向的第一衬底和在第一衬底顶部形成的第二衬底。第二衬底具有位于第二衬底上 晶面位置处的第二参考定向，其中第一参考定向与第二参考定向对准。在另一个示范方面，第二衬底具有位于第二衬底上 晶面位置处的第二参考定向，其中在第二参考定向相对于第一参考定向偏移大约45度的情况下，第二衬底在第一衬底上方形成。
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公开(公告)号：CN110192288A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201680091194.8
申请日：2016-12-28
申请人： 英特尔公司
发明人： J·布罗克曼 , C·维甘德 , M·T·拉赫曼 , D·韦莱特 , A·史密斯 , J·阿尔萨特维纳斯科 , C·郭 , M·多齐 , K·奥乌兹 , K·奥布莱恩 , B·多伊尔 , O·戈隆茨卡 , T·加尼
摘要： 一种装置包括：磁隧道结(MTJ)，其包括自由磁层、固定磁层、以及在自由层和固定层之间的隧道势垒，所述隧道势垒直接接触自由层的第一侧；覆盖层，其接触自由磁层的第二侧；以及硼吸收层，其位于覆盖层上方的固定距离处。
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