公开(公告)号：CN104981904B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201480008970.4

申请日：2014-02-13

申请人： 英特尔公司

发明人： R.J.科瓦尔 ,  F.A.辛塞克-埃格

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： 本文公开了非易失性存储器装置和用于形成该非易失性存储器装置的方法。存储器装置利用在NAND串中降低在NAND串的边缘的块体沟道泄漏的局部埋入沟道电介质，其中，沿串支柱方向的电场梯度在编程操作期间处在或接近最大值。存储器装置包括在一端耦合到位线并且在另一端耦合到源极的沟道。选择栅在耦合到位线的沟道的端形成以选择性地控制在位线与沟道之间的传导。在选择栅与沟道的第二端之间沿沟道的长度形成至少一个非易失性存储单元。在沟道的第一端，在沟道内形成局部电介质区域。

公开(公告)号：CN104981904A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480008970.4

申请日：2014-02-13

申请人： 英特尔公司

发明人： R.J.科瓦尔 ,  F.A.辛塞克-埃格

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： 本文公开了非易失性存储器装置和用于形成该非易失性存储器装置的方法。存储器装置利用在NAND串中降低在NAND串的边缘的块体沟道泄漏的局部埋入沟道电介质，其中，沿串支柱方向的电场梯度在编程操作期间处在或接近最大值。存储器装置包括在一端耦合到位线并且在另一端耦合到源极的沟道。选择栅在耦合到位线的沟道的端形成以选择性地控制在位线与沟道之间的传导。在选择栅与沟道的第二端之间沿沟道的长度形成至少一个非易失性存储单元。在沟道的第一端，在沟道内形成局部电介质区域。