公开(公告)号：CN104347475A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410385790.X

申请日：2014-08-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.布赖梅泽尔 ,  E.格里布尔 ,  O.赫伯伦 ,  A.莫泽尔 ,  H-J.舒尔策 ,  S.福斯

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及具有沟槽隔离区的边缘终止结构。一种半导体器件包含半导体基体和边缘终止结构。该边缘终止结构包括第一氧化层、第二氧化层、在该第一氧化层和该第二氧化层之间的半导体台面区以及包括在该半导体台面区中的第一片段以及在该半导体台面区以下的区中的第二片段的掺杂场区。该第二片段在该半导体台面区以下的区中与该第一和第二氧化层重叠。

公开(公告)号：CN104347475B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410385790.X

申请日：2014-08-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.布赖梅泽尔 ,  E.格里布尔 ,  O.赫伯伦 ,  A.莫泽尔 ,  H-J.舒尔策 ,  S.福斯

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及具有沟槽隔离区的边缘终止结构。一种半导体器件包含半导体基体和边缘终止结构。该边缘终止结构包括第一氧化层、第二氧化层、在该第一氧化层和该第二氧化层之间的半导体台面区以及包括在该半导体台面区中的第一片段以及在该半导体台面区以下的区中的第二片段的掺杂场区。该第二片段在该半导体台面区以下的区中与该第一和第二氧化层重叠。