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公开(公告)号：CN104347475A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410385790.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L29/063 , H01L21/761 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/66348 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及具有沟槽隔离区的边缘终止结构。一种半导体器件包含半导体基体和边缘终止结构。该边缘终止结构包括第一氧化层、第二氧化层、在该第一氧化层和该第二氧化层之间的半导体台面区以及包括在该半导体台面区中的第一片段以及在该半导体台面区以下的区中的第二片段的掺杂场区。该第二片段在该半导体台面区以下的区中与该第一和第二氧化层重叠。
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公开(公告)号：CN107017250A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610966547.6
申请日：2016-10-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： F-J.尼德诺斯泰德 , F.D.普菲尔施 , F.J.桑托斯罗德里格斯 , H-J.舒尔策 , S.福斯 , W.瓦格纳
IPC: H01L27/085 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/8232 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及具有软切换行为的绝缘栅半导体器件。公开的是半导体器件和用于产生其的方法。半导体器件包括：多个器件单元，每一个包括体区、源极区、以及邻近体区并通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极；以及导电栅极层，包括栅电极或者电连接到多个器件单元的栅电极。栅极层电连接到栅极导体，并且包括增加电阻区和降低电阻区中的至少一个。
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公开(公告)号：CN106024857B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201610194275.2
申请日：2016-03-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L23/58 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及具有沟道截断环的半导体器件及生产其的方法。一种垂直半导体器件（1）包括：具有前表面（11）和背表面（12）的衬底（2），位于所述衬底（2）中的有源区（AA），其具有掺杂有第一掺杂剂类型的漂移区域（22），在横向上围绕所述有源区（AA）的边缘终端区域（ER），被提供在所述前表面处并位于所述边缘终端区域（ER）中的沟道截断环端子（40），以及位于所述沟道截断环端子（40）朝向所述有源区（AA）的一侧上并被提供成与所述沟道截断环端子（40）相邻的第一抑制沟槽（50）。此外，提供了一种用于这种半导体器件的生产方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024857A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610194275.2
申请日：2016-03-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L23/58 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0623 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L23/58 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7827
Abstract: 本发明涉及具有沟道截断环的半导体器件及生产其的方法。一种垂直半导体器件（1）包括：具有前表面（11）和背表面（12）的衬底（2），位于所述衬底（2）中的有源区（AA），其具有掺杂有第一掺杂剂类型的漂移区域（22），在横向上围绕所述有源区（AA）的边缘终端区域（ER），被提供在所述前表面处并位于所述边缘终端区域（ER）中的沟道截断环端子（40），以及位于所述沟道截断环端子（40）朝向所述有源区（AA）的一侧上并被提供成与所述沟道截断环端子（40）相邻的第一抑制沟槽（50）。此外，提供了一种用于这种半导体器件的生产方法。
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公开(公告)号：CN109841514B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201811443364.1
申请日：2018-11-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： H-J.舒尔策 , F-J.尼德诺斯泰德 , O.J.施普尔伯 , S.福斯
IPC: H10D8/01 , H10D12/01 , H01L21/324 , H01L21/304 , H01L21/265 , H01L21/322 , H10D62/10
Abstract: 公开了制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法。包括在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场终止区带部分。在第一场终止区带部分上形成第一导电类型的漂移区带。漂移区带的平均掺杂浓度小于第一场终止区带部分的平均掺杂浓度的80%。在第一表面处处理半导体主体。通过从与第一表面相对的第二表面移除半导体衬底的材料来进行薄化。通过将处在一个或多个能量的质子通过第二表面注入到半导体主体中来形成第一导电类型的第二场终止区带部分。质子的最深的范围边界峰值按在从3μm到60μm的范围中的距漂移区带与第一场终止区带部分之间的过渡部的竖向距离设置于第一场终止区带部分中。通过热处理来对半导体主体进行退火。
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公开(公告)号：CN107017250B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201610966547.6
申请日：2016-10-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： F-J.尼德诺斯泰德 , F.D.普菲尔施 , F.J.桑托斯罗德里格斯 , H-J.舒尔策 , S.福斯 , W.瓦格纳
IPC: H01L27/085 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/8232 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及具有软切换行为的绝缘栅半导体器件。公开的是半导体器件和用于产生其的方法。半导体器件包括：多个器件单元，每一个包括体区、源极区、以及邻近体区并通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极；以及导电栅极层，包括栅电极或者电连接到多个器件单元的栅电极。栅极层电连接到栅极导体，并且包括增加电阻区和降低电阻区中的至少一个。
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公开(公告)号：CN109841514A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811443364.1
申请日：2018-11-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： H-J.舒尔策 , F-J.尼德诺斯泰德 , O.J.施普尔伯 , S.福斯
IPC: H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/324 , H01L21/304 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/06
Abstract: 公开了制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法。包括在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场终止区带部分。在第一场终止区带部分上形成第一导电类型的漂移区带。漂移区带的平均掺杂浓度小于第一场终止区带部分的平均掺杂浓度的80%。在第一表面处处理半导体主体。通过从与第一表面相对的第二表面移除半导体衬底的材料来进行薄化。通过将处在一个或多个能量的质子通过第二表面注入到半导体主体中来形成第一导电类型的第二场终止区带部分。质子的最深的范围边界峰值按在从3μm到60μm的范围中的距漂移区带与第一场终止区带部分之间的过渡部的竖向距离设置于第一场终止区带部分中。通过热处理来对半导体主体进行退火。
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公开(公告)号：CN104347475B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410385790.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L29/063 , H01L21/761 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/66348 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及具有沟槽隔离区的边缘终止结构。一种半导体器件包含半导体基体和边缘终止结构。该边缘终止结构包括第一氧化层、第二氧化层、在该第一氧化层和该第二氧化层之间的半导体台面区以及包括在该半导体台面区中的第一片段以及在该半导体台面区以下的区中的第二片段的掺杂场区。该第二片段在该半导体台面区以下的区中与该第一和第二氧化层重叠。
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