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公开(公告)号：CN104037181B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201310619425.6
申请日：2013-11-29
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/035272 , G01S7/4914 , H01L27/14806
摘要： 本发明涉及光生电荷载流子的控制。描述并描绘了与光生电荷载流子的控制有关的实施例。一种制造设备的方法，所述方法包括：提供非均匀掺杂轮廓，以使得在光转换区域的至少部分中生成具有垂直场矢量分量的电场；在非均匀掺杂轮廓上方生成包括多个控制电极的控制电极结构用于引导光生电荷载流子。
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公开(公告)号：CN107452760B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710333320.2
申请日：2017-05-12
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： H.法伊克
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开光学传感器设备和用于操作飞行时间传感器的方法。光学传感器设备，其可以是飞行时间传感器，包括具有多个像素的像素阵列。此外，光学传感器设备包括配置成从第一和第二像素提供光生电荷载流子以供读出的读出节点，和配置成使能通过使用读出节点对第一像素的读出的第一传输门，以及用以在第一像素的读出期间禁用第二像素的读出的第二传输门。
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公开(公告)号：CN107452760A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710333320.2
申请日：2017-05-12
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： H.法伊克
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开光学传感器设备和用于操作飞行时间传感器的方法。光学传感器设备，其可以是飞行时间传感器，包括具有多个像素的像素阵列。此外，光学传感器设备包括配置成从第一和第二像素提供光生电荷载流子以供读出的读出节点，和配置成使能通过使用读出节点对第一像素的读出的第一传输门，以及用以在第一像素的读出期间禁用第二像素的读出的第二传输门。
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公开(公告)号：CN103904027B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310427055.6
申请日：2013-09-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14856 , G01S7/4865 , G01S7/4914 , H01L27/14601 , H01L27/14683 , H04N5/369
摘要： 本发明涉及成像器设备的制造和成像器设备。一种制造成像器设备的方法，所述方法包括：形成第一控制电极、第二控制电极和第三控制电极以在成像器设备的操作期间提供用于转移光生电荷载流子的电位分布，第一、第二和第三控制电极相互横向地间隔开，形成到第一控制电极的第一电气连接用于在成像器设备的操作期间供应电驱动信号到第一控制电极；形成到第二控制电极的第二电气连接用于在成像器设备的操作期间提供电位到第二控制电极；第三控制电极具有到第一控制电极和第二控制电极的电容性耦合，以使得第三控制电极的第三电位通过电容性耦合以施加到第一控制电极的第一电位和施加到第二控制电极的第二电位的数值之间的数值生成。
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公开(公告)号：CN107403814B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710333692.5
申请日：2017-05-12
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： H.法伊克
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开光学传感器设备和用于制造光学传感器设备的方法。示出一种光学传感器设备，其包括用以将电磁信号转换成光生电荷载流子的转换区。光学传感器设备包括配置成读出光生电荷载流子的读出节点和通过隔离材料与转换区分离的控制电极。此外，光学传感器设备包括控制电极与转换区之间的半导体衬底中的掺杂区，其中掺杂区包括相比于转换区的最小掺杂浓度更高的掺杂浓度，其中掺杂浓度是转换区的最小掺杂浓度的至少1000倍，并且其中掺杂区延伸到半导体衬底中。此外，控制电极朝向转换区的投影与掺杂区重叠或位于掺杂区中。实施例将光学传感器设备示出为飞行时间传感器。
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公开(公告)号：CN105097665A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510261574.9
申请日：2015-05-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/482
CPC分类号： H01L21/76237 , H01L21/26506 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L29/0607 , H01L29/0649 , H01L21/76895 , H01L23/482
摘要： 本发明涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法可包括：在半导体衬底的第一区中形成开口，开口具有至少一个侧壁和底部；将掺杂剂原子注入开口的至少一个侧壁和底部中；将横向邻近于第一区的半导体衬底的第二区的至少一部分配置为非晶或多晶区中的至少一个；以及在半导体衬底的第一和第二区中的至少一个之上形成互连。
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公开(公告)号：CN104821317A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510059998.7
申请日：2015-02-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L23/31
CPC分类号： H04B1/44 , H01L21/324 , H01L29/1079 , H01L29/78
摘要： 本发明涉及开关装置、通信装置以及用于处理载体的方法。根据各种实施例，开关装置可包括：天线端子；开关，其包括第一开关端子和第二开关端子，该第一开关端子被耦合到天线端子，该开关包括至少一个晶体管，其位于硅区上或硅区中的至少之一，该硅区包括小于约3×1017原子每立方厘米的氧杂质浓度；以及收发器端子，其被耦合到第二开关端子，其中该收发器端子进行以下中的至少一个：被配置为提供经由天线端子接收的信号，或者被配置为接收将经由天线端子发送的信号。
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公开(公告)号：CN103904027A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310427055.6
申请日：2013-09-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14856 , G01S7/4865 , G01S7/4914 , H01L27/14601 , H01L27/14683 , H04N5/369
摘要： 本发明涉及成像器设备的制造和成像器设备。一种制造成像器设备的方法，所述方法包括：形成第一控制电极、第二控制电极和第三控制电极以在成像器设备的操作期间提供用于转移光生电荷载流子的电位分布，第一、第二和第三控制电极相互横向地间隔开，形成到第一控制电极的第一电气连接用于在成像器设备的操作期间供应电驱动信号到第一控制电极；形成到第二控制电极的第二电气连接用于在成像器设备的操作期间提供电位到第二控制电极；第三控制电极具有到第一控制电极和第二控制电极的电容性耦合，以使得第三控制电极的第三电位通过电容性耦合以施加到第一控制电极的第一电位和施加到第二控制电极的第二电位的数值之间的数值生成。
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公开(公告)号：CN105097665B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201510261574.9
申请日：2015-05-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/482
CPC分类号： H01L21/76237 , H01L21/26506 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L29/0607 , H01L29/0649
摘要： 本发明涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法可包括：在半导体衬底的第一区中形成开口，开口具有至少一个侧壁和底部；将掺杂剂原子注入开口的至少一个侧壁和底部中；将横向邻近于第一区的半导体衬底的第二区的至少一部分配置为非晶或多晶区中的至少一个；以及在半导体衬底的第一和第二区中的至少一个之上形成互连。
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公开(公告)号：CN104821317B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510059998.7
申请日：2015-02-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L23/31
摘要： 本发明涉及开关装置、通信装置以及用于处理载体的方法。根据各种实施例，开关装置可包括：天线端子；开关，其包括第一开关端子和第二开关端子，该第一开关端子被耦合到天线端子，该开关包括至少一个晶体管，其位于硅区上或硅区中的至少之一，该硅区包括小于约3×1017原子每立方厘米的氧杂质浓度；以及收发器端子，其被耦合到第二开关端子，其中该收发器端子进行以下中的至少一个：被配置为提供经由天线端子接收的信号，或者被配置为接收将经由天线端子发送的信号。
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