公开(公告)号：CN109384193B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201810908665.0

申请日：2018-08-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： L·海策尔 ,  D·德比 ,  K·埃利安 ,  C·格赫雷玛尼 ,  J·洛德迈耶 ,  O·诺伊霍夫 ,  J·斯特拉塞

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开涉及用于光学器件的倾斜芯片组件，提供了一种微机电系统(MEMS)封装组件及其制造方法。该MEMS封装组件包括：衬底；壳体，耦合至衬底以形成腔体，其中壳体包括透明板，该透明板被设置在衬底上方且与衬底平行并且被配置为允许光传输穿过该透明板；以及MEMS芯片，设置在腔体内，并且包括接近透明板的第一主面以及与第一主面相对且耦合至衬底的第二主面。MEMS芯片被定向，使得第一主面相对于透明板以倾斜角度而倾斜。

公开(公告)号：CN105006463B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510179207.4

申请日：2015-04-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·鲍尔 ,  L·海策尔 ,  C·施廷普菲尔

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体封装件的方法和半导体封装件，提供了一种用于制造半导体封装件的方法，包括：提供包括孔径的第一衬底，提供第一半导体芯片，将所述第一半导体芯片连接至所述第一衬底，使用第一绝缘材料填充所述孔径，以及使用第二绝缘材料包封所述半导体芯片，以创建第一包封体。

公开(公告)号：CN109384193A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810908665.0

申请日：2018-08-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： L·海策尔 ,  D·德比 ,  K·埃利安 ,  C·格赫雷玛尼 ,  J·洛德迈耶 ,  O·诺伊霍夫 ,  J·斯特拉塞

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开涉及用于光学器件的倾斜芯片组件，提供了一种微机电系统(MEMS)封装组件及其制造方法。该MEMS封装组件包括：衬底；壳体，耦合至衬底以形成腔体，其中壳体包括透明板，该透明板被设置在衬底上方且与衬底平行并且被配置为允许光传输穿过该透明板；以及MEMS芯片，设置在腔体内，并且包括接近透明板的第一主面以及与第一主面相对且耦合至衬底的第二主面。MEMS芯片被定向，使得第一主面相对于透明板以倾斜角度而倾斜。

公开(公告)号：CN105006463A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510179207.4

申请日：2015-04-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·鲍尔 ,  L·海策尔 ,  C·施廷普菲尔

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体封装件的方法和半导体封装件，提供了一种用于制造半导体封装件的方法，包括：提供包括孔径的第一衬底，提供第一半导体芯片，将所述第一半导体芯片连接至所述第一衬底，使用第一绝缘材料填充所述孔径，以及使用第二绝缘材料包封所述半导体芯片，以创建第一包封体。

公开(公告)号：CN116952783A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310414133.2

申请日：2023-04-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·伊利安 ,  L·海策尔 ,  F·梅宝勒 ,  M·埃贝尔 ,  T·穆勒 ,  A·亚尔迈尔 ,  D·德比 ,  C·格赫雷玛尼 ,  J·波尔 ,  C·伊尔冈

IPC: G01N15/00 ,  G01N15/06 ,  G01N15/02

Abstract: 本申请涉及一种用于颗粒测量的半导体装置(10)，具有空腔壳体(G)和布置在空腔壳体(G)内的MEMS芯片(20)。壳体(G)具有第一开口(O1)，经由第一开口使空腔与周围环境连接并且在第一开口中布置有第一栅格(12)，第一栅格通过置于第一电势而适于从周围环境吸引颗粒(P)和/或使颗粒带电。MEMS芯片(20)具有朝向第一开口(O1)的膜片(M1)，所述膜片通过置于第二电势而适于吸引颗粒(P)。本申请还涉及一种用于运行半导体装置的方法，该半导体装置具有空腔壳体(G)和布置在空腔壳体(G)内的MEMS芯片(20)。

公开(公告)号：CN116337756A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211657722.5

申请日：2022-12-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·德比 ,  D·图姆波德 ,  A·亚尔迈尔 ,  L·海策尔 ,  K·伊利安 ,  T·迈尔 ,  C·格赫雷玛尼 ,  J·波尔 ,  C·盖斯勒

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/17 ,  G01N21/31 ,  G01N21/3504

Abstract: 本公开的实施例涉及一种辐射源装置，其包括至少一个膜层、被配置为发射电磁或红外辐射的辐射源结构、基板和间隔结构，其中基板和至少一个膜形成腔室，其中腔室中的压力为低于或等于腔室外部的压力，其中辐射源结构设置在至少一个膜层和基板之间。