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公开(公告)号：CN113140551B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202110052552.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/538 , H01L23/528 , H01L23/488
Abstract: 一种封装半桥电路包括：载体，具有介电芯和形成在载体的上表面上的第一金属化层；第一半导体芯片和第二半导体芯片，每个半导体芯片包括第一端子、第二端子和控制端子；以及导电连接器，其安装在载体的上表面上并且电连接到第一金属化层。第一半导体芯片被配置为半桥电路的高侧开关。第二半导体芯片被配置为半桥电路的低侧开关。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个被嵌入在载体的介电芯内。导电连接器电连接到来自第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一个或两个的第一端子和第二端子中的一个。
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公开(公告)号：CN113257678B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202110115898.7
申请日：2021-01-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/367
Abstract: 本文描述的半导体封装包括热电容器和/或凹陷的焊盘特征，该热电容器被设计为吸收来自功率半导体管芯的瞬态热脉冲，并且随后将瞬态热脉冲释放到周围环境。还描述了对应的生产方法。
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公开(公告)号：CN113380741A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110259268.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片，所述半导体芯片在第一芯片主表面上包括第一芯片接触焊盘。所述半导体装置还包括第一导电层，其布置在第一芯片主表面之上并且电耦合到第一芯片接触焊盘，其中，第一导电层在平行于第一芯片主表面的方向上延伸。所述半导体装置还包括第二导电层，其布置在第一导电层之上并且电耦合到第一导电层，其中，第二导电层在与第一导电层平行的方向上延伸。所述半导体装置还包括电直通连接结构，其电耦合到第一导电层和第二导电层，其中，电直通连接结构在垂直于第一芯片主表面的方向上延伸，并且在第一芯片主表面的顶视图中，电直通连接结构和半导体芯片不重叠。
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公开(公告)号：CN110233133B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201910163251.4
申请日：2019-03-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： P·帕尔姆
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 一种形成通往嵌入式半导体管芯的接触的方法包括在包封材料中嵌入半导体管芯，该半导体管芯在半导体管芯的第一侧具有第一端子，在包封材料的第一表面上形成第一金属掩模，该第一金属掩模位于半导体管芯的第一侧上方并且暴露包封材料的与半导体管芯的第一端子对准的第一部分，将加压液体流引导至包封材料的具有所述第一金属掩模的第一表面，以去除包封材料的所暴露的第一部分并且形成通往半导体管芯的第一端子的第一接触开口，以及在第一接触开口中形成导电材料。还描述了相关半导体封装。
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公开(公告)号：CN112713120A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011143354.3
申请日：2020-10-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 一种功率电子组件包括具有层合到电绝缘层上或层合在电绝缘层之间的金属层的板、以及嵌入在板中的功率器件。第一金属层在板的第一侧处提供电接触部。第二金属层在板的第二侧处提供热接触部。第三金属层位于第一金属层与功率器件之间，并且被配置为分配由功率器件切换的负载电流。第四金属层位于第二金属层与功率器件之间，并被配置作为用于在负载电流的切换期间由功率器件生成的热的主要导热路径。第一电绝缘层将第四金属层与第二金属层分开，使得第四金属层与第二金属层电隔离但是热连接到第二金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104599984A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410763538.8
申请日：2014-10-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/19 , H01L24/83 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/06182 , H01L2224/12105 , H01L2224/2518 , H01L2224/73267 , H01L2224/8019 , H01L2224/83192 , H01L2924/00 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747
Abstract: 含有半导体芯片的装置及生产这种装置的方法。装置包括含有第一面的第一半导体芯片，其中第一接触焊盘被布置在第一面之上。装置进一步包括含有第一面的第二半导体芯片，其中第一接触焊盘被布置在第一面之上，其中第一半导体芯片和第二半导体芯片被布置，以使得第一半导体芯片的第一面面向第一方向，且第二半导体芯片的第一面面向与第一方向相反的第二方向。第一半导体芯片位于第二半导体芯片轮廓的横向外侧。
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公开(公告)号：CN112242310B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010694397.4
申请日：2020-07-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： P·帕尔姆
IPC: H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/482
Abstract: 提供了一种制造芯片封装体的方法。该方法可以包括：图案化芯片的至少一个芯片焊盘，以在所述至少一个芯片焊盘中形成图案化的结构，所述图案化的结构包括至少一个预定凹部；以及使用包封材料包封芯片，从而填充至少一个预定凹部。
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公开(公告)号：CN114068474A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110876597.6
申请日：2021-07-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60 , H05K1/11 , H05K3/34
Abstract: 一种半导体器件封装体(100)包括：印刷电路板(10)，其包括第一中心区域、第二侧向区域和第三侧向区域；半导体裸片(20)，其包括第一主面、与第一主面相反的第二主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘(20A)和设置在第二主面上的第二接触焊盘(20B)，半导体裸片(20)设置在印刷电路板(10)的第一中心区域中；半导体器件封装体的第一金属侧壁(30)，其设置在印刷电路板(10)的第二侧向区域中；半导体器件封装体的第二金属侧壁(40)，其设置在印刷电路板(10)的第三侧向区域中；其中，第一金属侧壁(30)和第二金属侧壁(40)中的至少一个与半导体裸片(20)的第一接触焊盘(20A)和第二接触焊盘(20B)中的一个电连接。
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公开(公告)号：CN112242310A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010694397.4
申请日：2020-07-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： P·帕尔姆
IPC: H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/482
Abstract: 提供了一种制造芯片封装体的方法。该方法可以包括：图案化芯片的至少一个芯片焊盘，以在所述至少一个芯片焊盘中形成图案化的结构，所述图案化的结构包括至少一个预定凹部；以及使用包封材料包封芯片，从而填充至少一个预定凹部。
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公开(公告)号：CN111564956A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010089969.6
申请日：2020-02-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种功率设备包括：框架，所述框架具有电绝缘材料、电绝缘材料中的开口、以及延伸穿过电绝缘材料的电导体。固定在开口中的功率级模块具有在功率级模块的第一侧处的输出端子、以及在功率级模块的与第一侧相对的第二侧处的电源端子、接地端子和多个输入/输出(I/O)端子。无源部件具有附接到功率级模块的输出端子的第一端子和附接到框架的电导体的第二端子。无源部件具有比功率级模块更大的占用面积。框架扩大功率级模块的占用面积，以容纳无源部件到功率设备的安装。框架具有比功率级模块更低的互连密度。
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