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公开(公告)号：CN116207089A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211510356.0
申请日：2022-11-29
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/538 , H10B80/00
摘要： 本发明涉及用于对称开关和温度感测的功率模块布局。一种功率半导体模块布置结构包括功率电子衬底，该功率电子衬底包括第一DC电压焊盘、第二DC电压焊盘、第一负载焊盘和第二负载焊盘、安装于第一负载焊盘上的第一和第二晶体管管芯、安装于第一DC电压焊盘上的第三和第四晶体管管芯，第一和第二晶体管管芯共同形成第一开关，第三和第四晶体管管芯共同形成第二开关，第一和第二DC电压焊盘布置成使得流经第一和第三晶体管管芯的第一换向环路的DC供电阻抗匹配流经第二和第四晶体管管芯的第二换向环路的DC供电阻抗，并且通往第三晶体管管芯的第一负载连接部的阻抗大于通往第四晶体管管芯的第二负载连接部的阻抗。
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公开(公告)号：CN117012725A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310491581.2
申请日：2023-05-04
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/535 , H01L23/48 , H01L23/495
摘要： 一种模制功率半导体封装，包括：至少一个第一功率电子器件载体，具有设置在电绝缘衬底上的金属化层；多个第一功率半导体管芯，附接到至少一个第一功率电子器件载体的金属化层；至少一个第二功率电子器件载体，具有设置在电绝缘衬底上的金属化层；多个第二功率半导体管芯，附接到至少一个第二功率电子器件载体的金属化层；以及模制化合物，包封多个第一功率半导体管芯和多个第二功率半导体管芯，并且至少部分地包封至少一个第一功率电子器件载体和至少一个第二功率电子器件载体。至少一个第一功率电子器件载体和至少一个第二功率电子器件载体位于同一平面中。
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公开(公告)号：CN109755228A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811302878.5
申请日：2018-11-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及具有可靠地切换可控半导体元件的半导体装置，包括：电路板，包括具有第一导体轨道和第二导体轨道的金属化层；以及多个单独的半导体芯片，每个均包括可控半导体元件、第一负载电极、第二负载电极和控制电极，各个半导体芯片的第一负载电极彼此电连接，各个半导体芯片的第二负载电极彼此电连接，并且各个半导体芯片的控制电极彼此电连接。第一导体轨道包括基底部分和第一、第二和第三部分，第三部分布置在第一和第二部分之间，并且第二导体轨道包括第一和第二部分。第二导体轨道的第一部分布置在第一导体轨道的第一和第三部分之间，第二导体轨道的第二部分布置在第一导体轨道的第二和第三部分之间。
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公开(公告)号：CN118693065A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410270053.9
申请日：2024-03-11
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H02M1/00 , H01L25/18 , H01L23/48 , H01L23/495
摘要： 本文公开了功率半导体模块和功率电子装置。一种功率半导体模块包括：电绝缘框架；半桥电路，其容纳在电绝缘框架中，每个半桥电路包括一个或多个高侧功率半导体管芯以及一个或多个低侧功率半导体管芯；第一结构化的金属框架，其嵌入电绝缘框架中，并且电连接到每个半桥电路的一个或多个高侧功率半导体管芯的漏极或集电极端子；第二结构化的金属框架，其嵌入电绝缘框架中，并且电连接到每个半桥电路的一个或多个低侧功率半导体管芯的源极或发射极端子；以及电绝缘框架中的第一开口，其暴露第一结构化的金属框架或第二结构化的金属框架的位于电绝缘框架的相对的第一侧壁和第二侧壁处以及位于半桥电路中的相邻的半桥电路之间的部分。
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公开(公告)号：CN109755228B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201811302878.5
申请日：2018-11-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及具有可靠地切换可控半导体元件的半导体装置，包括：电路板，包括具有第一导体轨道和第二导体轨道的金属化层；以及多个单独的半导体芯片，每个均包括可控半导体元件、第一负载电极、第二负载电极和控制电极，各个半导体芯片的第一负载电极彼此电连接，各个半导体芯片的第二负载电极彼此电连接，并且各个半导体芯片的控制电极彼此电连接。第一导体轨道包括基底部分和第一、第二和第三部分，第三部分布置在第一和第二部分之间，并且第二导体轨道包括第一和第二部分。第二导体轨道的第一部分布置在第一导体轨道的第一和第三部分之间，第二导体轨道的第二部分布置在第一导体轨道的第二和第三部分之间。
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公开(公告)号：CN111799250A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010227083.3
申请日：2020-03-27
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L21/98 , H01L23/367
摘要： 一种功率半导体模块包括：布置于第一和第二衬底之间并且电耦合到第一和第二衬底的功率半导体芯片；以及温度传感器，其布置于第一和第二衬底之间并且横向地布置在功率半导体芯片旁边，使得温度传感器的第一侧面向第一衬底，并且温度传感器的第二侧面向第二衬底，其中温度传感器的第一电接触部布置于第一侧上并且电耦合到第一衬底，并且其中温度传感器的第二电接触部布置于第二侧上并且电耦合到第二衬底。
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