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公开(公告)号：CN118969753A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410600550.0
申请日：2024-05-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/467 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 一种功率电子系统，其包括半导体模块，所述半导体模块包括：至少第一功率电子衬底，其包括第一侧和相反的第二侧；至少第一和第二功率半导体裸片，其布置在第一功率电子衬底的第二侧之上；以及包封第一和第二功率半导体裸片的包封体，其中，第一功率电子衬底的第一侧至少部分地从包封体的第一侧暴露。所述功率电子系统还包括冷却器，其被配置用于流体冷却，其中，半导体模块布置在冷却器的壁的外表面之上，使得第一功率电子衬底的第一侧面向壁，其中，冷却器包括布置在壁的内表面上的多个冷却结构，并且其中，壁的位于第一功率电子衬底正下方的第一部分具有第一壁厚，壁的侧向地邻近第一部分的第二部分具有第二壁厚，第一壁厚大于第二壁厚。
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公开(公告)号：CN111952191A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010406422.4
申请日：2020-05-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 一种制造封装(100)的方法，其中，所述方法包括：提供至少在安装区(103)中连续的导电的片材(102)；将多个电子部件(104)的第一主表面安装在片材(102)的连续的安装区(103)上；形成用于使电子部件(104)的第二主表面与片材(102)电耦合的互连结构(106)，其中，第二主表面与第一主表面相对；以及在所述形成之后对片材(102)进行结构化。
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公开(公告)号：CN107946258A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710947225.1
申请日：2017-10-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/4924 , H01L23/49575 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45014 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/3677
Abstract: 一种芯片载体(100)，其包括导热电绝缘片(102)、位于所述片(102)的第一主表面上的第一导电结构(104)和位于所述片(102)的第二主表面上的第二导电结构(106)，其中，所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)延伸到所述片(102)的侧向边缘外。
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公开(公告)号：CN118053849A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311485955.6
申请日：2023-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 公开了衬底装置以及生产衬底装置的方法。一种衬底装置包括：第一金属化层；多条纳米线，其布置在第一金属化层的表面上；以及至少一个部件，其布置在第一金属化层上，使得多条纳米线的第一子集布置在第一金属化层与至少一个部件之间，其中，多条纳米线均匀地分布在第一金属化层的表面区域的一部分之上或整个表面区域之上，多条纳米线中的每条纳米线包括第一端和第二端，其中，多条纳米线中的每条纳米线的第一端不可分离地连接到第一金属化层的表面；第一子集中的每条纳米线的第二端不可分离地连接到至少一个部件中的一个部件的表面，使得纳米线的第一子集在第一金属化层与至少一个部件之间形成永久连接，至少一个部件包括至少一个半导体主体。
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公开(公告)号：CN107863328B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201710862319.9
申请日：2017-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/473 , H01L23/433 , H01L21/56
Abstract: 公开了一种封装体(100)，其包括至少一个电子芯片(102)、包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分的包封材料(104)以及位于所述包封材料(104)的外表面的至少一部分上的屏蔽层(106)，所述屏蔽层被配置用于将所述封装体(100)的内部与用于从所述至少一个电子芯片(102)去除热能的冷却流体屏蔽开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111354648A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911299119.2
申请日：2019-12-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 用于制造半导体面板的方法，包含提供第一预聚物形成件。该方法进一步包含将多个半导体芯片布置在第一预聚物形成件上。该方法进一步包含将第二预聚物形成件附接至第一预聚物形成件，其中将半导体芯片布置在所附接的预聚物形成件之间，并且其中所附接的预聚物形成件形成封装半导体芯片的半导体面板。
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公开(公告)号：CN111312678A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911264867.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L25/16 , H01L21/60
Abstract: 功率半导体模块包括第一衬底，其中，该第一衬底包括铝；布置在第一衬底上的第一氧化铝层；布置在第一氧化铝层上的导电层；第一半导体芯片，其中，该第一半导体芯片布置在导电层上并且与该导电层电连接；电绝缘材料，该电绝缘材料包围该第一半导体芯片，其中，该第一氧化铝层构造用于将第一半导体芯片与第一衬底电隔离。
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公开(公告)号：CN107895697A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710929805.8
申请日：2017-10-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/49558 , H01L21/561 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L24/97 , H05K7/1007 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L24/80
Abstract: 公开了一种用于承载电子芯片(102)的芯片载体(100)，其中，所述芯片载体(100)包括被配置用于通过烧结来安装电子芯片(102)的安装部分(104)以及被配置用于通过包封材料(138)包封的包封部分(106)。
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公开(公告)号：CN107863327A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710853897.6
申请日：2017-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 , 现代汽车株式会社 , 起亚汽车株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
Abstract: 一种封装体(100)，包括：至少一个电子芯片(102)；第一散热体(104)，其热耦合至所述至少一个电子芯片(102)的第一主表面，且配置成用于从所述至少一个电子芯片(102)散除热能；包封材料(108)，其包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分以及第一散热体(104)的至少一部分；其中，第一散热体(104)的表面的至少一部分被粗糙化。
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公开(公告)号：CN111354648B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201911299119.2
申请日：2019-12-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 用于制造半导体面板的方法，包含提供第一预聚物形成件。该方法进一步包含将多个半导体芯片布置在第一预聚物形成件上。该方法进一步包含将第二预聚物形成件附接至第一预聚物形成件，其中将半导体芯片布置在所附接的预聚物形成件之间，并且其中所附接的预聚物形成件形成封装半导体芯片的半导体面板。
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