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公开(公告)号：CN118900510A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411003960.3
申请日：2021-09-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开的实施例总体上涉及用于电源模块的附加电流传感器。一种方法可以包括将传感器模块压到控制板上使得传感器模块处于初始位置，在该初始位置，传感器模块的模块本体与控制板之间存在气隙，使得传感器模块的顺应销被部分插入控制板中。该方法可以包括将控制板安装在电源模块上，以引起电源模块的销被至少部分插入控制板中，并且传感器模块被至少部分插入电源模块中使得突起穿过母线中的开口。该方法可以包括将控制板压到电源模块上以引起电源模块的销被进一步插入控制板中、传感器模块被进一步插入电源模块中、并且传感器模块处于最终位置。
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公开(公告)号：CN117038608A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310526624.6
申请日：2023-05-10
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： C·科赫
摘要： 一种功率电子系统包括功率半导体模块，所述功率半导体模块包括：基板，其包括第一侧、相反的第二侧以及连接所述第一侧和所述第二侧的边缘；以及功率半导体裸片，其布置在所述基板的第一侧处。所述功率电子系统还包括冷却器，其包括开口，其中，所述基板的边缘与所述开口的边缘直接接触，使得由冷却器提供的流体通道在开口处被基板密封，并且基板的第二侧形成流体通道的壁，其中，所述基板与所述冷却器之间在所述开口处的界面没有任何焊接接合部。
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公开(公告)号：CN115000038A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210193793.8
申请日：2022-03-01
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L25/07
摘要： 一种用于功率半导体模块的外部接触元件包括接合的坯体条，所述接合的坯体条被形成为使得所述外部接触元件包括：被配置成能够通过第一焊料接合部耦合到功率半导体模块的第一接触部分；在从所述第一接触部分的平面出来的厚度方向上与所述第一接触部分间隔开的第二接触部分，所述第二接触部分被配置成能够耦合到外部装置；以及将所述第一接触部分和所述第二接触部分彼此连接并且被配置成能够补偿沿着厚度方向的运动的弹簧部分，其中，所述接合的坯体条包括包含第一金属或第一金属合金的第一片和包含不同的第二金属或第二金属合金的第二片，以及其中，从所述第一接触部分的至少大部分处省去了第二片。
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公开(公告)号：CN114258208A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111098982.9
申请日：2021-09-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开的实施例总体上涉及用于电源模块的附加电流传感器。一种方法可以包括将传感器模块压到控制板上使得传感器模块处于初始位置，在该初始位置，传感器模块的模块本体与控制板之间存在气隙，使得传感器模块的顺应销被部分插入控制板中。该方法可以包括将控制板安装在电源模块上，以引起电源模块的销被至少部分插入控制板中，并且传感器模块被至少部分插入电源模块中使得突起穿过母线中的开口。该方法可以包括将控制板压到电源模块上以引起电源模块的销被进一步插入控制板中、传感器模块被进一步插入电源模块中、并且传感器模块处于最终位置。
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公开(公告)号：CN109755228A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811302878.5
申请日：2018-11-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及具有可靠地切换可控半导体元件的半导体装置，包括：电路板，包括具有第一导体轨道和第二导体轨道的金属化层；以及多个单独的半导体芯片，每个均包括可控半导体元件、第一负载电极、第二负载电极和控制电极，各个半导体芯片的第一负载电极彼此电连接，各个半导体芯片的第二负载电极彼此电连接，并且各个半导体芯片的控制电极彼此电连接。第一导体轨道包括基底部分和第一、第二和第三部分，第三部分布置在第一和第二部分之间，并且第二导体轨道包括第一和第二部分。第二导体轨道的第一部分布置在第一导体轨道的第一和第三部分之间，第二导体轨道的第二部分布置在第一导体轨道的第二和第三部分之间。
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公开(公告)号：CN116190339A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211520618.1
申请日：2022-11-29
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/48
摘要： 用于功率半导体模块装置的端子元件或汇流条包括被配置为布置在功率半导体模块装置的外壳的内部的第一端、被配置为布置在功率半导体模块装置的外壳的外部的第二端以及沿端子元件或汇流条的长度相继布置在第一端和第二端之间的至少第一部分和第二部分，其中第一部分包括第一材料，第二部分包括第二材料，并且第一材料不同于第二材料；或者第一部分具有第一厚度，第二部分具有第二厚度，并且第一厚度不同于第二厚度；或两者。
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公开(公告)号：CN105529277B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201510679726.7
申请日：2015-10-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： B23K1/0016 , B23K3/087 , B23K2101/36 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/36 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H05K1/0306 , H05K3/0061 , H05K2201/09054 , H05K2201/10166 , H05K2203/0405 , H05K2203/167 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781
摘要： 本发明涉及一种用于将电路载体(2)与载体板(3)焊接的方法。对此提供载体板(3)、电路载体(2)和焊料(5)。载体板(3)具有上侧(3t)以及第一校准装置(41)。电路载体(2)具有下侧(2b)以及第二校准装置(42)。将电路载体(2)放置在载体板(3)上，以使得电路载体(2)的下侧(2b)朝向载体板(3)的上侧(3t)，焊料(5)布置在载体板(3)和电路载体(2)之间，并且第一校准装置(41)为第二校准装置(42)形成止挡部，其限制了放置在载体板(3)上的电路载体(2)沿着载体板(3)的上侧的移动。然后熔化焊料(5)并随后冷却，直到其硬化并将下金属化层(22)处的电路载体(2)材料配合地与载体板(3)连接。
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公开(公告)号：CN115621210A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210748763.9
申请日：2022-06-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本文公开了一种功率半导体模块，其包括：电绝缘框架，其具有相对的第一和第二安装侧、以及限定电绝缘框架外围的边界；位于电绝缘框架中的第一衬底；附接到第一衬底的多个功率半导体管芯；附接到第一衬底并且电连接到功率半导体管芯的多个信号引脚；附接到第一衬底并且延伸穿过电绝缘框架的边界的多个母线；在电绝缘框架的第一安装侧的多个固定位置；以及从电绝缘框架的第二安装侧凸出的多个电绝缘突起，其中，突起与固定位置垂直对准。本文还描述了制造功率半导体模块和含有功率半导体模块的功率电子组件的方法。
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公开(公告)号：CN105374768A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510639079.7
申请日：2015-08-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/473 , B23K1/00 , B23K9/0026 , B23K9/232 , B23K20/129 , B23K20/22 , B23K26/21 , B23K26/323 , B23K2103/18 , H01L23/3736 , H01L23/4924 , H01L23/49811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L23/3675 , H01L21/48
摘要： 冷板、包括冷板的器件以及用于制造冷板的方法。冷板由单片构件构成，并且包括通道，其中通道顶侧是开放的并且其中与顶侧相对的通道底侧包括入口和出口。
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公开(公告)号：CN118693065A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410270053.9
申请日：2024-03-11
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H02M1/00 , H01L25/18 , H01L23/48 , H01L23/495
摘要： 本文公开了功率半导体模块和功率电子装置。一种功率半导体模块包括：电绝缘框架；半桥电路，其容纳在电绝缘框架中，每个半桥电路包括一个或多个高侧功率半导体管芯以及一个或多个低侧功率半导体管芯；第一结构化的金属框架，其嵌入电绝缘框架中，并且电连接到每个半桥电路的一个或多个高侧功率半导体管芯的漏极或集电极端子；第二结构化的金属框架，其嵌入电绝缘框架中，并且电连接到每个半桥电路的一个或多个低侧功率半导体管芯的源极或发射极端子；以及电绝缘框架中的第一开口，其暴露第一结构化的金属框架或第二结构化的金属框架的位于电绝缘框架的相对的第一侧壁和第二侧壁处以及位于半桥电路中的相邻的半桥电路之间的部分。
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